• Title/Summary/Keyword: CdS 센서

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CBD 방법에 의한 $CdS_{1-x}Se_{x}$ 박막의 열처리에 따른 광전기적 특성 (Study on Growth and Opto-Electrical Characterization of $CdS_{1-x}Se_{x}$ Thin Film using Chemical Bath Deposition Method)

  • 홍광준;최승평;이상열;유상하;신용진;이관교;서상석;김혜숙;윤은희;김승욱;신영진;정태수;신현길;김태성;문종대;전승룡
    • 센서학회지
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    • 제4권1호
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    • pp.51-63
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    • 1995
  • Chemical bath deposition 방법으로 다결정 $CdS_{1-x}Se_{x}$ 박막을 세라믹 기판 위에 성장시킨 다음 온도를 변화시켜 열처리하고 X-선 회질 무늬를 측정하여 결정 구조를 밝혔다. $550^{\circ}C$로 열처리한 시료의 X-선 회절 무늬로부터 외삽법으로 구한 격자 상수는 CdS의 경우 $a_{0}=4.1364{\AA}$, $c_{0}=6.7129{\AA}$ 였으며 CdSe인 경우는 $a_{0}=4.3021{\AA}$, $c_{0}=7.0142{\AA}$ 였다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도와 이동도의 온도 의존성을 연구하였다. 광전도 셀의 특성으로 스펙트럼 응답, 감도(${\gamma}$), 최대 허용 소비전격 및 응답시간을 측정하였다.

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II-VI족 화합물 반도체의 결정성장 및 센서 개발에 관한 연구 (Crystal Growth Sensor Development of II-VI Compound Semiconductor : CdS)

  • D.I. Yang;Y.J. Shin;S.Y. Lim;Y.D. Choi
    • 한국진공학회지
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    • 제1권1호
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    • pp.126-133
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    • 1992
  • E-Beam 기법을 이용하여 증착시킨 Ag doped CdS 박막은 육방정계이고 공기, Ar 분위기에서 $^550{\circ}C$로 열처리한 결과 grain size가 1$mu extrm{m}$ 정도로 성장되었고, Van Der Pauw 방법으로 구한 Hall data로부터 CdS crystal은 n형 반도체이고 상온에서의 carrier 농 도는 2.7 $\times$ 1011cm-3이고 Hall mobility는 5.8 $\times$ 102cm2V-1sec-1정도임을 알 수 있었다. CdS : Ag 박막의 PL spectra는 Gaussian curve를 보여주었고, spectra peak는 파장이 520nm 근처에 위치하고 있으며, CdS : Ag 박막에서의 광전류(pc)와 암전류(dc)의 ratio(pc/dc)는 공기 중에서 열처리한 시료의 값이 크다는 것을 알 수 있었다.

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CdS 센서를 이용한 액정 광변조 X-선 검출 시스템 개발 (Development of Liquid Crystal Optic Modulation Based X-ray Dosimeter by Using CdS Sensor)

  • 노시철;강상식;정봉재;최일홍;김현희;조창훈;박준홍;박지군
    • 한국방사선학회논문지
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    • 제5권6호
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    • pp.357-361
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    • 2011
  • 본 연구에서는 II-IV 족 화합물 반도체인 CdS를 이용한 액정광변조 방식의 X-ray 검출 시스템을 제안하였다. 제안된 시스템은 검출부, 신호처리부, 액정 구동 및 투과량 측정부, 마이크로컨트롤러부, 입출력부로 구성되었으며, 소형화 및 휴대형에 적합하게 제작되었다. 또한, 검출 범위 선택을 통하여 광범위한 조건에서 측정이 가능하도록 구성하였다. 제안된 시스템의 성능을 평가하기 위하여 조사선량 변화에 따른 CdS 센서의 출력 특성을 확인하였으며, 우수한 상관관계를 확인할 수 있었다. 또한, 인가전압에 따른 액정의 변화를 관찰하여 인가 전압에 따른 광투과율을 측정하였으며, 높은 상관관계와 우수한 재현성을 확인할 수 있었다. 이러한 결과를 통하여 본 연구에서 제안된 액정 광변조 방식의 특징인 우수한 재현성과 노이즈 내성 특성을 확인할 수 있었으며, 본 연구를 통하여 제안된 CdS 셀 기반 광변조 방식의 휴대형 X선 검출 시스템이 소형, 저가형, 휴대형 시스템으로 적용이 가능할 것으로 판단되었다.

$O_2$ 플라즈마 전처리조건에 따른 폴리머 기판에 증착된 CdS 박막의 특성변화 (Effect of $O_2$ Plasma Treatment on the Properties of CdS films Fabricated on the Polymer Substrate)

  • 김정호;박승범;정태환;김병국;송우창;박재환;임동건
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.76-77
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    • 2009
  • CdS 박막은 에너지 밴드갭이 상온에서 2.42 eV인 직접 천이헝 반도체로써 태양전지 및 광전도 셀과 광센서 등에 널리 사용되고 있다. 본 논문에서는 유연성을 가지고 있는 PC, PET, PEN등 폴리머 기판을 $O_2$ 플라즈마를 사용하고 RF Power 100W, 공정시간 60~1200s의 조건에서 전처리하고, 이 기판을 CBD법을 이용하여 CdS 박막을 증착시켰다. 폴리머 기판의 결정립크기는 180s의 처리시간 부터 증가를 보였으며, 전기적 특성은 60s 와 180s에서 이동도와 비저항이 반비례하는 경향성을 나타내었고 광투과율은 처리시간에 따른 뚜렷한 변화를 보이지 않았다.

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$Cd_{1-x}Zn_{x}S$ 박막의 성장과 광전도 특성 (Growth of Thin Film using Chemical Bath Deposition Method and Their Photoconductive Characterics)

  • 이상열;홍광준;유상하;신용진;이관교;서상석;김혜숙;윤은희;김승욱;박향숙;신영진;정태수;신현길;김태성;문종대;이충일;전승룡
    • 센서학회지
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    • 제4권3호
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    • pp.60-70
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    • 1995
  • Chemical bath deposition(C.B.D.)방법으로 다결정 $Cd_{1-x}Zn_{x}S$ 박막을 스라이드 유리(coming-2948) 기판위에 성장시켜 열처리하고 X-선 회절무늬를 측정하여 결정구조를 밝혔다. $550^{\circ}C$$N_{2}$ 속에서 열처리한 시료의 X-선 회절무늬로부터 외삽법으로 구한 격자상수는 CdS인 경우 $a_{0}\;=\;4.1364{\AA}$, $c_{0}\;=\;6.7129{\AA}$였으며 ZnS인 경우는 $a_{0}\;=\;3.8062{\AA}$, $c_{0}\;=\;6.2681{\AA}$였다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도와 이동도의 온도 의존성을 연구하였다. 광전도 셀의 특성으로 스펙트럼응답 감도, 최대허용소비전력 및 응답시간을 측정하였다.

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조도센서(CdS)를 활용한 IR레이저 초점정합 알고리즘 설계 및 구현 (Design and Implementation of IR Laser Focus Alignment Algorithms Using CdS)

  • 임지용;김관형;신동석;김명호;전재환;오암석
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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    • pp.499-500
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    • 2014
  • 화재발생 시 인명 안전을 위하여 초기의 화재감지가 매우 중요한 요인이다. 특히 도로터널, 지하철역사 등 광범위 폐쇄공간에서 연기에 의한 질식사 등 2차 피해의 발생위험이 높다. 이에 최근 광범위 공간에서 적외선 레이저를 활용한 원거리 연기검출 화재탐지기에 대한 연구가 진행되고 있다. 이러한 레이저 기반 원거리 연기검출장치는 이격(100m 이상) 설치되는 레이저 발신기와 수신기의 레이저 포인트가 정확히 정합되어야 한다. 아울러, 레이저 발신기와 수신기 사이의 거리에 비례하여 레이저 초점의 이동거리가 매우 민감하게 변화하므로 이를 정확히 정합하기 위한 고정밀 제어장치가 필요하다. 따라서 본 논문에서는 복수개의 레이저 발신모듈과 복수개의 조도센서(CdS)를 통해 초점의 정합을 자동 추적할 수 있는 알고리즘을 설계, 구현하였다. 이는 초기 레이저 초점의 설정과 이후 외부환경에 따른 초점의 틀어짐을 자동 보정하여 다양한 레이저 인식 장치에 적용될 것으로 사료된다.

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광전도체의 CdS 단결정 성장과 물리적 특성 (Growth of CdS Single Crystal as Photoconductor and Its Physical Characteristics)

  • 정태수;유평열;신영진;신현길;김택성;정철훈;이훈;신영신;홍광준;유기수
    • 센서학회지
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    • 제2권1호
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    • pp.109-115
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    • 1993
  • 승화방법으로 광전도체의 CdS 단결정을 성장하였고 외삽법으로 구한 $a_{o}$$c_{o}$의 격자상수 값은 각각 $4.131{\underline{8}}{\AA}$$6.712{\underline{2}}{\AA}$임을 알았다. Hall 측정값으로 부터 상온에서의 CdS 단결정의 운반자 농도와 이동도는 각각${\sim}10^{23}m^{-3}$$2.93{\times}10^{-2}m^{2}$/V sec이였으며 온도에 따른 이동도 변화는 33 K에서 150 K까지는 $T^{1/2}$에 따라 증가하는 경향이 있고 180 K에서 상온까지는 $T^{-2}$에 따라 감소한 경향이 나타났다. 광전류 측정으로부터 나타난 단파장대의 봉우리는 진성전이에 기인하는 봉우리였으며 이 봉우리의 에너지 값은 CdS 광전도체에 에너지 밴드 갭과 동일한 값을 나타냄을 알았다.

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Morphology of CD4+ T Lymphocytes Bound on Nano-Patterened Substrates for Sensing the Size of Nanoholes

  • Kim, Dong-Joo;Kim, Gil-Sung;Woo, Yong-Deuck;Lee, Sang-Kwon
    • 센서학회지
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    • 제22권3호
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    • pp.185-190
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    • 2013
  • We report on direct finding of how the morphology (i.e. filopodia width) of $CD4^+$ T lymphocytes correlates with the size of the quartz nanohohole arrays (QNHAs, 140, 200, 270, and 550 nm in diameter) via scanning electron microscopy (SEM). This research exhibits that the filopodia of $CD4^+$ T-lymphocytes extended on the QNHA substrates were observed to increase in width by increasing the size of QNHA in diameter from 140 to 550 nm. This strong linear response ($R^2$=0.988, n = 6) in filopodia's width of surface-bound $CD4^+$ T-cells with topographical structures of QNHA can be explained by contact guidance between the cells and solid-state substrates. Furthermore, this research suggests that the protruded filopodia of surface-bound T-lymphocytes can be used as a biosensor for sensing the topographical information of the nano-patterned substrates.

High Performance of SWIR HgCdTe Photovoltaic Detector Passivated by ZnS

  • ;안세영;서상희;김진상
    • 센서학회지
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    • 제13권2호
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    • pp.128-132
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    • 2004
  • Short wave infrared (SWIR) photovoltaic devices have been fabricated from metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) grown n- on p- HgCdTe films on GaAs substrates. The MOVPE grown films were processed into mesa type discrete devices with wet chemical etching employed for meas delineation and ZnS surface passivatlon. ZnS was thermally evaporated from effusion cell in an ultra high vacuum (UHV) chamber. The main features of the ZnS deposited from effusion cell in UHV chamber are low fixed surface charge density, and small hysteresis. It was found that a negative flat band voltage with -0.6 V has been obtained for Metal Insulator Semiconductor (MIS) capacitor which was evaporated at $910^{\circ}C$ for 90 min. Current-Voltage (I-V) and temperature dependence of the I-V characteristics were measured in the temperature range 80 - 300 K. The Zero bias dynamic resistance-area product ($R_{0}A$) was about $7500{\Omega}-cm^{2}$ at room temperature. The physical mechanisms that dominate dark current properties in the HgCdTe photodiodes are examined by the dependence of the $R_{0}A$ product upon reciprocal temperature. From theoretical considerations and known current expressions for thermal and tunnelling process, the device is shown to be diffusion limited up to 180 K and g-r limited at temperature below this.

시각장애인의 사고예방을 위한 다기능 보행 보조 장치 (Walking Assistance Device for Prevention of Accidents of Visually Impaired People)

  • 심재만;이형욱;신주용;김기원;한영오
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제14권6호
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    • pp.1241-1248
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    • 2019
  • 본 논문에서는 시각장애인들이 보행 시 장애물이나 위험요소로부터 보다 안전하게 보행 할 수 있도록 보조장치를 구현하였다. 초음파 센서를 통해 전방에 있는 장애물을 감지하여 거리별, 각도별로 부저의 소리의 간격과 진동의 세기를 다르게 울리도록 했으며 그에 따라 보행자가 상황을 인지할 수 있게 설계하였다. 조도 센서의 CdS 저항값을 이용해 설정해놓은 빛의 밝기보다 주변이 어두워 졌을 시 LED가 자동 점등 되어 주변 보행자들이 시각장애인을 쉽게 인식할 수 있게 하였으며, 또한 자이로 센서의 기울기를 이용해 보행자가 보조 장치를 놓쳤을 시 부저를 통하여 보조 장치의 위치를 인식할 수 있게 하였다. 그리고 GPS와 블루투스를 이용하여 시각장애인의 위치 및 상황을 보호자에게 전송하여 안전보행을 확인할 수 있게 구현하였다.