• 제목/요약/키워드: COG bonding

검색결과 30건 처리시간 0.021초

Development of New COG Technique Using Eutectic Bi-Sn and In-Ag Solder Bumps for Flat Panel Display

  • Kang, Un-Byoung;Kim, Young-Ho
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
    • /
    • pp.270-274
    • /
    • 2002
  • We have developed a new COG technique using flip chip solder joining technology for excellent resolution and high quality LCD panels. Using the eutectic Bi-Sn and the eutectic In-Ag solder bumps of 50-80 ${\mu}m$ pitch sizes, a ultrafine interconnection between IC and glass substrate was successfully made at or below $160^{\circ}C$. The contact resistance and reliability of Bi-Sn solder joint showed the superiority over the conventional ACF bonding.

  • PDF

ACA COG의 접합특성에 대한 고온시효의 영향 (The effect of High Temperature Aging on the Bonding Characteristics of ACA COG)

  • 한정인;홍성제
    • 한국재료학회지
    • /
    • 제6권11호
    • /
    • pp.1146-1152
    • /
    • 1996
  • 실제 사용시 신뢰성을 보장하기 위하여, 고온에서 장시간 동안의 시효로 인한 ACA COG(Anisotropic Conductive Chip On Glass) 접합 특성의 변화가 연구되었다. 모든 접합 시편들은 16$0^{\circ}C$에서 156시간 동안 유지되었고 시효하는 동안의 접촉저항의 변화는 감소하였다. 특히, 156시간이후, 4000개 /$\textrm{mm}^2$의 입자밀도를 가진 ACA에서는 접촉저항의 벼노하가 나타나지 않았다. 입자크기의 경우 작은 입자를 가진 ACA는 16$0^{\circ}C$에서 시효후에도 접촉저항의 변화를 보이지 않았다. 또한 4000개/$\textrm{mm}^2$ 및 5$\mu\textrm{m}$ 입자를 가진 ACA를 사용한 시편은 접합상태가 안정하였기 때문에 16$0^{\circ}C$에서도 경화수지의 팽창 및 리플로우(reflow)에 의한 영향을 받지 않았다. 따라서 이 ACA에서는 16$0^{\circ}C$에서 156시간 동안 시효한 후에도 오픈(open)이 나타나지 않았다.

  • PDF

LCD Driver IC Assembly Technologies & Status

  • Shen, Geng-shin
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 International Symposium
    • /
    • pp.21-30
    • /
    • 2002
  • According the difference of flex substrate, (reel tape), there are three kind assembly types of LCD driver IC is COG, TCP and COF, respectively. The TCP is the maturest in these types for stability of raw material supply and other specification. And TCP is the major assembly type of LCD driver IC and the huge demand from Taiwan's large TFT LCD panel house since this spring. But due to its package structure and the raw material applied in this package, there is some limitation in fine pitch application of this package type, (TCP). So, COF will be very potential in compact and portable application comparison with TCP in the future. There are three kinds assembly methods in COF, one is ACF by using the anisotropic conductive film to connect the copper lead of tape and gold bump of IC, another is eutectic bonding by using the thermo-pressure to joint the copper lead of tape and gold bump of IC, and last is NCP by using non-conductive paste to adhere the copper lead of tape and gold bump of IC. To have a global realization, this paper will briefly review the status of Taiwan's large TFT panel house, the internal driver IC design house, and the back-end assembly house in the beginning. The different material property of raw material, PI tape is also compared in the paper. The more detail of three kinds of COF assembly method will be described and compared in this paper.

  • PDF

Si 칩에 형성된 박막히터를 이용한 Chip-on-Glass 공정 (Chip-on-Glass Process Using the Thin Film Heater Fabricated on Si Chip)

  • 정부양;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
    • /
    • 제14권3호
    • /
    • pp.57-64
    • /
    • 2007
  • Si 칩에 박막히터를 형성하고 이에 전류를 인가하여 LCD (liquid crystal display) 패널의 유리기판은 가열하지 않으면서 Si 칩만을 선택적으로 가열함으로써 Si 칩을 LCD 패널의 유리기판에 실장 하는 새로운 COG 공정기술을 연구하였다. $5\;mm{\times}5\;mm$ 크기의 Si 칩에 마그네트론 스퍼터링법으로 폭 $150\;{\mu}m$,두께 $0.8\;{\mu}m$, 전체 길이 12.15 mm의 정방형 Cu 박막히터를 형성하였으며, 이에 0.9A의 전류를 60초 동안 인가하여 Si칩의 Sn-3.5Ag 솔더범프를 리플로우 시킴으로써 Si 칩을 유리기판에 COG 본딩하는 것이 가능하였다.

  • PDF

감광성 고분자 범프와 NCA (Non-Conductive Adhesive)를 이용한 COG 접합에서의 불량 (Failure in the COG Joint Using Non-Conductive Adhesive and Polymer Bumps)

  • 안경수;김영호
    • 마이크로전자및패키징학회지
    • /
    • 제14권1호
    • /
    • pp.33-38
    • /
    • 2007
  • 본 실험에서는 Non-Conductive Adhesive (NCA) 와 고분자 범프를 이용한 COG (Chip-on-glass) 접합에 대하여 연구하였다. 산화막이 증착된 Si 기판 위에 고분자 범프를 사진식각 방법으로 형성하고, 고분자 범프 위에 직류 마그네트론 스퍼터링 방법으로 금속 박막층을 증착하였다. 기판으로는 Al을 증착한 유리기판을 사용하였다. 두 종류의 NCA를 사용하여 $80^{\circ}C$에서 하중을 변화시켜가며 접합을 실시하였다. 접합부의 특성을 평가하기 위하여 4단자 저항 측정법을 이용하여 접합부의 접속 저항을 측정하였으며, 주사전자현미경을 이용하여 접합부를 관찰하였다. 신뢰성은 $0^{\circ}C$$55^{\circ}C$ 사이에서 열충격 실험을 2000회까지 실시하여 평가하였다. 신뢰성 측정 전 접합부의 저항 값은 $70-90m{\Omega}$을 나타내었다. 200MPa 이상의 접합 압력에서는 고분자 범프가 NCA 의 필러 파티클에 의해 손상된 것을 관찰하였다. 신뢰성 측정 후 일부 범프가 fail 되었는데 범프의 fail 원인은 범프의 윗부분보다 상대적으로 금속층이 얇게 증착된 범프의 모서리 부분의 금속층의 끊어졌기 때문이었다.

  • PDF

LCD Module내 COF Bending에 따른 Lead Broken Failure의 개선 (Improvement of COF Bending-induced Lead Broken Failure in LCD Module)

  • 심범주;최열;이준신
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제21권3호
    • /
    • pp.265-271
    • /
    • 2008
  • TCP(Tape Carrier Package), COG (Chip On Glass), COF(Chip On Film) are three methods for connecting LDI(LCD Driver IC) with LCD panels. Especially COF is growing its portion of market place because of low cost and fine pitch correspondence. But COF has a problem of the lead broken failure in LCD module process and the usage of customer. During PCB (Printed Circuit Board) bonding process, the mismatch of the coefficient of thermal expansion between PCB and D-IC makes stress-concentration in COF lead, and also D-IC bending process during module assembly process makes the level of stress in COF lead higher. As an affecting factors of lead-broken failure, the effects of SR(Solder Resister) coating on the COF lead, surface roughness and grain size of COF lead, PI(Polyimide) film thickness, lead width and the ACF(Anisotropic Conductive Film) overlap were studied, The optimization of these affecting manufacturing processes and materials were suggested and verified to prevent the lead-broken failure.

Chip on Glass Technologies for High-Performance LCD Applications

  • Kim, Young-Ho
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 International Symposium
    • /
    • pp.203-215
    • /
    • 2002
  • Using eutectic In-Ag and Bi-Sn solder materials, we developed the COG technique having a minimum pitch of 50 ${\mu}{\textrm}{m}$. The maximum temperature in this process is $160^{\circ}C$. We fabricated spherical and uniform solder bumps by controlling the microstructure of Bi-Sn solder bumps. The contact resistances of Bi-Sn solder joints were 19 m$\Omega$ at $80{\mu}{\textrm}{m}$ pitch and 60 m$\Omega$ at $80{\mu}{\textrm}{m}$ pitch, respectively. These values are much lower than the contact resistance of the conventional ACF bonding. The contact resistances of the solder joint are almost the same before and after the underfill process. The contact resistance of the underfilled Bi-Sn solder joint did not change even after reliability test.

  • PDF