• 한국지반신소재학회논문집
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• 제2권3호
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• pp.19-24
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• 2003

폐기물 매립지 바닥층 및 사면에 적용되는 평편 형 및 텍스츄어드 형 고밀도 폴리에틸렌 지오멤브레인의 장기성능이 검토되었다. 특수 설계된 스크래치 장치를 이용하여 인위적으로 지오멤브레인 표면에 결함을 부여하였다. 결함 및 미결함 지오멤브레인의 역학적 및 마찰특성, 화학저항성 및 자외선 저항성 그리고 산화유도시간 등이 검토되었다. 텍스츄어드 형 지오멤브레인의 마찰특성이 평편 형 지오멤브레인 보다 우수함을 알 수 있었다. 끝으로 화학저항성, 자외선 저항성 그리고 산화유도시간 측정결과로부터 결함이 없는 지오멤브레인과 텍스츄어드 형 지오멤브레인의 장기성능이 결함이 있는 지오멤브레인보다 우수함을 알 수 있었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.23-23
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• 2003

GaN-related semiconductors are of great technological importance for the fabrication of optoelectronic devices, such as blue and ultra violet light emitting diodes (LEDs), laser diodes, and photo-detectors. One of the most important applications of GaN-based LEDs is solid-state lighting, which could replace incandescent bulbs and ultimately fluorescent lamps. For solid-state lighting applications, the achievement of high extraction efficiency in LED structures is essential. For flip-chip LEDs (FCLEDS), the formation of low resistance and high reflective p-GaN contact is crucial. So far, a wide variety of different methods have been employed to improve the ohmic properties of p-type contacts to GaN. For example, surface treatments using different chemical solutions have been successfully used to produce high-quality ohmic contacts, Metallization schemes, such as Ta/Ti contacts to p-GaN, were also investigated. For these contacts, the removal of hydrogen atoms from the Mg atoms doped n the GaN was argued to be responsible for low contact resistances.