• Journal of Electrochemical Science and Technology
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• 제5권4호
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• pp.115-127
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• 2014

Cd-Pb thin films were electrodeposited from a diluted chloride solution using stainless steel rotating disc electrode. The linear sweep voltammograms of the single metallic ions show that electrodeposition of these ions was mass transfer control due to the plateau observed for different rotations at concentration (50 and 200 ppm). The voltammograms of binary system elucidate that electrodeposition process always start at cathodic potential located between the potential of individual metals. Currents transients measurements, anodic linear sweep voltammetry (ALSV) and atomic force microscopy (AFM) were used to characterize the electrocryatalization process and morphology of thin films. ALSV profiles show a differentiation for the dissolution process of individual metals and binary system. Two peaks of dissolution Cd-Pb film were observed for the binary system with different metal ion concentration ratios. The model of Scharifker and Hills was used to analyze the current transients and it revealed that Cd-Pb electrocrystalization processes at low concentration is governed by three-dimensional progressive nucleation controlled by diffusion, while at higher concentration starts as a progressive nucleation then switch to instantaneous nucleation process. AFM images reveal that Cd-Pb film electrodeposited at low concentration is more roughness than Cd-Pb film electrodeposited at high concentrated solution.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제9권2호
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• pp.117-123
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• 2009

$Pb_{x}Cd_{1-x}S$ films are prepared in the composition range of 0.05${\leq}x{\leq}$0.25, using a chemical bath deposition growth technique under optimum conditions amide at realizing good photo response. The x-ray diffraction results show that the films are of PbS-CdS composite with individual CdS and PbS planes. The films exhibit two direct band gaps, 2.4 eV attributed to CdS, while the other varies continuously from 2.4 eV to 1.3 eV. The films surface morphology is smooth with crystallite, whose grain size increases with increasing mole fraction (x). The decrease in band gap with increase in lead concentration suggests inter-metallic compound of PbS (Eg=0.41 eV) with CdS (Eg=2.4 eV)

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.149-150
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• 2000

Lead-doped calcium sulfide(CaS:Pb) thin film electroluminescent devices were deposited using atomic layer deposition(ALD). CaS:Pb is a very promising blue phosphor showing very high luminance and the color coordinate close to the blue of cathode ray tube. The luminance, $L_{25}$, of CaS:Pb(1.6 mol.%) EL device was higher than 80 $cd/cm^2$ at a driving frequency of 60Hz. The color coordinates of blue EL emission of CaS:Pb deposited by ALD are consistent with the Pb concentration ranging from approximately 0.5 to 3 mol.%.

• 한국진공학회지
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• 제15권4호
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• pp.367-373
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• 2006

비스무스의 녹는점보다 3 도 낮은 온도인 $268^{\circ}C$에서 후열처리를 하여 비스무스 박막에서 자기저항의 큰 증가를 관측하였다. 레드텔러라이드 / 케드뮴텔러라이드 기판 위에서는 온도 5 K, 자기장 5T 하에서 190 에서 260으로, 마이카 기판 위에서는 620 에서 120 으로 자기저항의 큰 증가를 나타내었다. 이러한 자기저항의 큰 증가는, 열처리에 따른 결정도의 향상에 기인한 것으로 보인다. 하지만 일정 시간 이상의 오랜 시간의 열처리는 자기저항을 감소시키는 것으로 관측되었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권2호
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• pp.130-137
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• 1994

Indium, element of group III, was refined by using zone refining for high purity refinement. We have found the impurities of T1, Zn, Fe, Cd, Pb, Ni, Cu, Sn in the refined indium with ICP-AES, so that 3.9 weight ppm of T1 was reduced to less than 1 ppm, 1.0 weight ppm of Zn was reduced to 0.7 ppm, 2.8 weight ppm of Cd was reduced to 2.5 ppm and 14.0 weight ppm of Sn was reduced to 6.7 ppm with 5 melten zone passes only. 3.9 weight ppm of T1 was reduced to less than 1 ppm, 1.0 weight ppm of Zn was reduced to 0.3 ppm, 2.8 weight ppm of Cd was reduced to less than 1.0 ppm and 14.0 weight ppm of Sn was reduced to 0.4 ppm after vacuum baking with 5 melten zone passes. The surface morpholgy of metal Indium thin film in each conditions showed that porosities were reduced in the front of sampled ingot after vacuum baking with 5 zone melten zone passes. The average electrical resistivity of Indium thin film was reduced from 1.4*10$^{-3}$ .ohm.-cm in Indium origin ingot to 7.9*10$^{-6}$ .ohm.-cm after zone refined with 5 melten zone passes.

• 한국융합학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.197-202
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• 2022

CZTS 태양전지는 Cu, Zn, Sn, Se, S으로 구성된 흡수층을 사용하는 박막 태양전지로, In, Ga이 사용되는 CIGS 태양전지보다 저렴하며 Pb, Cd이 사용된 페로브스카이트, CdTe 태양전지보다 친환경적이다. 본 연구에서 우리는 유연기판인 Mo foil 위에 제작된 유연 CZTS 태양전지를 지정된 곡률만큼 휘게 하는 bending test를 진행하였다. 태양전지에 압축응력이 가해지는 inner benidng과 인장응력이 가해지는 outer bending의 방향에서 실험은 진행되었으며, 50 mmR의 곡률 반경으로 진행된 1,000 회의 굽힘 횟수 동안 태양전지의 효율은 최고 12.7%까지 감소하였으며, 두 방향 모두에서 효율 감소의 가장 큰 원인은 병렬저항의 큰 감소로 나타났다.

• 대한화학회지
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• 제60권6호
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• pp.402-409
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• 2016

3-Mecaptopropionic acid (MPA) 리간드와 하이브리드 타입 리간드($MPA+CdCl_2$)로 각각 부동화(passivation) 된 2.8 nm 크기의 황화납 콜로이드 양자점 박막을 제작하고, 각각을 대기 중, 질소 분위기에서 열처리, 오존 처리 하였을 때 나타나는 두 양자점 박막의 전자 구조와 조성 원소의 변화를 광전자 분광법을 이용하여 연구하였다. 대기에서 열처리는 리간드 종류와 관계없이 황화납 양자점의 가전자대 시작점이 공통적으로 약한 p-도핑 효과가 있음을 직접적으로 확인할 수 있었다. 또한, 오존처리 후 두 황화납 양자점 표면에 공통적으로 $Pb(OH)_2$, $PbSO_x$, PbO를 형성하는 것을 확인하였다. 하지만, 오존에 의해 형성된 산화물 중 PbO 성분은 특별히 하이브리드 타입 리간드로 부동화 된 양자점에서 형성된 양이 MPA 리간드만으로 부동화 된 양자점과 비교했을 때 감소한 것을 확인할 수 있었다. 이것은 PbS(111) 격자면에 있는 과량의 Pb 표면이 $Cl_2$으로 부동화되면서, Pb 양이온과 오존의 반응을 차단함으로써 PbO의 형성을 어렵게 했기 때문으로 추정된다.

• 대한화학회지
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• 제41권4호
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• pp.180-185
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• 1997

매달린 수은 방울 전극(HMDE) 또는 얇은 수은막 전극(TMFE)을 사용하여 금속이온들을 은/염화은(포화 KCl) 기준전극에 대하여 -1,200 V에서 150초 동안 전해시켜서 수은전극에 농축시키고 펄스 차이 전압전류법(DPASV)과 네모파 전압전류법(SWASV)으로 산화전극 벗김 분석을 하여 동시에 아연, 카드뮴, 납 및 구리를 정량분석하였다. HMDE를 사용하여 DPASV로 네 가지 금속이온을 동시 정량분석시 각각의 금속이온의 봉우리 전류는 20~100 ppb 농도범위에서 직선성을 보여주었으나 TMFE를 사용하여 DPASV 또는 SWASV로 네 가지 금속이온을 동시 정량분석시에는 $Cd^{2+}$와 $Pb^{2+}$의 봉우리 전류만 DPASV의 경우 100 ppb까지 SWASV의 경우 10 ppb까지 직선성을 나타내었다. $Cd^{2+}$와 $Pb^{2+}$의 동시 정량분석의 경우 TMFE를 사용한 DPASV 분석은 HMDE를 사용한 DPASV보다 약 15배 더 민감하였으며 TMFE에서 SWASV는 DPASV보다 약 5배 더 민감하였다. 퇴적물에 함유된 아연의 농도를 HMDE를 사용한 DPASV 분석법과 유도 결합 플라스마-질량분석법으로 일곱개의 시료에 대하여 정량분석하여 비교하였더니 상관계수가 0.9993으로 높았고 t-test결과 두 방법 사이에는 유의성 있는 차이가 없었다.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권10호
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• pp.87-93
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• 1994

Ohmic contacts between Au and p-HgHg_{0.7}Cd_{0.3}Te$ with low specific contact resistance have been obtained. The contact region of the wafer is first pre-heated for 5 seconds in a rapid thermal processing equipment. The temperature reaches a maximum value of about 200$^{\circ}C$ at the end of the 5 seconds. Next, a thin Au film is formed on the contact region by immersing the sample in AuCl$_{3}$ solution. the sample is then post-annealed in the same condition as the pre-heating after Pb/In pad metals are deposited on the electroless Au contacts. The specific contact resistance measured by transmission line model is 5${\times}10^{-3}{\Omega}cm^{2}$ at 80K. RBS and differential Hall measurement data suggest that the above low resistance ohmic contact is ascribed to surface traps and increased gold diffusion rate.