• 제목/요약/키워드: Chang-ga

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$\textrm{MgAl}_{2}\textrm{O}_{4}$ 기판위에 GaN의 Hydride Vapor Phase Epitaxy성장과 특성 (Growth and Properties of GaN on $\textrm{MgAl}_{2}\textrm{O}_{4}$ Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy Method)

  • 이영주;김선태;김배용;홍창희
    • 한국재료학회지
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    • 제7권8호
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    • pp.707-713
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    • 1997

  • HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법으로 (111)MgAI$_{2}$ $O_{4}$기판위에 GaN 후막을 성장하였다. GaN를 성장하기 전에 기판에 표면을 GaCI로 처리한 수 성장하였을 때 이중 X선 회절 피크의 반치폭이 710 arcsec로서 N $H_{3}$로 처리한 후 성장한 GaN에 비하여 작았으며, 무색 투명의 경면상태가 얻어\ulcorner다. 113$0^{\circ}C$의 온도에서 성장한 GaN 의 광루미네센스(PL)특성과 동일하게 나타났다. 10K의 온도에서 측정된 PL 스펙트럼은 자유여기자와 속박여기자의 재결합천이에 의한 피크들과 Mg과 관련된 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합 및 이의 1LO, 2LO, 3LO 및 4 LO 포논복제에 의한 피크들이 나타났다. 성장된 GaN는 n형의 전도성을나타내었으며, 캐리어 이동도와 농도는 각각 21.3$\textrm{cm}^2$/V ㆍsec와 4.2 x $10^{18}$$cm^{-3}$이었다.

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Photoreflectance Spectroscopy of GaAs Single Junction Solar Cell

  • 한임식;손창원;이승현;하재두;이상조;;김종수;이상준;노삼규;박동우;김진수;최현광;임재영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.429-429
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    • 2012

  • 본 연구에서는 분자선 박막 성장법(MBE)으로 성장된 GaAs single junction solar cell의 광학적 특성 변화를 photoreflectance (PR)을 이용하여 연구하였다. 본 연구에 사용된 태양전지 구조는 n+-GaAs (100)기판 위에 n+-GaAs buffer를 200 nm 성장 후 그 위에 i-GaAs 250 nm와 p+-GaAs 200 nm 성장 하였다. 상온에서 PR 측정 결과, 변조빔 세기가 증가할수록 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 주파수가 증가하는 현상이 관측되었다. 이는 변조빔의 세기가 강해질수록 광케리어수의 증가로 인한 스크리닝 효과에 기인한 것으로 사료된다. 아울러 Fast Fourier transform (FFT) 결과, 변조빔의 세기가 약할 때는 세 개의 주된 피크가 나타났으며, 이러한 현상은 GaAs에서 가전자대의 heavy hole (HH)과 light hole (LH)의 전이로 인해 나타나는 FKO 신호가 중첩되어 HH과 LH 피크가 HH과 HH-,LH과 LH-로 나뉘어진 것으로 사료된다. 여기광의 세기가 $1.40mW/cm^2$ 이상일 때는 주된 세 개 피크 이외에 부가적인 피크가 상대적으로 고 주파수 영역에서 관측되었다. 이러한 고주파수 영역에서의 나타나는 FKO 주파수는 시료의 내부전기장이 여기광의 세기가 증가할수록 감소하는 결과로 사료된다.

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MOCVD of GaN Films on Si Substrates Using a New Single Precursor

  • Song, Seon-Mi;Lee, Sun-Sook;Yu, Seung-Ho;Chung, Taek-Mo;Kim, Chang-Gyoun;Lee, Soon-Bo;Kim, Yun-Soo
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제24권7호
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    • pp.953-956
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    • 2003

  • Hexagonal GaN (h-GaN) films have been grown on Si(111) substrates by metal organic chemical vapor deposition using the azidodiethylgallium methylamine adduct, Et₂Ga(N₃)·NH₂Me, as a new single precursor. Deposition was carried out in the substrate temperature range 385-650 °C. The GaN films obtained were stoichiometric and did not contain any appreciable amounts of carbon impurities. It was also found that the GaN films deposited on Si(111) had the [0001] preferred orientation. The photoluminescence spectrum of a GaN film showed a band edge emission peak characteristic of h-GaN at 378 nm.

  • https://doi.org/10.5012/bkcs.2003.24.7.953 인용 PDF KSCI

혼합소스 HVPE에 의해 성장된 In(Al)GaN 층의 특성 (Characterization of In(Al)GaN layer grown by mixed-source hydride vapor phase epitaxy)

  • 황선령;김경화;장근숙;전헌수;최원진;장지호;김홍승;양민;안형수;배종성;김석환
    • 한국결정성장학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.157-161
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    • 2006

  • 혼합소스 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법을 이용하여 InGaN 층을 GaN 층이 성장된 사파이어 (0001) 기판 위에 성장하였다. InGaN 층을 성장하기 위해 금속 In에 Ga을 혼합하여 III족 소스로 이용하였으며 V족 소스로는 $NH_3$를 이용하였다. InGaN층은 금속 In에 Ga을 혼합한 소스와 HCl을 흘려 반응한 In-Ga 염화물이 다시 $NH_3$와 반응하도록 하여 성장하였다. XPS 측정을 통해 혼합소스 HVPE 방법으로 성장한 층이 InGaN 층임을 확인할 수 있었다. 선택 성장된 InGaN 층의 In 조성비는 PL과 CL을 통해서 분석하였다. 그 결과 In 조성비는 약 3%로 평가되었다. 또한, 4원 화합물인 InAlGaN 층을 성장하기 위해 In 금속에 Ga과 Al을 혼합하여 III족 소스로 사용하였다. 본 논문에서는 혼합소스 HVPE 방법에 의해 III족 소스물질로 금속 In에 Ga(Al)을 혼합한 소스를 이용하여 In(Al)GaN층을 성장할 수 있음을 확인할 수 있었다.

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