• 한국재료학회지
• /
• 제21권6호
• /
• pp.295-298
• /
• 2011

ZnS:Mn, Dy yellow phosphors for White Light Emitting Diode were synthesized by a solid state reaction method using ZnS, $MnSO_4{\cdot}5H_2O$, S and $DyCl_3{\cdot}6H_2O$ powders as starting materials. The mixed powder was sintered at $1000^{\circ}C$ for 4 h in an air atmosphere. The photoluminescence of the ZnS:Mn, Dy phosphors showed spectra extending from 480 to 700 nm, peaking at 580 nm. The photoluminescence of 580 nm in the ZnS:Mn, Dy phosphors was associated with $^4T_1{\rightarrow}^6A_1$ transition of $Mn^{2+}$ ions. The highest photoluminescence intensity of the ZnS:Mn, Dy phosphors under 450 nm excitation was observed at 4 mol% Dy doping. The enhanced photoluminescence intensity of the ZnS:Mn, Dy phosphors was explained by energy transfer from $Dy^{3+}$ to $Mn^{2+}$. The CIE coordinate of the 4 mol% Dy doped ZnS:Mn, Dy was X = 0.5221, Y = 0.4763. The optimum mixing conditions for White Light Emitting Diode was obtained at the ratio of epoxy : yellow phosphor = 1:2 form CIE coordinate.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.303-307
• /
• 2000

The crystal structure of ZnS fabricated by gas-liquid phase reaction was obtained by XRD and refined by RIETAN near R$_{wp}$ factor 10%. The increasement of HCP phase depended on extra H$_2$S gas and the lattice parameter and crystalline size changed by the relative ratio of multiphase. Using ZnS of the different multiphase ratio and crystalline size, sintered ZnS:Cu, Al green phosphor and the CL property resulted optimum luminescence in the range of 91~94% and 150~190$\AA$, respectably, FCC/HCP ratio and crystalline size. As changing of structure ratio, the reason of different luminescence property is now studying. As well as, after XRD pattern of TiO$_2$powder fitted by RIETAN and the structure factor using MEED method simulated about each atom of (002) plane. Additionally, we proposed RIETAN and MEED were the methods of the study of luminescence mechanism for many phosphor materials.s.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제38권9호
• /
• pp.794-798
• /
• 2001

Sol-gel법에 의하여 $Y_{2-x}SiO_5:Ce_x^{3+}$ (x=0.002∼0.04) 형광체를 제조하고 발광특성을 평가하였다. 800$^{\circ}$C에서 하소하였을 때는 무정형의 결정상이 나타났지만 1000$^{\circ}$C 이상에서는 $X_2$ type의 $Y_2SiO_5$ 결정상을 얻었다. 230∼360nm에서 형광체 모체의 광흡수가 일어났으며 300∼400nm에서 Ce 첨가로 인한 형광체의 광흡수가 관찰되었다. 436nm에서 최대의 발광 spectrum을 나타내었으며 $Ce^{3+}$ 함량을 0.025mol 첨가 시 $Y_{2-x}SiO_5:Ce_x^{3+}$ 형광체는 최대의 cathodoluminescence 특성과 CIE1931색 좌표 상에서 x=0.161, y=0.124의 색을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
• /
• pp.463-465
• /
• 2005

The $ZnGa_2O_4$:Mn phosphor was synthesized through solid-state reactions at the various molar ratio of Mn from 0.002 % to 0.01 %. Structural and optical properties of the $ZnGa_2O_4$:Mn phosphor was investigated by using X-ray diffraction (XRD), and cathodoluminescence (CL) measurements. The XRD patterns show that the Mn-doped $ZnGa_2O_4$ has a (311) main peak and a spinel phase. Also the emission wavelength shifts from 420 to 510 nm in comparison with $ZnGa_2O_4$ when Mn is doped in $ZnGa_2O_4$. These results indicate that $ZnGa_2O_4$:Mn phosphors hold promise for potential applications in field-emission display devices with high brightness operating in green spectral regions.

• The Korean Journal of Ceramics
• /
• 제3권4호
• /
• pp.245-248
• /
• 1997

Photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) characteristics of Ce-activated $Y_{2-x}Ce_xSiO_5$ have been investigated as functions of Ce concentration and firing condition. According to the X-ray, PL and CL results, $Y_2SiO_5$ is found to have two phases depending on the firing temperature. For the specimen fired above 127$0^{\circ}C$, the emission band peaked at 395nm with a shoulder at 424 nm under ultraviolet (u.v.) and cathode-ray (c.r.) excitation. However, for the specimen fired below 120$0^{\circ}C$ in air the peak was observed at 424 nm and it shifted to longer wavelength with reduction level. The reduced specimen for x=0.02 showed the brightest emission under u.v. excitation whereas under c.r. excitation the brightest emission was observed for the reduced specimen for x=0.06.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
• /
• pp.1087-1090
• /
• 2004

Samples of yttrium oxide doped with trivalent europium have been prepared by ceramic techniques, under different synthesis conditions; barium chloride ($BaCl_2$) and sodium tetraborate ($Na_2B_4O_7$) were tested as flux. The improvement of luminescence properties in dependence on substitution of $Eu^{3+}$ for $Y^{3+}$ in the host lattice, under electron and UV excitations is demonstrated The obtained results are discussed with respect to the employed processing method.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
• /
• pp.759-761
• /
• 2002

A new method for the preparation of copper activated zinc sulfide phosphors by combustion method has been proposed. Copper nitrate was decomposed with an organic fuel to give fine sized particles in presence of alkali metal halides at low temperature than the conventional synthesis. Organic compound also acted as fuel at 500 $^{\circ}C$ with rapid heating. The phosphors thus obtained were then heated at 900 $^{\circ}C$ in an inert atmosphere for 2-5 hrs to get better luminescent properties.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.152-152
• /
• 2000

차세대 평판 디스플레이로 주목박고 있는 FED는 현재 저전압 환경에서 기존의 CRT와 비슷한 해상도와 밝기를 얻지 못하고 있다. 이는 형광체 입자의 표면에 존재하는 결함, 오염, band - bonding과 같은 비발광층과 제조공정 중에 산화되거나 공기중에 노출되어 막 표면이 쉽게 오염되기 때문이다. 따라서 본 연구에서는 전기영동법으로 제작된 형광체의 효율 향상을 위해 레이저 표면 처리효과를 연구하였다. 실험에 사용한 레이저 표면처리 방법은 Nd:YAG pulse(355nm), continuous laser를 이용하였으며 레이저 power와 처리 시간을 변화시키면서 실시하였다. 형광체 막의 표면 두께 측정을 위해 Scanning Electron Microscopy(SEM), 처리된 막의 발광세기를 비교 분석하기 위해 Photoluminescence(PL), Cathodoluminescence(CL) intensity를 측정하였다.

• 센서학회지
• /
• 제1권1호
• /
• pp.59-66
• /
• 1992

$BaSO_{4}$ : Eu 열형광체 분말을 제작하고 이를 PTFE로 중합한 디스크형의 $BaSO_{4}$ : Eu-PTFE 고감도 TLD 방사선 센서를 제작하였다. $BaSO_{4}$ : Eu 열형광체는 $BaSO_{4}$분말과 활성체인 Eu($Eu_{2}O_{3}$) 및 두가지 용제 $NH_{4}Cl$과 $(NH_{4})_{2}SO_{4}$를 각각 lmol%, 6mol% 및 5mol%의 농도로 묽은 황산에 공침하여 건조시킨 후 질소분위기에서 $1000^{\circ}C$로 1시간 동안 소결하여 제작하였을 때 $X/{\gamma}$선에 대해 최대감도를 나타내었다. 그리고 $BaSO_{4}$ : Eu glow 곡선의 주 피이크의 활성화에너지와 진동수인자 및 발광차수는 각각 1.17eV, $3.6{\times}10^{11}/sec$ 및 1.25이었으며, 발광 스펙트럼의 피이크 파장은 425nm였다. 한편 $BaSO_{4}$ : Eu-PTFE TLD의 최적제작조건은 열형광체 분말의 함량은 40wt%, TLD의 두께는 $105.7mg/cm^{2}$ 중합조건은 $380^{\circ}C$, 공기중에서 2시간으로 결정하였다. 그리고 ${\gamma}$선에 대한 TL 피이크 강도의 선량의존성은 0.01-20Gy영역에서 선형적이었으며, 감쇠율은 60시간에 약 10 %였다.

• 한국재료학회지
• /
• 제11권6호
• /
• pp.448-452
• /
• 2001

ZnS:Cu,Cl 형광체를 이용하여 ITO/glaas 기판위에 스크린인쇄법으로 적층형과 혼합형 구조로된 2종류의 교류전계 발광소자를 제작한 후 인가전압과 주파수에 따른 광학적, 전기적 특성을 조사, 비교하였다. 적층헝의 경우 발광휘도는 400Hz, 200V 구동전압에서 약 55 cd/$\m^2$를 나타내었다. 인가전압의 주파수를 400Hz에서 30Hz로 증가시킬 경우 휘도는 420 cd/$\m^2$로 크게 향상되었다. 혼합형의 경우 400Hz의 주파수에서 문턱전압은 45V이었고, 200V, 30KHz 주파수의 동작조건에서 최대휘도는 670 cd/$\m^2$ 이었다. 휘도-전압 특성 측정결과 적층형구조 보다 혼합형 소자구조에서 발광강도가 약 1.5배 증가하였다. 주파수에 따른 주발광 파장의 변화는 양쪽시료 모두 유사하게 나타났다. 1KHz이하의 저주파에서는 652 nm의 청녹색 발광과장을 나타내었으며 5KHz이상에서는 452 nm과장의 청색발광을 나타내었다.