Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.27
no.7
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pp.28-35
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2010
In the display industry, COG bonding method is being applied to production of LCD panels that are used for mobile phones and monitors, and is one of the mounting methods optimized to compete with the trend of ultra small, ultra thin and low cost of display. In COG bonding process, electrical characteristics such as contact resistance, insulation property, etc and mechanical characteristics such as bonding strength, etc depend on properties of conductive particles and epoxy resin along with ACF materials used for COG by manufacturers. As the properties of such materials have close relation to optimization of bonding conditions such as temperature, pressure, time, etc in COG bonding process, it is requested to carry out an in-depth study on characteristics of COG bonding, based on which development of bonding process equipment shall be processed. In this study were analyzed the characteristics of COG bonding process, performed the analysis and reliability evaluation on electrical and mechanical characteristics of COG bonding using ACF to find optimum bonding conditions for ACF, and performed the experiment on bonding characteristics regarding fine pitch to understand the affection on finer pitch in COG bonding. It was found that it is difficult to find optimum conditions because it is more difficult to perform alignment as the pitch becomes finer, but only if alignment has been made, it becomes similar to optimum conditions in general COG bonding regardless of pitch intervals.
Transient liquid phase (TLP) bonding is essential technology to repair micro-cracking on the airfoil of blades and vanes for gas turbines. Understanding of the characteristics of TLP bonding of the superalloys is necessary in the application of the technology for repairing these components. In this study, the focus was on investigating TLP bonding characteristics of ${\gamma}^{\prime}$ precipitation strengthened Ni based superalloy. TLP bonding was carried out with an amorphous filler metal in various bonding conditions, and the microstructural characterization was investigated through optical microscopy (OM) and electron probe micro-analysis (EPMA). The experimantal results explained clearly that bonding temperatures had critical effects on the TLP bonding behaviors, and that isothermal solidication of the joints made at higher temperatures than $1170^{\circ}C$ was controlled by Ti diffusion instead of B.
With the increasing application of explosive composite structure in many engineering fields, its interface bonding state detection is more and more significant to avoid catastrophic accidents. However, this task still faces challenges due to the complexity of the bonding interface. In this paper, the concept of nonlinear output frequency response functions (NOFRFs) is introduced to detect the bonding state of explosive composite structure. The NOFRFs can describe the nonlinear characteristics of nonlinear vibrating system. Because of the presence of the bonding interface, explosive composite structure itself is a nonlinear system; when bonding interface of the structure is damaged, its dynamic characteristics show enhanced nonlinear characteristic. Therefore, the NOFRFs-based detection index is proposed as indicator to detect the bonding state of explosive composite pipes. The experimental results verify the effectiveness of the detection approach.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.8
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pp.700-704
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2003
This paper describes on characteristics of 2" 3C-SiC wafer bonding using PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) oxide and HF (hydrofluoride acid) for SiCOI (SiC-on-Insulator) structures and MEMS (micro-electro-mechanical system) applications. In this work, insulator layers were formed on a heteroepitaxial 3C-SiC film grown on a Si (001) wafer by thermal wet oxidation and PECVD process, successively. The pre-bonding of two polished PECVD oxide layers made the surface activation in HF and bonded under applied pressure. The bonding characteristics were evaluated by the effect of HF concentration used in the surface treatment on the roughness of the oxide and pre-bonding strength. Hydrophilic character of the oxidized 3C-SiC film surface was investigated by ATR-FTIR (attenuated total reflection Fourier transformed infrared spectroscopy). The root-mean-square suface roughness of the oxidized SiC layers was measured by AFM (atomic force microscope). The strength of the bond was measured by tensile strength meter. The bonded interface was also analyzed by IR camera and SEM (scanning electron microscope), and there are no bubbles or cavities in the bonding interface. The bonding strength initially increases with increasing HF concentration and reaches the maximum value at 2.0 % and then decreases. These results indicate that the 3C-SiC wafer direct bonding technique will offers significant advantages in the harsh MEMS applications.ions.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.33A
no.2
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pp.148-162
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1996
Bonding wires for high frequency device packaging have dominant parasitic inductances which limit the performance of semiconductor lasers. In this paper, the inductance sof bonding wires are claculated by the method of moments with incorporation of ohmic loss, and the wideband modulation characteristics are analyzed for ddifferent wire lengths and structures. We observed the modulation bandwidth for 1mm-length bonding wire lengths and structures. We observed the modulation bandwidth for 1mm-length bonding wire is 7 GHz wider than that for 2mm-length bonding wire. We also observed th estatic inductance calculation results in dispersive deviation of the parasitic inductance and the modulation characteristics from the wideband moment methods calculations. The angled bonding wire has much less parasitic inductance and improves the modulation bandwidth more than 6 GHz. This calculation resutls an be widely used for designing and packaging of high-speed semiconductor device.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.11a
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pp.387-390
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2002
SiC direct bonding technology is very attractive for both SiCOI(SiC-on-insulator) electric devices and SiC-MEMS(micro electro mechanical system) fields because of its application possibility in harsh environments. This paper presents pre-bonding techniques with variation of HF pre-treatment conditions for 2 inch SiC wafer direct bonding using PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) oxide. The PECVD oxide was characterized by XPS(X-ray photoelectron spectrometer) and AFM(atomic force microscopy). The characteristics of the bonded sample were measured under different bonding conditions of HF concentration and an applied pressure. The bonding strength was evaluated by the tensile strength method. The bonded interface was analyzed by using IR camera and SEM(scanning electron microscope). Components existed in the interlayer were analyzed by using FT-IR(fourier transform infrared spectroscopy). The bonding strength was varied with HF pre-treatment conditions before the pre-bonding in the range of $5.3 kgf/cm^2$ to $15.5 kgf/cm^2$
Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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v.8
no.3
s.22
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pp.51-55
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2005
In this paper, a near net shape technology using superplasticity and diffusion bonding characteristics was presented for application to various components of aircraft and missiles. Due to these special characteristics of some aerospace alloys, it is possible to produce complex components to shape very near final dimension with enhanced design freedom, reduced material usage, and overall saving of weight and cost. The high pressure vessel for a space launcher was fabricated with Ti-6Al-4V alloy by superplastic forming and diffusion bonding process and the failure characteristics are compared with conventionally fabricated vessel spin formed and TIG welded. The structural integrity of the superplastic forming and diffusion bonding process was successfully demonstrated.
International Journal of Advanced Culture Technology
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v.8
no.2
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pp.246-251
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2020
Dimethyl Ether(DME) engine use a highly efficient alternative fuel having a great quantity of oxygen and has a advantage no polluting PM gas. The existing DME fuel cam material is a highly expensive carbide alloy, and it is difficult to take a price advantage. Therefore the study of replacing body area with inexpensive steel material excluding piston shoe and contact area which demands high characteristics is needed. The development of WC-Ni base carbide alloy optimal bonding composition technique was accomplished in this study. To check out the influence of bonding temperature and time, bonding characteristics of sintering temperature was experimented. The hardness of specimen and bonding rate were measured using ultrasound equipment. The bonding state of each condition was excellent, and the thickness of mid-layer, temperature and maintaining time were measured. The mid-layer thickness according to bonding temperature and maintaining time were observed with optical microscope. We analyzed the micro-structural analysis, formation of bonding specimen, wafer fabrication and fuel cam abrasion test. Throughout this study, we confirmed that the fuel cam for DME engine which demands high durability against velocity and pressure is excellent.
Ag and Cu powders were mechanically alloyed using high-energy planetary milling to evaluate the sinter-bonding characteristics of a die-attach paste containing particles of these two representative conductive metals mixed at atomic scale. This resulted in the formation of completely alloyed Ag-40Cu particles of 9.5 ㎛ average size after 3 h. The alloyed particles exhibited antioxidation properties during heating to 225℃ in air; the combination of high pressure and long bonding time at 225℃ enhanced the shear strength of the chip bonded using the particles. Consequently, the chips sinter-bonded at 225℃ and 10 MPa for 10 min exhibited a sufficient strength of 15.3 MPa. However, an increase in bonding temperature to 250℃ was detrimental to the strength, due to excessive oxidation of the alloyed particles. The mechanically alloyed phase in the particle began to decompose into nanoscale Ag and Cu phases above a bonding temperature of 225℃ during heating.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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