본 논문에서는 직렬 커패시터를 넓은 면 결합 SSS로 구현하는 새로운 이론이 제안되었다. 제안된 이론은 기모드 해석 방법만이 적용되었기 때문에 비교적 단순하지만 선로의 프린징 전자장 영향에 의한 유효 선로 폭과 선로 끝 효과를 고려함으로서 신뢰할 만한 결과를 제공한다. 이상적인 집중 소자 커패시터와 결합 선로 커패시터의 특성을 비교, 분석하기 위해 시뮬레이션 결과가 제시되었다. 또한 제안한 이론을 근거로 하여 커패시티브갭 결합 선로 대역 통과 필터가 설계 및 제작되었고, 그 결과로부터 이론의 타당성이 검증되었다.
Commercial PAN fibers were thermally stabilized at 220 or $240^{\circ}C$ for 30 min. Those fibers were further stabilized using radio-frequency (RF) capacitive plasma discharge during 5 or 15 min. From Fourier transform infrared spectroscopy results, it was observed that an additional plasma treatment led to further stabilization of PAN fibers. After stabilization, carbonization was performed to investigate the final tensile properties of the fabricated carbon fibers (CFs). The results revealed that a combination of thermal and plasma treatment is a possible stabilization process for manufacturing CFs. Morphology of CFs was investigated using scanning electron microscopy. The morphology shows that the plasma stabilization performed by the RF large gap plasma discharge may damage the surface of the CF, so it is necessary to select a proper process condition to minimize the damage.
본 논문에서는 4개의 ELC 공진기 구조를 사용하여 메타 흡수체 구조의 단위 셀을 설계하였다. 제안된 구조의 단위 셀의 크기는 $9mm{\times}9mm{\times}2mm$ 이다. 메타 흡수체의 대역폭 확장을 위하여 흡수체 단위 셀은 서로 다른 크기를 갖는 2 쌍의 ECL가 사용되었다. 제안된 흡수체는 전계가 ELC 갭에 수평하게 여기되고 자계가 단위 셀 면에 수직으로 여기 될 경우에 음의 유전율과 음의 투자율 특성을 나타낸다. 제안된 단위 셀은 8.53 GHz, 9.08 GHz에서 공진을 하며 각 주파수에서 90%이상의 흡수율을 갖는다.
최근 입력소자로 활용되는 터치스크린은 키보드나 마우스와 같은 입력장치를 사용하지 않고, 스크린에 손가락, 펜 등을 접촉하여 입력하는 방식이다. 터치패널의 구현방식에 따라 저항막(Resistive) 방식, 정전용량(Capacitive) 방식, SAW (Surface Accoustic Wave; 초음파) 방식, IR (Infrared; 적외선) 방식등으로 구분된다. 특히 최근 관심을 받고 있는 IR 방식은 적외선이 사람의 눈에는 보이지 않으나, 직진성을 가지고 있어 장애물이 있으면 차단되는 특성을 이용한 방식이다. IR방식의 터치패널은 발광(Light emitting)소자와 수광(Light detecting)소자가 마주하도록 배치되어 터치에 의해 차단된 좌표를 인식하게 되며, ITO 필름 등이 필요 없어 Glass 1장으로도 구현이 가능하며 투과율이 우수하다. 이러한 IR 방식의 터치패널을 제작하기 위하여 사용된 IR 광검출기는 광학적 band-gap이 작은 박막물질을 필요로 한다. 본 연구에서는 IR 광검출을 위한 물질로 SiGe를 co-sputtering 기법을 이용하여 성장시켰다. 일반적으로 SiGe 박막을 성장시키기 위하여 저압화학기상증착법(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)이나 고진공 LPCVD를 사용하지만 본 연구에서는 CVD에 비하여 무독성이면서 환경친화적이고 초기투자비용이 낮은 증착장비인 sputtering을 이용하였다. 본 연구에서 성장된 SiGe 박막은 400$^{\circ}C$에서 rf plasma가 인가된 Ge과 dc plasma가 인가된 Si의 power를 조절하여 결정화도가 70% (Fig. 1)이고 결정성장방향이 (111)과 (220)방향으로 성장하는 SiGe 박막을 얻을 수 있었다. 본 논문에서는 co-sputtering 성장조건에 따라 성장된 SiGe의 박막 특성을 논의할 것이다.
In this paper, we describe a capacitive position sensing and motion control scheme of a MEMS scanner used for laser display application. The laser displays can be made by scanning laser beams much the same way a CRT scans electron beams. So the accuracy of the scanner motion determines the quality of the displayed image. The MEMS scanner under consideration is composed of electrostatic comb electrodes with initial gap and requires large driving voltage. Due to the under-damping and nonlinear driving characteristics, the scanner motion is subject to be an unwanted oscillation. For the linear scanner motion, we devise a differential charge amplifier and phase compensator. The experimental results show that the implemented feedback control system provides sufficient electrical damping and improves the dynamic performance of the scanner.
본 논문에서는 열경화성 폴리이미드를 정전용량형 습도센서의 감습재료로 사용하여 공정이 간단한 IDT(Interdigitated) 전극을 갖는 정전용량형 습도센서를 제작하고 특성을 측정 및 분석하였다. 먼저 일정한 용량값을 얻기 위하여 용량형 센서의 전극 수, 전극의 두께와 간격 및 폴리이미드 감습막의 두께 등을 최적화하여 마스크 설계 및 제작을 했으며, 실리콘 기판 상에 반도체 공정 장비를 이용하여 정전용량형 습도센서를 제작하였다. 제작된 센서의 면적은 $1.56{\times}1.66mm^2$ 이며, 전극의 넓이와 전극간 폭은 동일하게 각각 $3{\mu}m$, 센서의 감도를 위해 전극 수를 166개, 전극의 길이는 1.294mm로 제작하였다. 그런 다음 센서 특성을 측정하기 위해 PCB상에 패키징 하였다. $25^{\circ}C$ 챔버 환경에 센서를 삽입하고 LCR Meter에 연결하여 1V, 20kHz를 인가한 상태에서 20%RH에서 90%RH까지 습도변화에 대한 용량값 변화를 측정하였다. 제작된 정전용량형 습도센서의 측정 결과 감도는 26fF/%RH, 선형 특성 < ${\pm}2%RH$ 그리고 히스테리시스는 < ${\pm}2.5%RH$를 얻을 수 있었다.
We fabricated the electrolyte-dielectric-metal (EDM) sensor on the base of AAO (anodic aluminum oxide) template with variation of the anodizing temperature. When a surface is immersed or created in an aqueous solution, a discontinuity is formed at the interface where such physicochemical variables as electrical potential and electrolyte concentration change significantly from the aqueous phase to another phase. Because of the different chemical potentials between the two phases, charge separation often occurs at the interfacial region [1]. This interfacial region, togeter with the charged surface, is usually known as the electrical double layer (EDL) [2]. The structural and electrochemical properties of AAO sensor were investigated for applications in capacitive pH sensors. To change the thickness of the AAO template, the anodizing temperature was varied from $5^{\circ}C$ to $20^{\circ}C$, the thickness of the AAO template invreased from 300 nm to 477 nm. The pH sensitivity of sensors with the anodizing temperature of $20^{\circ}C$ showed the highest value of 56.4 mV/pH in the pH range of 3 to 11. The EDM sensor with the anodizing temperature of $20^{\circ}C$ exhibited the best long-term stability of 0.037 mV/h.
Choe, Wonho;Moon, Se Youn;Kim, Dan Bee;Jung, Heesoo;Rhee, Jun Kyu;Gweon, Bomi
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.144-144
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2013
Non-thermal atmospheric pressure plasmas have recently garnered much attention due to their unique physical and chemical properties that are sometimes significantly different from those of low pressure plasmas. It can offer many possible application areas including nano and bio/medical areas. Many different types of plasma sources have been developed for specific needs, which can be one of the important merits of the atmospheric pressure plasmas since characteristics of the produced plasma depend significantly on operating parameters such as driving frequency, supply gas type, driving voltage waveform, gas flow rate, gas composition, geometrical factor etc. Among many source configurations, parallel plate type geometry is one of the simplest configurations so that it can offer many insights for understanding basic underlying physics. Traditionally, the parallel plate type set up has been studied actively for understanding low pressure plasma physics along with extensive employment in industries for the same reason. By considering that understanding basic physics, in conjunction with plasma-surface interactions especially for nano & bio materials, should be pursued in parallel with applications, we investigated atmospheric pressure discharge characteristics in a parallel plate type capacitive discharge source with two parallel copper electrodes of 60 mm in diameter and several millimeters in gap distance. In this presentation, some plasma characteristics by varying many operating variables such as inter-electrode distance, gas pressure, gas composition, driving frequency etc will be discussed. The results may be utilized for plasma control for widening application flexibility.
본 논문에서는 분할 링 공진기(SRR; split-ring resonator)를 이용한 소형 코플래너 도파관(CPW; coplanar waveguide)급전 슬롯 안테나에 대한 설계 방법을 연구하였다. 제안된 슬롯 안테나는 슬롯의 길이를 줄이기 위해 사각형 모양의 SRR 도체가 슬롯 내에 장하되었다. SRR 도체와 슬롯 사이의 간격, SRR 도체의 폭의 변화에 따른 입력 전압 정재파비(VSWR; voltage standing wave) 특성을 분석하여 최적의 설계 변수를 도출하였다. 2.45 GHz 대역에서 최적화된 소형 슬롯 안테나를 FR4 기판 상에 $36mm{\times}30mm$ 크기로 제작하였다. 제안된 소형 슬롯 안테나의 길이는 기존의 사각형 슬롯 안테나에 비해 14.3% 줄어들었다. 실험 결과, VSWR < 2인 대역이 2.4-2.49 GHz으로 2.45 GHz 대역에서 동작하는 것을 확인하였고, 2.45 GHz에서 이득은 2.3 dBi로 측정되었다.
본 논문에서는 분할 링 공진기(SRR; split-ring resonator)를 이용한 소형 코플래너 도파관(CPW; coplanar waveguide)급전 슬롯 안테나에 대한 설계 방법을 연구하였다. 제안된 슬롯 안테나는 슬롯의 길이를 줄이기 위해 사각형 모양의 SRR 도체가 슬롯 내에 장하되었다. SRR 도체와 슬롯 사이의 간격, SRR 도체의 폭의 변화에 따른 입력 반사계수 특성을 분석하여 최적의 설계 변수를 도출하였다. 2.45 GHz 대역에서 최적화된 소형 슬롯 안테나를 FR4 기판 상에 $36mm{\times}30mm$ 크기로 제작하였다. 제안된 소형 안테나는 기존의 사각형 슬롯 안테나에 비해 안테나의 길이를 14.3%로 줄여 소형화하였다. 실험 결과, 전압 정재파비(VSWR; voltage standing wave) < 2인 대역이 2.4-2.49 GHz으로 2.45 GHz 대역에서 동작하는 것을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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