• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권1호
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• pp.107-116
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• 2009

QCA는 현재 초고집적 저전력 디지털 시스템 구현 기술의 왕좌를 차지하고 있는 CMOS의 자리를 상속받을 가장 장래성 있는 차세대 나노 전자 소자 중 하나이다. QCA 셀의 하드웨어 기본 동작은 이미 1990년대 후반에 실험을 통하여 증명되었다. 또한 회로를 설계할 수 있는 전용설계 도구와 시뮬레이터도 개발되었다. 그러나 기존의 QCA 설계 기술은 초대규모 설계에 대한 준비가 부족하다. 본 논문은 기존의 대규모 CMOS 설계에서 사용되었던 검증 방법들과 도구를 QCA 설계에서 그대로 활용할 수 있는 새로운 접근 방법을 제시한다. 첫째로 셀 배치를 미리 정의된 구조에서 벗어나지 않도록 엄격하게 제한함으로써 항상 일관성 있는 디지털 동작을 보장하는 설계 규칙을 제안한다. 다음, QCA 설계의 게이트 및 상호연결 구조를 인식한 후 다수결 게이트의 입력 경로 균형과 잡음 증폭 방지 등을 포함하는 신호 충실도 보장 조건을 검사한다. 마지막으로 디지털 논리를 추출하여 OpenAccess 공통 데이터베이스로 저장하면 이미 CMOS 설계에서 사용되고 있는 풍부한 검증 툴과 연결되어 그들을 사용할 수 있게 된다. 제안된 방식을 검증하기 위해 2-비트 가산기 및 비트-직렬 가산기, 그리고 ALU 비트 슬라이스를 설계하였다. 디지털 논리를 추출하여 Verilog 넷 리스트를 생성시킨 후 상업용 소프트웨어로 시뮬레이션 하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권9호
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• pp.38-43
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• 2006

CMOS image sensor는 집적회로 구현이 가능하여 사이즈를 줄일 수 있고 저전력으로 구현이 가능하며 효율적인 영상처리를 할 수 있다는 장점을 갖고 있다. 그러나 불량화소의 발생은 곧 화질의 저하로 연결되기 때문에 불량화소를 검출하는 방법에 대한 연구가 필요하다. 본 논문에서는 CMOS image sensor에 사용되는 효율적인 불량화소 검출 알고리듬과 그 하드웨어를 제안하였다. 불량화소를 검출하기 위하여 본 논문에서 제안한 방법은 Scan, Trace, Detection의 단계를 거친다. 시뮬레이션 결과 특정 조건에서는 99.99%의 불량화소 걸출 성공률을 나타냈다. 제안된 알고리듬은 Verilog HDL로 구현되었으며, 0.25 CMOS standard cell library에서 3.2k개의 게이트 수를 갖는다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.981-983
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• 2003

Using the conventional standard CMOS logic process, the high voltage MOSFET to drive top emission OLEDs was fabricated for the silicon-based organic electroluminescent display. The drift region of the conventional high voltage MOSFET was implemented by the n-well of the logic process. The measurement result shows a good saturation characteristic up to 50 V without breakdown phenomena.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.611-612
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• 2006

• 한국정보처리학회논문지
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• 제5권11호
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• pp.2980-2988
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• 1998

본 논문에서는 캐리 선택 방식과 캐리 우회 방식에 의거한 비동기 가산기의 설계에 대하여 기술한다. 이러한 기법을 사용함으로써 본 논문의 가산기는 기존의 리플 캐리 방식의 가산기에 비하여 보다 빠른 속도로 동작한다. 본 논문에서는 CMOS 도미노 논리를 사용하여 가산기를 설계하였으며 비동기 가산기의 동작 완료를 감지할 수 있는 회로를 트리 형태로 구현함으로써 동작 완료에 소요되는 시간을 줄일 수 있도록 하였다. 실험 결과에 의하면 제안된 가산기들은 평균적으로 리플 캐리 방식에 비하여 50 퍼센트 이상의 속도 개선을 기대할 수 있음을 알 수 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1987년도 전기.전자공학 학술대회 논문집(II)
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• pp.1481-1484
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• 1987

The ALU of CMOS microcomputer have been designed with the 3um design rule for CMOS polysilicon gate and Its cells were layed out. The operation of circuits were simulated with EDAS_P. The widths and lengths of gates In the circuit were determined using SPlCE. The carry delay of the ALU was Improved by Manchester carry method. The results of logic and circuit simulation were in good agreement with expected circuit characteristics.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.27-34
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• 2012

This paper presents the impact of time dependent dielectric breakdown (TDDB, also called as gate oxide breakdown) failure on nanoscale digital CMOS Circuits. Recently, TDDB for ultra-thin gate oxides has been considered as one of the critical reliability issues which can lead to performance degradation or logic failures in nanoscale CMOS devices. Also, leakage power in the standby mode can be increased significantly. In this paper, TDDB aging effects on large CMOS digital circuits in the 45nm technology are analyzed. Simulation results show that TDDB effect on MOSFET circuits can result in more significant increase of power consumption compared to delay increase.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.224-227
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• 1999

This paper presents a design of the real-time preprocessor for CMOS image sensor suitable to the digital camera applications. CMOS image sensor offers some advantages in on-chip integration, system power reduction, and low cost. However, it has a lower-quality image than CCDs. We describe an image enhancement algorithm, which includes color interpolation, color correction, gamma correction, sharpening, and automatic exposure control, to compensate for this disadvantage, and present its efficient hardware architecture to implement on the real-time processor. The presented real-time preprocessor was designed using VHDL, and it contains about 19.2K logic gates. We also implement our system on FPGA chips in order to provide the real-time adjustment and it was successfully tested.

• 전기전자학회논문지
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• 제7권1호
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• pp.1-8
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• 2003

본 논문에서는 고내압 및 고속 스위칭 특성을 갖는 고성능 BCD(Bipolar- CMOS-DMOS) 소자 구조를 고안하였다. 공정 및 소자 시뮬레이션을 통하여, 최적화된 공정 규격과 소자 규격을 설계하였으며, 고안된 소자의 전기적 특성을 만족시키기 위하여 이중 매몰층 구조, 트랜치 격리 공정, n-/p- 드리프트 영역 형성기술 및 얕은 접합 깊이 형성기술 등을 채택하였다. 이 스마트 파워 IC는 20V급 Bipolar npn/pnp 소자, 60V급 LDMOS소자, 수 암페어급의 VDMOS, 20V급 CMOS소자 그리고 5V급 논리 CMOS를 내장하고 있다.

• 전자공학회논문지B
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• 제32B권11호
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• pp.1434-1444
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• 1995

Current test has recently been known to be a promising testing method in CMOS VLSI because conventional voltage test can not make sure of the complete detection of bridging, gate-oxide shorts, stuck-open faults and etc. This paper presents a new BIC(built-in current sensor) for the internal current test in CMOS logic circuit. A single phase clock is used in the BIC to reduce the control circuitry of it and to perform a self- testing for a faulty current. The BIC is designed to detect the faulty current at the end of the clock period, so that it can test the CUT(circuit under test) with much longer critical propagation delay time and larger area than conventional BICs. The circuit is composed of 18 devices and verified by using the SPICE simulator.