• 대한전자공학회논문지
• /
• 제23권1호
• /
• pp.10-19
• /
• 1986

This is the last part of the four-part describing the development of a packet-switched computer communication network named the KORNET. In this paper we describe the design and implementation of the packet assembler/dissassembler (PAD) protocol for the asynchronous channel service, and of the network management softwares. The line processing module-B(LPMB) system supporting the asynchronous line includes a PAD protocol, a packet mode DTE/DCE protocol converting to the X.25 protocol, and the asynchronous receiver/transmitter(ART) software. The network management software is operated in master central processing module(MCPM) which includes virtual circuit management (VCM) managing the user channel, the routing management and the high level protocol for communication between the network management center (NMC) and the network node processor(NNP). In this paper, the design, implementation and operation of the softwares for the above service functions will be described in detail.

• 한국항해항만학회지
• /
• 제37권3호
• /
• pp.275-281
• /
• 2013

선박표준 네트워크는 2005년 IMO MSC 제 81차 회의에서 e-navigation을 공동 의제로 제출되었다. 2006년 MSC 81의 WG 프로그램으로 승인된 후 2008년까지 e-navigation 구현전략을 수립하기로 결정됨으로써 선박 네트워크의 표준화 작업은 본격화되었다. 이는 선박의 안전 항해 뿐 아니라 400여종의 이기종 항해통신장비 및 기관 장비를 탑재하는 선박에서의 효율적인 정보 교환을 지원하기 위한 것이기도 하다. 그 가운데 4S 네트워크는 육상과 선박, 선박과 선박사이의 무선통신을 말하며 선박과 육상 간 통신채널을 항상 연결하도록 해주는 기본이 된다. 4S 네트워크는 이를 기반으로 다양한 서비스를 제공할 수 있는 많은 활용 분야가 존재하기 때문에 향후 e-navigation이 적용되면 다양한 시장 창출이 가능할 것으로 보이나 현재 이에 대한 구체적인 기반 기술 연구나 시제품 개발은 전무한 상태이다. 본 논문에서는 육해상간 효율적이고 저렴한 통신환경을 제공하도록 하는 4S 다중매체 스위칭 서버와 육해상 정보교환 시스템을 개발하고, 구현한 시스템의 성능을 TTA(Telecommunications Technology Association) V&V(Verification and Validation) 인증을 통해 확인하였다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제29권1B호
• /
• pp.1-7
• /
• 2004

최근 인터넷 사용자 수의 증가와 게임, 뉴스, 분산컴퓨팅, 화상회의, 실시간 오디오, 비디오 등의 새로운 응용 트래픽의 등장으로 각 응용의 요구 대역폭이 증가하게 되었다. 이러한 요구에 파장 단위의 전송이 제시되었지만 파장의 한계성이 존재하므로 본 논문에서는 파장 단위의 Time slot을 적용한 빠른 스케줄링 알고리즘을 제안하였다. 이 알고리즘은 일반적인 파장 스위칭 기능과 시간분할전송 기능을 포함한 복합 구조의 광 교환기의 형태를 나타낸다. 제안한 OXC(Optical Cross Connect) 구조의 성능 평가는 패킷의 종류에 따른 구분을 위해 LFS(Limit Frame Size)와 VFS(Variable Frame Size)를 정의하였다. 임계값 이내에서는 두개의 프레임 구조가 유사하게 나타나지만 임계값의 초과 시에는 현저한 차이가 있음을 알 수 있었다. 이러한 구조의 광 교환기는 노드가 증가함에 따라 발생하는 프레임들의 충돌을 감소시킴은 물론 망의 확장성을 보장 할 수 있는 장점을 가지고 있다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제13권2호
• /
• pp.73-77
• /
• 2012

Operation of liquid crystal displays (LCDs) can be improved by monolithic integration of the pixel transistors with light emitting diodes (LEDs) on a single substrate. Conventional LCDs make use of filters to control the backlighting which reduces the overall efficiency. These LCDs also utilize LEDs in series which impose failure and they require high voltage for operation with a power factor correction. The screen of small hand-held devices can operate from moderate brightness. Therefore, III-V nanowires that are grown along with transistors over Silicon substrates can be utilized. Control of nanowire LEDs with nanowire transistors will significantly lower the cost, increase the efficiency, improve the manufacturing yield and simplify the structure of the small displays that are used in portable devices. The steps to grow nanowires on Silicon substrates are described. The vertical n-type and p-type nanowire transistors with surrounding gate structures are characterized. While biased at 0.5 V, nanowire transistors with minimum radius or channel width have an OFF current which is less than 1pA, an ON current more than 1 ${\mu}A$, a total delay less than 10 ps and a transconductance gain of more than 10 ${\mu}A/V$. The low power and fast switching characteristics of the nanowire transistor make them an ideal choice for the realization of future displays of portable devices with long battery lifetime.

• ETRI Journal
• /
• 제36권2호
• /
• pp.214-223
• /
• 2014

A fully-integrated penta-band reconfigurable power amplifier (PA) is developed for handset Tx applications. The output structure of the proposed PA is composed of the fixed output matching network, power and frequency reconfigurable networks, and post-PA distribution switches. In this work, a new reconfiguration technique is proposed for a specific band requiring power and frequency reconfiguration simultaneously. The design parameters for the proposed reconfiguration are newly derived and applied to the PA. To reduce the module size, the switches of reconfigurable output networks and post-PA switches are integrated into a single IC using a $0.18{\mu}m$ silicon-on-insulator CMOS process, and a compact size of $5mm{\times}5mm$ is thus achieved. The fabricated W-CDMA PA module shows adjacent channel leakage ratios better than -39 dBc up to the rated linear power and power-added efficiencies of higher than around 38% at the maximum linear output power over all the bands. Efficiency degradation is limited to 2.5% to 3% compared to the single-band reference PA.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제14권5호
• /
• pp.235-241
• /
• 2013

A low power CMOS control circuit is applied in an integrated DC-DC buck converter. The integrated converter is composed of a feedback control circuit and power block with 0.35 ${\mu}m$ CMOS process. A current-sensing circuit is integrated with the sense-FET method in the control circuit. In the current-sensing circuit, a current-mirror is used for a voltage follower in order to reduce power consumption with a smaller chip-size. The N-channel MOS acts as a switching device in the current-sensing circuit where the sensing FET is in parallel with the power MOSFET. The amplifier and comparator are designed to obtain a high gain and a fast transient time. The converter offers well-controlled output and accurately sensed inductor current. Simulation work shows that the current-sensing circuit is operated with an accuracy of higher than 90% and the transient time of the error amplifier is controlled within $75{\mu}sec$. The sensing current is in the range of a few hundred ${\mu}A$ at a frequency of 0.6~2 MHz and an input voltage of 3~5 V. The output voltage is obtained as expected with the ripple ratio within 1%.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제14권2호
• /
• pp.163-168
• /
• 2014

Bottom gate thin-film transistors were fabricated using solution processed IGZO channel layers with various gallium composition ratios that were annealed on a hot plate. Increasing the gallium ratio from 0.1 to 0.6 induced a threshold voltage shift in the electrical characteristics, whereas the molar ratio of In:Zn was fixed to 1:1. Among the devices, the IGZO-TFTs with gallium ratios of 0.4 and 0.5 exhibited suitable switching characteristics with low off-current and low SS values. The IGZO-TFTs prepared from IGZO films with a gallium ratio of 0.4 showed a mobility, on/off current ratio, threshold voltage, and subthreshold swing value of $0.1135cm^2/V{\cdot}s$, ${\sim}10^6$, 0.8 V, and 0.69 V/dec, respectively. IGZO-TFTs annealed at $300^{\circ}C$, $350^{\circ}C$, and $400^{\circ}C$ were also fabricated. Annealing at lower temperatures induced a positive shift in the threshold voltage and produced inferior electrical properties.

• 한국ITS학회 논문지
• /
• 제10권2호
• /
• pp.103-111
• /
• 2011

최근 메쉬 네트워크는 다양한 분야에서 사용되고 있다. 그러나 메쉬 네트워크는 무선 전송의 특성으로 인한 제한적인 대역폭을 제공하며, 특히 단일 채널로 구성된 메쉬 네트워크의 경우 다중 홉 전송 시 전송률 저하 문제 등이 발생한다. 이러한 문제를 해결하고 QoS(Quality of Service)를 제공하기 위해 다양한 라우팅방식이 제안되어 왔다. 본 논문에서는 MPLS(Multi Protocol Label Switching)를 적용하여 QoS를 제공하는 MPLS 메쉬 네트워크 구조를 제안한다. MPLS를 적용한 메쉬 네트워크를 통해 하부 QoS 제공방식과 무관하게 상위 응용계층에서의 경로관리가 용이해지며 트래픽관리가 용이해진다. 본 논문에서는 IEEE 802.11e 표준을 적용하여 트래픽에 대한 차별적인 서비스를 제공하도록 MPLS 적용 메쉬 라우터를 설계하고, 구현 및 실험을 통하여 동작을 검증하였다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제13권3호
• /
• pp.239-254
• /
• 1988

현대 통신에서 혼신방지및 보안유지를 위한 방법으로 ECCM기법이 개발되었다. 주파수 도약방식은 이러한 기법중의 하나이며 RF변조된 신호를 일정한 대역폭내에서 빠르게 움직여 신호의 추적을 어렵게 만드는 방법이다. 본 논문에서는 1.25MHz-800Hz의 FM변조된 기준 신호와 LO(Local Oscillator)에 의해 30-80MHz의 FM출력을 얻을 수 있는 PLL-Exciter를 구성하였다. Exciter의 LO로는 42.5-100.5 MHz에서 도약시킬 수 있는 주파수 합성기를 사용하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
• /
• pp.186-189
• /
• 2006

The flexible organic thin film transistor (OTFT) array to use as a switching device for an organic light emitting diode (OLED) was designed and fabricated in the microcontact printing and room temperature process. The gate, source, and drain electrode patterns of OTFT were fabricated by microcontact printing process. The OTFT array with dielectric layer and organic active semiconductor layer formed at room temperature or at a temperature lower than $40^{\circ}C$. The microcontact printing process using SAM and PDMS stamp made it possible to fabricate OTFT arrays with channel lengths down to even submicron size, and reduced the fabrication process by 10 steps compared with photolithography. Since the process was done in room temperature, there was no pattern shrinkage, transformation, and bending problem appeared. Also, it was possible to improve electric field mobility, to decrease contact resistance, to increase close packing of molecules by SAM, and to reduce threshold voltage by using a big dielectric.