• 제목/요약/키워드: CMOS structure

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고속 PMIC용 2단 광대역 OTA방식의 LDO 레귤레이터 설계 (Design of the LDO Regulator with 2-stage wide-band OTA for High Speed PMIC)

  • 권보민;송한정
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제11권4호
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    • pp.1222-1228
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    • 2010
  • 고속 PMIC를 위한 빠른 천이 응답 시간을 가지는 CMOS LDO 레귤레이터를 설계하였다. 제안하는 LDO 레귤레이터 회로는 기준전압회로와 오류증폭회로, 파워 트랜지스터 등으로 이루어지며, 출력전압의 안정성을 높이기 위하여 오류증폭 회로와 파워 트랜지스터 사이에 버퍼로써 2단 광대역 OTA를 추가하였다. 기존의 연구에서 제안된 가장 간단하게 구현할 수 있는 버퍼로는 소스팔로워 구조가 있으나, 출력 스윙이 좁고 신호 대 잡음비가 저하되는 문제점이 있었다. 본 논문에서는 2단 광대역 OTA를 버퍼로 사용하여 LDO 전압 레귤레이터의 출력 특성을 개선하였다. $0.5{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 모의실험 한 결과, 라인 레귤레이션은 16 mV/V, 부하 레귤레이션 0.007 %/mA를 얻었다.

ROM 構造를 갖는 電流방식 COMS 回路에 依한 GF ( $2^m$ ) 上의 演算器 설계 (A Design of Adder and Multiplier on GF ( $2^m$ ) Using Current Mode CMOS Circuit with ROM Structure)

  • 유인권;성현경;강성수;김흥수
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제25권10호
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    • pp.1216-1224
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    • 1988
  • 本 論文에서는 多値論理 函數를 계산하기 위해 GF ($2^m$)上의 元素生成, 加算, 裵算 및 除算에 대한 알고리듬을 제시하고 이 알고리듬에 의한 加算과 裵算의 결과를 ROM 構造의 電流방식 CMOS 回路로 設計하였다. 제시된 황算 알고리듬은 GF ($2^m$)上에서 多値論理 函數의 계산에 있어서 표조사방법이나 유클리드 알고리듬이 要하는 많은 양의 계산을 決數 m의 증가에 관계없이 범용 컴퓨터를 이용해 비교적 용이하게 처리할 수 있다. 또한 제시한 ROM 構造의 電流방식 CMOS 回路로 대칭적 多値論理値表 回路設計에 적합하고 GF ($2^m$)上의 加算 및 裵算을 동시에 실현할 수 있다.

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Twin-well Non-epitaxial CMOS Substrate에서의 노이즈 분석을 위한 Substrate Resistance 및 Guard-ring 모델링 (A Substrate Resistance and Guard-ring Modeling for Noise Analysis of Twin-well Non-epitaxial CMOS Substrate)

  • 김봉진;정해강;이경호;박홍준
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제44권4호
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    • pp.32-42
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    • 2007
  • [ $0.35{\mu}m$ ]twin-well non-epitaxial CMOS 공정에서의 substrate noise에 의한 아날로그 회로의 성능 저하를 예측하기 위하여 substrate 저항을 모델링하였다. Substrate 저항 모델 방정식은 P+ guard-ring isolation에 적용되어 측정값과 일치함을 확인하였다. Substrate 저항을 네 가지 형태로 구분하고 각각에 대하여 semi-empirical 모델 방정식을 확립하여, 측정값과 비교하여 rms 오차가 10% 미만이 되었다. 이 substrate 저항 모델을 guard-ring에 의한 isolation 구조에 적용하기 위하여 모델 방정식과 ADS(Advanced Design System) 회로 시뮬레이션에 의한 결과와 Network Analyzer의 측정 결과를 비교하였고, 비교적 잘 일치함을 확인하였다.

A Cyclic CMOS Time-to-Digital Converter

  • Choi, Jin-Ho;Kim, Ji-Hong
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제5권2호
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    • pp.112-115
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    • 2007
  • A CMOS TDC(time-to-digital converter) is proposed which has a simple cyclic structure. The proposed TDC consists of pulse-shrinking elements, D latches and D flip-flops. The operation is based on pulse-shrinking of the input pulse. The resolution of digital output can be easily improved by increasing the number of the pulse-shrinking elements, D latches and D flip flops. The TDC performance is improved in viewpoints of power consumption and chip area. Simulation results are shown to illustrate the performance of the proposed TDC circuit.

Charge Pump 회로를 이용한 능동 픽셀 센서의 동작 범위 개선 (Dynamic range improvement of active pixel sensor using charge pump circuit)

  • 김경도;서상호;서민웅;신장규
    • 센서학회지
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    • 제17권2호
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    • pp.114-119
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    • 2008
  • Wide dynamic range active pixel sensor(APS) using a charge pump circuit has been designed by using 2-poly 4-metal $0.35{\mu}M$ standard CMOS technology. The structure of the proposed APS is similar to the structure of the conventional 3-Tr APS. The proposed unit pixel consists of one photodiode and three MOSFETs. Using a charge pump circuit, the dynamic range of the proposed APS is increased, compared to the conventional 3-Tr APS.

공통컬렉터 잡음등가회로 해석에 의한 베이스저항의 추출 및 특성 (Extracting and Characterization of the Base Resistance based on Analysis of the Equivalent Noise Circuit for Common Collector)

  • 구회우;이기영
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제37권2호
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    • pp.1-4
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    • 2000
  • 공통컬렉터 잡음등가회로 해석에 기초한 베이스저항 추출방법을 제시하였다. 측정은 BiCMOS공정으로 제조되고 폴리에미터 구조를 갖는 소자에 대해서 실행 되었다. 베이스저항 측정은 서로 다른 베이스전류와 구조에 따라 수행되었다. 낮은 베이스전류에서 측정된 실험값은 이론적으로 예측된 값과 매우 잘 일치하는 결과를 얻었다

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저 전압 트리거형 ESD 보호회로를 탑재한 저 전압 Step-down DC-DC Converter 설계 (The Design of low voltage step-down DC-DC Converter with ESD protection device of low voltage triggering characteristics)

  • 육승범;이재현;구용서
    • 전기전자학회논문지
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    • 제10권2호통권19호
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    • pp.149-155
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    • 2006
  • In this study, the design of low voltage DC-DC converter with low triggering ESD (Electro-Static Discharge) protection circuit was investigated. The purpose of this paper is design optimization for low voltage(2.5V to 5.5V input range) DC-DC converter using CMOS switch. In CMOS switch environment, a dominant loss component is not switching loss but conduction loss at 1.2MHz switching frequency. In this study a constant frequency PWM converter with synchronous rectifier is used. And zener Triggered SCR device to protect the ESD phenomenon was designed. This structure reduces the trigger voltage by making the zener junction between the lateral PNP and base of lateral NPN in SCR structure. The triggering voltage was simulated to 8V.

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An Inherently dB-linear All-CMOS Variable Gain Amplifier

  • Kwon, Ji-Wook;Ryu, Seung-Tak
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제11권4호
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    • pp.336-343
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    • 2011
  • This paper introduces a simple variable gain amplifier (VGA) structure that shows an inherently dB-linear gain control property. Requiring no additional components for dB-linear control, the structure is compact and power efficient. The designed two-stage VGA shows a gain control range of 60dB with the gain error in the range of ${\pm}0.4$ dB. The power consumption including the output buffer is 20.4 mW from 1.2 V supply voltage with bandwidth of 630 MHz. The prototype was fabricated in a 0.13 ${\mu}m$ CMOS process and the VGA core occupies 0.06 $mm^2$.

CMOS 구조를 이용한 DAC의 자체 테스트 기법에 관한 연구 (Built-In Self-Test of DAC using CMOS Structure)

  • 조성찬;김인수;민형복
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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    • pp.1862-1863
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    • 2007
  • Testing the analog/mixed-signal circuitry of a mixed-signal IC has become a difficult task. Offset error, gain error, Non-monotonic behavior, Differential Non-linearity(DNL) error, Integral Non-linearity(INL) error are important specifications used as test parameters for DAC. In this paper, we propose an efficient BIST structure for DAC testing. The proposed BIST adds the circuit which uses the capacitor and op-amp, and accomplishes a test.

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5 GHz 무선랜용 수신기의 설계 (CMOS Front-End for a 5 GHz Wireless LAN Receiver)

  • 이혜영;유상대;이주상
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2003년도 학술회의 논문집 정보 및 제어부문 B
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    • pp.894-897
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    • 2003
  • Recently, the rapid growth of mobile radio system has led to an increasing demand of low-cost high performance communication IC's. In this paper, we have designed RF front end for wireless LAN receiver employ zero-IF architecture. A low-noise amplifier (LNA) and double-balanced mixer is included in a front end. The zero-IF architecture is easy to integrate and good for low power consumption, so that is coincided to requirement of wireless LAN. But the zero-IF architecture has a serious problem of large offset. Image-reject mixer is a good structure to solve offset problem. Using offset compensation circuit is good structure, too. The front end is implemented in 0.25 ${\mu}m$ CMOS technology. The front end has a noise figure of 5.6 dB, a power consumption of 16 mW and total gain of 22 dB.

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