The efficiencies of thermal power system using fossil fuel depend on heat exchangers which extract energy from the exhaust gas before it is expelled to the atmosphere. To increase heat transfer efficiency it is very important to maintain the surface of heat exchanger as clean condition. The accepted skill of cleaning of fouled surface of heat exchanger is soot blowing. A high pressure jet of air is forced through the flat surface of plate to remove the deposit of fouling. There is, however, little knowledge of the fundamental principles of how the jet behave on the surface and how the jet actually removes the deposit. Therefore, the study focuses on the measuring of cleaning area and cleaning dwell time after accumulating the simulated deposit on the flat surface. The deposit test rig was built for the study and simulated deposit material is used after measuring the physical property of the each material by shearing stress test. Much data was obtained for the analysis by the parameters change such as the different jet speed, different inner pressure and variable distance of the jet from the test rig surface. The experimental data was compared with the theoretical equation and most of the data matches well except some extreme cases.
UBM-coated Si-wafer was fluxlessly soldered with glass substrate in $N_2$ atmosphere using plasma cleaning method. The bulk Sn-37wt.%Pb solder was rolled to the sheet of $100\mu\textrm{m}$ thickness in order to bond a solder disk by fluxless 1st reflow process. The oxide layer on the solder surface was analysed by AES(Auger Electron Spectroscopy). Through rolling, the oxide layer on the solder surface became thin, and it was possible to bond a solder disk on the Si-wafer with fluxless process in $N_2$ gas. The Si-wafer with a solder disk was plasma-cleaned in order to remove oxide layer formed during 1st reflow and soldered to glass by 2nd reflow process without flux in $N_2$ atmosphere. The thickness of oxide layer decreased with increasing plasma power and cleaning time. The optimum plasma cleaning condition for soldering was 500W 12min. The joint was sound and the thicknesses of intermetallic compounds were less than $1\mu\textrm{m}$.
반도체에 사용되는 금속 배선으로써 Al-Cu 합금은 낮은 저항과 제조 공정의 용이성으로 인해 CMOS제조 공정에 있어 수년간 사용되어 왔다. 그러나 금속은 근본적으로 부식에 취약하기 때문에 금속 배선 제조 공정에 있어 부식은 오랜 숙제로 남아 있다. 부식은 칩의 신뢰성 문제를 유발하기 때문에 이를 제어할 보다 효과적인 방법이 요구 되고 있다. 부식을 유발하는 다양한 항목 중에 금속 배선 식각 후 PR 스트립과 후속 세정 조건은 조절 가능한 파라미터이며, 또한 부식을 방지할 수 있는 마진을 향상할 수 있는 요소이다. 본 연구는 부식을 방지하기 위해 PR 스트립 공정 조건 및 후속 세정 조건을 최적화함으로써 금속 배선 식각 후 염소 잔유물과 플라즈마 charge up을 제거해야 함을 제안 하였다.
The purpose of this work is to develop a high-efficiency air cleaning system for air pollutants such as particulate and gaseous state in indoor environments. In order to enhance a removal efficiency of gaseous state pollutants, we suggested that pulsed discharge plasma be combined with $TiO_2$ photocatalyst (photocatalytic plasma air cleaning unit). We investigated experimentally the basic characteristics of photocatalytic plasma air cleaning unit and measured air pollutants removal efficiency. The wavelength of light radiated from pulsed discharge plasma under the atmospheric condition was 310~380nm. Its energy is enough to excite the $TiO_2$ photocatalyst and it makes a photochemical reaction in the surface of $TiO_2$ photocatalyst. The removal quantity of trimethylamine$((CH_3)_3N)\; was\; 130mg/m^34 which is twice quantity of pulsed discharge plasma without $TiO_2$ phtocatalyst unit. From the result of gas analysis using FT-IR, nitric oxide was not detected and trimethylamine was decomposed to $H_2O\; and \;CO_2$. And trimethylamine removal efficiency was 95%. These experimental results indicate that photocatalytic plasma air cleaning unit is a potential method in removing the pollutants.
Vehicle occupant exposure to air pollutants has been a subject of concern in recent years because of higher levels of air pollutants inside gasoline or diesel-using vehicle, comparing to the surrounding atmosphere. Contrary to previous studies, fuel of vehicles operated in this study was liquefied petroleum gas (LPG). This study examined the potential exposure and removal efficiency of selected volatile organic compounds (VOCs), nitrogen dioxide ($NO_2$) and respirable suspended particle (RSP) by commercial air cleaning device inside vehicle under different ventilation conditions. Vehicle concentrations inside of benzene, toluene, m,p-xylene, $NO_2$ and RSP were lower under the low ventilation condition. This was indicated that outdoor air pollutants could affect the vehicle air quality inside in case metropolitan cities such as Daegu. The urban vehicle concentrations inside of benzene, toluene, m,p-xylene, $NO_2$ and RSP with air cleaning device were higher than those without air cleaning device. This means that the use of air cleaning device equipped with activated carbon filter, which was used in this study, in the interior of vehicles could be expected to reduce the vehicle occupants exposure to air pollutants effectively. In batch type reactor of laboratory scale, removal efficiencies of air cleaning device used were $97.0\%,\;95.7\%,\;94.6\%\;and\;85.5\%$ respectively in benzene, toluene, m,p-xylene and $NO_2$.
Kim, K.J.;Oh, C.H.;Lee, N.-E.;Kim, J.H.;Bae, J.W.;Yeom, G.Y.;Yoon, S.S.
한국표면공학회지
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제34권5호
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pp.403-408
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2001
In this work, the cyclic perfluorinated ether (c-C$_4$F$_{8}$O) with very high destructive removal efficiency (DRE) than other alternative gases, such as $C_3$F$_{8}$, c-C$_4$F$_{8}$ and NF$_3$ was used as an alternative process chemical. The plasma cleaning of silicon nitride using gas mixtures of c-C$_4$F$_{8}$O/O$_2$ and c-C$_4$F$_{8}$O/O$_2$+ $N_2$ was investigated in order to evaluate the effects of adding $N_2$ to c-C$_4$F$_{8}$O/O$_2$ on the global warming effects. Under optimum condition, the emitted net perfluorocompounds (PFCs) during cleaning of silicon nitride were quantified and then the effects of additive $N_2$ by obtaining the destructive removal efficiency (DRE) and the million metric tons of carbon equivalent (MMT-CE) were calculated. DRE and MMTCE were obtained by evaluating the volumetric emission using. Fourier transform-infrared spectroscopy (FT-IR). During the cleaning using c-C$_4$F$_{8}$O/O$_2$+$N_2$, DRE values as high as (equation omitted) 98% were obtained and MMTCE values were reduced by as high as 70% compared to the case of $C_2$F$_{6}$O$_2$. Recombination characteristics were indirectly investigated by combining the measurements of species in the chamber using optical emission spectroscopy (OES), before and after the cleaning, in order to understand any correlation between plasma and emission characteristics as well as cleaning rate of silicon nitride.silicon nitride.
리모트 수소 플라즈마를 이용하여 Si 기판 위의 구리 오염의 제거 효과에 관하여 조사하였다. 최적의 공정 조건을 찾기 위하여 Si 기판을 1ppm ${CuCI}_{2}$ 표준 화학 용액으로 인위적으로 오염시킨 후 rf power와 세정시간, 거리 (수소플라즈마 중심에서 Si 기판표면까지의 거리)등의 공정 변수를 변화시키며 리모트 수소 플라즈마 세정을 실시하였다. 리모트 수소 플라즈마 세정 후 Si 표면의 분석을 위하여 TXRF(total x-ray reflection fluorescence)와 AFM(atomic force microscope)측정을 실시하였다. 리모트 수소 플라즈마 세정이 Cu의 제거에 효과적이며 Si 표면의 거칠기에 나쁜 영향을 주지 않음을 TXRF와 AFM 분석결과로부터 알 수 있었다. Cu 불순물의 흡착 메커니즘은 산화 환원 전위 이론으로 설명될 수 있으며, Cu 불순물의 제거 메커니즘은 XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)분석결과를 근거로 하여 다음과 같이 설명할 수 있다. :먼저 Cu 이온이 Si 표면에 흡착되어 화학적 산화막을 생성한다. 그 다음, 수소 플라즈마 중의 반응성이 강한 수소이온이 이 산화막을 분해시켜 제거하며 Cu 불순물은 산화막이 제거될 때 함께 제거된다.
어린이집 유아들이 사용하는 칫솔 및 양치 컵의 미생물 오염도와 분리된 식중독 미생물의 독소 유전자 및 독소 생산능력을 분석하여 칫솔과 양치 컵에 의해 발생할 수 있는 식중독을 예방하고자 칫솔 75개, 칫솔걸이 29개, 양치 컵 65개를 실험하였다. 일반세균수는 평균 5.3 log CFU 검출되었고 칫솔은 평균 6.7 log CFU 검출되어 가장 높은 오염도를 나타내었다. 대장균군은 칫솔 75건 중 41건 (54.7%), 칫솔걸이 29건 중 13건 (44.8%), 양치 컵 65건 중 29건 (44.6%)에서 검출되었으며 진균수는 평균 3.2 log CFU 검출되었고 칫솔이 평균 4.6 log CFU 검출되어 칫솔의 대장균군, 진균 오염도가 가장 높게 나타났다. Salmonella spp.는 모든 시료에서 검출되지 않았으나 B. cereus는 칫솔 75건 중 1건 (1.3%), 양치 컵 65건 중 2건 (3.1%)에서 검출되었고 S. aureus는 양치 컵 65건 중 1건 (1.5%)에서 검출되었다. 칫솔에서 분리된 B. cereus의 경우 nheA, nheB, nheC, hblC, hblD, hblA, entFM 등 7종의 설사독소 유전자가 검출되었고 양치 컵에서 분리된 B. cereus 2균주는 nheA, nheB, nheC, entFM 설사독소 유전자만 검출되었다. 칫솔에서 분리된 B. cereus의 경우 HBL, NHE 설사독소를 생산하였고 양치 컵에서 분리된 B. cereus 2균주는 모두 NHE 설사독소만을 생산하였다. B. cereus는 ${\beta}-lactam$계 항생제에 내성을 나타내었고 S. aureus는 ampicillin과 penicillin에만 내성을 나타내었다. 이러한 결과는 대부분의 칫솔과 양치 컵이 양치 후 젖은 상태로 화장실에 보관되거나 젖은 상태로 자외선 살균고에서 살균되는 등 부적절한 보관가 살균방법이 주요 원인으로 분석되었다. 따라서 면역력이 취약한 어린이집 유아가 사용하는 칫솔 및 양치컵을 건조한 후 자외선 살균고 등을 이용 살균하여 상대 습도가 낮은 건조한 곳에 보관하여야 할 것으로 판단되었다.
원전 증기발생기 2차측 제철 화학세정을 기존의 93$^{\circ}C$ 표준공정보다 고온인 1$25^{\circ}C$에서 검증시험을 수행하였다. 원전 증기발생기를 1$25^{\circ}C$에서 화학 세정한다는 가정아래 현장세정 조건을 결정하고 이를 다시 모사하여 3l 용량의 소형 검증시험 조건을 결정하였다. 1 gallon 용량의 316 스텐레스강 압력용기를 반응용기로 사용하는 화학세정 시험장치에서 검증시험을 수행하여 스러지 용해거동, 모재 부식률, 세정제 화학조성 변화거동 등을 측정하였다. 1$25^{\circ}C$ 검증시험 결과에서 93$^{\circ}C$ 표준공정보다 세정시간을 절반이하로 단축시키고도 더 효율적인 세정효과를 얻을 수 있을 뿐만이 아니라 2차측 모재의 부식률도 감소함을 확인할 수 있었다. 그러나 고온 세정공정은 아직 현장적용 경험이 없고, 별도의 외부순환 세정 장치를 이용하는 93$^{\circ}C$ 표준공정과는 달리 주냉각재의 잠열로 2차측을 가열하므로 세정이 완료될 때까지 주냉각 펌프를 계속 가동하여야 하는 단점이 있다. 가동중인 증기발생기에 대한 화학세정을 수행할 때 93$^{\circ}C$ 표준공정과 고온공정의 장 단점을 신중히 검토하여 최적공정을 적용하여야 할 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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