• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1422-1423
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• 2008

UHF 모바일 RFID 밴드에서 고선형성을 가지는 CMOS 공통 게이트 저 잡음 증폭기를 제안하였다. 제안된 공통 게이트 구성은 고선형성과 광대역 특성을 가진다. 저 잡음 증폭기는 0.35${\mu}m$ (one poly, four metals) CMOS 공정을 사용하여 제작되었고, 제작된 공통 게이트 저 잡음 증폭기의 특성은 잡음 지수 3.2dB, P1dB 1.4dBm, 전압 이득 13.4dB를 가진다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.05a
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• pp.824-825
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• 2015

본 논문은 차량 레이더용 24-GHz/77-GHz 이중 대역 CMOS 저 잡음 증폭기를 제안한다. 이러한 회로는 1.8볼트 전원에서 동작하며, 저 전압 전원 공급에서도 높은 전압 이득과 낮은 잡음지수를 가지도록 설계하였다. 제안한 회로는 TSMC $0.13-{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계되어 있다. 전체 칩 면적을 줄이기 위해 가능한한 많은 부분에 실제 수동형 인덕터 대신 전송선을 이용하였다. 제안한 회로는 최근 발표된 연구결과에 비해 높은 전압 이득, 낮은 잡음지수 및 작은 칩 크기 특성을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2016.05a
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• pp.702-703
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• 2016

본 논문은 차량 단거리 레이더용 고 이득 24-GHz CMOS 저 잡음 증폭기를 제안한다. 이러한 회로는 1.8볼트 전원에서 동작하며, 저 전압 전원 공급에서도 높은 전압 이득과 낮은 잡음지수를 가지도록 설계하였다. 제안한 회로는 TSMC $0.13-{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계되어 있다. 제안한 회로는 최근 발표된 연구결과에 비해 높은 전압이득 및 낮은 잡음지수 특성을 보였다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.22 no.1
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• pp.76-80
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• 2011

This paper has proposed a 3~5 GHz low-power and wideband LNA(Low Noise Amplifier), which has been implemented in a 0.18-${\mu}m$ CMOS technology. The proposed LNA has basically the noise-cancelling topology to achieve a balun-function, wideband input matching, and relative low noise figure. In addition, it has utilized a 2nd-order LC-band-pass filter(BPF) as its output load to achieve higher power gain and lower noise figure with the lowest dc power consumption among previously reported works. The proposed amplifier consumes only 3.94 mA from a 1.8 V supply voltage. The simulation results show a power gain of more than +17 dB, a noise figure of less than +4 dB, and an input IP3 of -15.5 dBm.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.11 no.6
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• pp.893-899
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• 2000

A 900 MHz low-noise amplifier(LNA) with a measured noise figure of 4.8 dB and an associated gain of 13.2 dB was fabricated in a 0.65 $\mu$m CMOS. The inductive source architecture of offers the possibility of achieving the best noise performance. At 900 MHz, the fabricated LNA dissipates 39 mW from a single 3 V power supply including the bias circuitry and provides -26dB input return loss, -17 dB output return loss, and an input 1-dB compression level of -12 dBm.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.47 no.5
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• pp.100-105
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• 2010

A multi-band low noise amplifier (LNA) is designed in 90 nm RF CMOS process for 3GPP LTE (3rd Generation Partner Project Long Term Evolution) applications. The designed multi-band LNA covers the eight frequency bands between 1.85 and 2.8 GHz. A tunable input matching circuit is realized by adopting a switched capacitor array at the LNA input stage for providing optimum performances across the wide operating band. Current steering technique is adopted for the gain control in three steps. The performances of the LNA are verified through post-layout simulations (PLS). The LNA consumes 17 mA at 1.2 V supply voltage. It shows a power gain of 26 at the normal gain mode, and provides much lower gains of 0 and -6.7 in the bypass-I and -II modes, respectively. It achieves a noise figure of 1.78 dB and a IIP3 of -12.8 dBm over the entire band.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2016.05a
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• pp.691-692
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• 2016

본 논문은 802.11a 무선 랜용 5.25-GHz BiCMOS 저 잡음 증폭기를 제안한다. 이러한 회로는 1볼트 전원에서 동작하며, 저 전압 전원 공급에서도 높은 전압 이득을 가지도록 설계하였다. 제안한 회로는 $0.18{\mu}m$ SiGe HBT BiCMOS로 설계되어 있다. 저 전압 및 저 전력 동작을 위해 바이어스 회로는 밴드 갭 참조 (band-gap reference circuit) 바이어스 회로를 사용하였다. 제안한 회로는 최근 발표된 연구결과에 비해 높은 전압이득, 낮은 잡음지수 및 작은 칩 크기 특성을 보였다.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.54 no.2
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• pp.53-57
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• 2017

This paper proposes a 401MHz-406MHz low noise amplifier for MedRadio applications. The proposed low noise amplifier adopts a common gate amplifier topology using current reuse gm-boosting technique. The proposed low noise amplifier shows better performance of voltage gain and noise figure than the conventional gm-boosted common gate amplifier in the same power consumption. The proposed current-reuse gm-boosted low noise amplifier achieves a voltage gain of 22 dB, a noise figure of 2.95 dB, and IIP3 of -17 dBm while consuming $170{\mu}W$ from a 0.5 V supply voltage in $0.13{\mu}m$ CMOS process.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.10a
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• pp.829-831
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• 2012

본 논문은 차량 추돌 예방 레이더용 고 이득 저전력 저잡음 특성을 가진 24GHz 저잡음 증폭기(LNA)를 제안한다. 이러한 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계되어 있다. 증폭기의 전압 이득을 향상시키기 위해 2단 캐스코드 구조로 구성되어 있다. 제안한 저잡음 증폭기는 최근 발표된 연구결과에 비해 41dB의 가장 높은 전압이득과 3.7dB의 가장 낮은 잡음지수 및 2.8dBm의 가장 우수한 IIP3 특성을 각각 보였다.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.53 no.9
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• pp.62-66
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• 2016

This paper presents a MedRadio-band low power low noise amplifier for Medical Devices. A proposed MedRadio-band low power low noise amplifier adopts a current-reuse resistive feedback topology to increase overall gm and reduce power consumption. The gain of the LNA increases by the Q-factor of the additional series RLC input matching network, and its noise figure is minimized by the similar factor. Furthermore, it consumes low power because of low supply voltage and current reuse technique. By exploiting the $g_m$-booting and matching network property, the proposed MedRadio-band low noise amplifier achieves a noise figure of 0.85 dB, a voltage gain of 30 dB, and IIP3 of -7.9 dBm while consuming 0.18 mA from a 1 V supply voltage in $0.13{\mu}m$ CMOS technology.