Indium thin oxide(ITO) 가 코팅된 유리위에 Ion beam spputtering depposition (IBSD)방법으로 다이아몬드상 카본(Diamond-like Carbon ; DLC)을 합성하여 전계방출 특성을 조사하였다. 박막의 합성은 이온 빔 전압을 1250 V, 전류를 20mA인 상태에스 합성 시간만을 조절하여 박막의 두계에 대한 변화를 주었다. 두께에 대한 전류-전압 특성은 두께가 약 750$\AA$인 경우 전기장이 10V/$\mu$m 일 때 $ extrm{cm}^2$당 1.3mA 정도의 전류를 방출하였으며 두께가 얇은 경우와 아주 두꺼운 경우에는 오히려 방출전류가 감소하는 경향을 보여 주었다.
Kim, Sang-Hoon;Hwang, Jeoung-Yeon;Kim, Jong-Hwan;Han, Jung-Min;Seo, Dae-Shik;Kim, Sung-Yeon;Oh, Byeong-Yun;Myoung, Jae-Min
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.796-799
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2006
We studied the nematic liquid crystal (NLC) alignment capability by the Ion beam (IB) alignment method on a NDLC (Nitrogen doped Diamond Like Carbon) as a C:H thin film, and investigated electro-optical (EO) performances of the IB aligned In plane switching (IPS) cell with NDLC surface. A good LC alignment by IB exposure on a NDLC surface was achieved. Monodomain alignment of the IB aligned IPS cell can be observed. The good electro-optical characteristics of the IB aligned IPS cell was observed with oblique IB exposure on the NDLC as a-C:H thin film for 1min.
We studied the nematic liquid crystal (NLC) alignment capability by the IB(on bean) alignment method on a NDLC(Nitrogen Diamond Like Carbon) as a-C:H thin film, and investigated electro-optical performances of the IB aligned IPS(In plane switching}cell with NDLC surface. A good LC alignment by IB exposure on a NDLC surface was achieved. Monodomain alignment of the IB aligned IPS cell can be observed. The goodelectro-optical (EO) characteristics of the IB aligned IPS cell was observed with oblique IB exposure on the NDLC as a-C:H thin film for 1 min.
저온 공정이 가능한 rf-plasma를 이용한 화학증착법으로 기판의 온도, 출력, $SiH_4$와 천음 함유한 유기화합불 진구체의 희석비 등을 변수로 각 실험 조건에 따라 iron silicide를 제조하였다. 일반적으로 iron silicide 막은 다단계 공정의 Ion Beam Synthesis (IBS)법으로 성장시키고 있으나, 플라즈마를 사용함으로써 단일공정에 의해 $Fe_aSi_bC_cH_d$로 결합된 iron silicide 및 ${\beta}$-상이 형성될 수 있음을 확인하였다. 철 전구체와 실란 (silane)의 희석비에 따라 막 내에 존재하는 탄소와 수소양의 차이로 인해 서로 다른 막의 특성을 나타내었다. 기관의 온도에 따른 광학에너지갭 ($E_b^{opt}$)은 박 표면에 존재하는 수소가 탈착되면서 제공할 수 있는 활성점이 한정되어 있기 때문에 큰 변화가 없었다. 240 watt 이하의 출력에서는 광학에너지갭이 감소하였고, 240 watt 이상의 높은 출력에서는 식각에 의해 미결합수가 증가하여 광학에너지갭은 높게 나타났다.
중 에너지 이온 산란 분석법(Medium Energy Ion Scattering Spectrometer, MEIS)은 50~500 keV로 이온을 가속 후 시료에 입사시켜 시료의 원자와 핵간 충돌로 산란되는 일차이온의 에너지를 측정하여 시료를 분석하는 기법으로, 원자층의 깊이 분해능으로 초박막의 표면 계면의 조성과 구조를 분석 할수 있는 유용한 미세 분석기술이다. 본 실험에서 에너지 70~100 keV의 He+ 이온을 사용하여 Pulse Width 1 ns의 Pulsed ion beam을 만들어 Start 신호로 사용하고 Delay-line-detector에 검출된 신호를 End 신호를 이용한 TOF-MEIS System을 개발하였다. 활용 가능한 분석시편으로 Ultra thin film 시편으로 1, 1.5, 2, 2.5, 3, 4 nm의 HfO2, 1.8, 4nm의 SiO2 시편을 분석 하였으며 Ultra Shallow Junction 시편으로 As Doped Si, Cs Doped Si 시편 및 Composition, Core/shell 구조의 Q-dot 시편으로 CdSe, CdSe/ZnS등 다양한 분석 실험을 진행 하였다. Composition, Core/shell 구조의 Q-dot 시편은 Diamond Like Carbon(DLC)의 Substrate에 Mono-layer로 형성하여 분석하였다.
We deposited diamond-like carbon (DLC) films using ion beam sputtering of a graphite target on flat substrates for use as a thin film field emitter. An n-type silicon wafer, titanium-coated silicon, and indium tin oxide (ITO) coated glass were used as a substrate. All films exhibited a sudden increase in the emission after a breakdown occurred at high voltage. The morphology of the films after the breakdown depended on the substrate. On ITO and Ti substrates, the DLC film peeled off upon breakdown, but on the Si substrate the surface melting due to breakdown resulted in the formation of various structures such as a sharp point, mound, and crater. By scanning the deformed surface with a tip anode, we found that the emission was concentrated at the deformed sites, indicating that the field enhancement due to the morphology change was responsible for the increased emission.
탄성되튐검출(Elastic Recoil Detection)법에 의한 박막시료의 수소 정량은 빔전류 측정의 신뢰성을 전제로 유기물 필름을 정량 비교체로 사용하여 이루어진다. 그러나 탄성되튐검출법에서 일반적으로 사용되는 편향각(tilt angle)인 $75^{\circ}$에서는 시편에 조사되는 일차 이온빔의 조사량을 정확하게 측정하기 어렵다. 시편의 편향각을 바꿔가며 탄성산란 신호를 비교하면 편향각이 커질수록 단위 조사량 당 산란신호는 감소하며 또한 시편의 표면 물질에 따라 이온빔전류 적산의 효율이 달라진다. 이러한 빔전류 적산과정의 오류를 제거하여 정량의 신뢰성을 제고하는 방법으로 되튐스펙트럼과 동시에 측정한 산란스펙트럼을 이용하여 빔 조사량을 결정하였다. 산란스펙트럼에 의한 조사량 결정법은 수 10%에 이르는 전류적산과정의 오차요인을 근본적으로 제거하여 되튐반응에 의한 수소정량의 신뢰성을 향상시켰다. 수소정량의 비교체로 사용해 왔던 폴리이미드 필름과 수소이온주입 시료, 그리고 카본웨이퍼를 대상으로 시험분석하고 기존의 전류적산에 의한 직접정량법과 비교하였다.
Kim, Sangbum;Duong, Pham van;Ha, Donghyup;Oh, Young-Hoon;Kang, Won Nam;Hong, Seung Pyo;Kim, Ranyoung;Chai, Jong Seo
한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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제18권2호
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pp.8-13
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2016
Superconducting properties of thin film MgB2 superconductors irradiated with 45 MeV ${\alpha}$-particle beam were studied. After the irradiation, enhancement of the critical current density and pinning force was observed, scaling close to strong pinning formula. Double logarithmic plots of the maximum pinning force density with irreversible magnetic field show a power law behavior close to carbon-doped MgB2 film or polycrystals. Variation of normalized pinning force density in the reduced magnetic field suggests scaling formulas for strong pinning mechanism like planar defects. We also observed a rapid decay of critical current density as the vortex lattice constant decreases, due to the strong interaction between vortices and increasing magnetic field.
The carbon-ion beam (CIB) generated by the heavy-ion medical accelerator in Chiba (HIMAC) was targeted to 7-day-old rice. Physiological parameters such as growth, and gene expression profiles were examined immediately after CIB irradiation. Dose-dependent growth suppression was seen three days post-irradiation (PI), and all the irradiated plants died by 15 days PI. Microarray (Agilent rice 22K) analysis of the plants immediately after irradiation (iai) revealed effects on gene expression at 270 Gy; 353 genes were up-regulated and 87 down-regulated. Exactly the same set of genes was affected at 90 Gy. Among the highly induced genes were genes involved in information storage and processing, cellular processes and signaling, and metabolism. RT-PCR analysis confirmed the microarray data.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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