• 제목/요약/키워드: CMOS회로

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Design of Low Power OLED Driving Circuit (저소비 전력 OLED 디스플레이 구동 회로 설계)

  • 신홍재;이재선;최성욱;곽계달
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2003.07b
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    • pp.919-922
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    • 2003
  • This paper presents a novel low power driving circuit for passive matrix organic lighting emitting diodes (OLED) displays. The proposed driving method for a low power OLED driving circuit which reduce large parasitic capacitance in OLED panel only use current driving method, instead of mixed mode driving method which uses voltage pre-charge technique. The driving circuit is implemented to one chip using 0.35${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS process with 18V high voltage devices and it is applicable to 96(R.G.B)X64, 65K color OLED displays for mobile phone application. The maximum switching power dissipation of driving power dissipation is 5.7mW and it is 4% of that of the conventional driving circuit.

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VLSI Design and Implementation of Inversion and Division over GF($2^m$) for Elliptic Curve Cryptographic System (타원 곡선 암호 프로세서용 GF($2^m$) Inversion, Division 회로 설계 및 구현)

  • 현주대;최병윤
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2003.07b
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    • pp.1027-1030
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    • 2003
  • In this paper, we designed GF(2$^{m}$ ) inversion and division processor for Elliptic Curve Cryptographic system. The processor that has 191 by m value designed using Modified Euclid Algorithm. The processor is designed using 0.35 ${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS technology and consists of about 14,000 gates and consumes 370 mW. From timing simulation results, it is verified that the processor can operate under 367 Mhz clock frequency due to 2.72 ns critical path delay. Therefore, the designed processor can be applied to Elliptic Curve Cryptographic system.

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A Study on the Effect of Device Degradation Induced by Hot-Carrier to Analog Circuits (Hot-Carrier에 의한 소자 외쇠화가 아날로그 회로에 미치는 영향)

  • 류동렬;박종태;김봉렬
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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    • v.31A no.12
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    • pp.91-99
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    • 1994
  • We used CMOS current mirror and differenial amplifier to find out how the degradation of each devices in circuit affect total circuit performance. The devices in circuit wer degraded by hot-carrier generated during circuit operation and total circuit performance were changed according to the change of each device parameters. To examine the circuit performance phenomena of current mirror, we analyzed three diffent kinds of current mirrors and made correlation model between circuit performance and stressed device parameters, and compare hot-carrier immunity of these circuits. Also we analyzed how the performance of differential amplifier degraded from the initial value after hot-carrier stress incircuit operations.

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Design of System module to verify 24GHz four-port direct conversion transceiver (24GHz Four-port 직접변환 송-수신기 검증을 위한 System module 구현)

  • Moon, Seong-Mo;Song, Jun;Lee, Moon-Que
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2008.07a
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    • pp.1923-1924
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    • 2008
  • 본 논문에서는 실리콘 기반에 집적화 가능한 새로운 구조의 K-band 4포트 직접변환 수신기 구조를 제안하며, 복조기를 측정하기 위한 K-band 변조 신호를 구현할 수 있는 변조기 모듈을 제작, 변조 신호와 복조기를 검증하였다. 제안된 수신 구조는 CMOS와 같은 실리콘 기반의 IC에서 집적화 할 수 있는 소형화된 새로운 방법이며, 회로를 검증하기 위하여 0.18um CMOS 공정을 이용 제작, 구조의 가능성을 검증하였다. 또한 비교적 낮은 변조 신호를 이용하여 K-band 대역 이상의 변조 신호를 만들 수 있는 방법을 제안, 제작 측정하였다.

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Flexible/Stretchable Electronics Based on Transfer Printing Technology

  • Song, Yeong-Min
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.104-104
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    • 2014
  • 미래형 전자소자는 높은 성능과 더불어 소형화, 박막화를 거쳐 휘어질 수 있고(flexible), 착용이 가능하며(wearable), 접을 수 있거나(foldable) 늘어날 수 있는(stretchable) 방향으로 발전해 가고 있다. 실리콘, 갈륨비소 등 무기소재를 기반으로 하는 전자소자의 경우 그 성능은 우수하나 딱딱하고 휘어질 수 없는 반면, 유기소재를 기반으로 하는 경우 보다 유연한 구조를 가질 수 있지만 성능이나 신뢰성면에서 아직 개선할 점이 많이 남아있다. 최근에는 성능이 우수한 무기소재를 초박막 형태로 구성하여 이를 휘거나 늘어날 수 있는 기판에 부착하는 형태의 소자들이 많이 개발되고 있으며 이를 통해 박막트랜지스터, LED, CMOS 회로, 태양 전지 및 각종 센서 등이 휘거나 심하게 변형될 수 있는 형태로 진화하였으며, 기존에 구현하기 어려웠던 피부에 부착이 가능한 전자소자, 반구형 구조를 갖는 이미지 센서 등의 구현이 가능하게 되었다. 무기소재 박막을 플렉서블 기판에 부착시키는 데에는 전사 프린팅(transfer printing) 방법이 핵심기술로서 주로 이용된다. 본 튜토리얼은 플렉서블/스트레쳐블 전자소자의 구현을 위한 전사 프린팅 방법을 소개하고, 구체적인 공정 방법과 이를 이용한 독특한 형태 전자소자의 개발에 대해 다루고자 한다.

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Design of 24GHz Low Noise Amplifier for Automotive Collision Avoidance Radar (차량 충돌 예방 레이더 시스템-온-칩용 77GHz 고주파 전단부 설계)

  • Kim, Shin-Gon;Lee, Jung-Hoon;Ryu, Jee-Youl;Noh, Seok-Ho
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2012.10a
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    • pp.815-817
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    • 2012
  • 본 논문에서는 차량 충돌 예방 레이더 시스템-온-칩용 77GHz 고주파 전단부(RF front-end)를 제안한다. 이러한 고주파 전단부는 77GHz의 동작주파수를 가진 저 잡음 증폭기와 고주파 전력 증폭기로 구성된다. 이러한 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정 ($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계되어 있다. 저잡음 증폭기의 경우 전압이득이 36dB로 최근 발표된 연구결과 중 가장 우수한 수치를 보였다. 전력 증폭기는 포화전력과 출력 $P_{1dB}$이 18dBm과 15dBm으로 기존 연구결과 중 가장 우수한 결과를 각각 보였다.

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Design of 24GHz Low Noise Amplifier for Automotive Collision Avoidance Radar (차량 추돌 예방 레이더용 24GHz 저잡음증폭기 설계)

  • Choi, Seong-Kyu;Lee, Jae-Hwan;Kim, Sung-Woo;Ryu, Jee-Youl;Noh, Seok-Ho
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2012.10a
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    • pp.829-831
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    • 2012
  • 본 논문은 차량 추돌 예방 레이더용 고 이득 저전력 저잡음 특성을 가진 24GHz 저잡음 증폭기(LNA)를 제안한다. 이러한 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계되어 있다. 증폭기의 전압 이득을 향상시키기 위해 2단 캐스코드 구조로 구성되어 있다. 제안한 저잡음 증폭기는 최근 발표된 연구결과에 비해 41dB의 가장 높은 전압이득과 3.7dB의 가장 낮은 잡음지수 및 2.8dBm의 가장 우수한 IIP3 특성을 각각 보였다.

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A Design of Single Pixel Readout Circuit for Digital X-ray Image Sensor (디지털 X-ray 이미지 센서용 Single Pixel Readout 회로 설계)

  • Kang, Hyung-Geun;Jeon, Sung-Chae;Jin, Seoung-Oh;Lim, Gyu-Ho;Woo, Eum-Chan;Huh, Young;Sung, Kwan-Young;Park, Mu-Hun;Ha, Pan-Bong;Kim, Young-Hee
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2006.06a
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    • pp.563-564
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    • 2006
  • A single photon counting type image sensor which is applicable for medical diagnosis with digitally obtained image and industrial purpose has been designed using $0.25{\mu}m$triple well CMOS process.

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Design of a Charge Pump Circuit Using Level Shifter for LED Driver IC (LED 구동 IC를 위한 레벨 시프터 방식의 전하펌프 회로 설계)

  • Park, Won-Kyeong;Park, Yong-Su;Song, Han-Jung
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.26 no.1
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    • pp.13-17
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    • 2013
  • In this paper, we designed a charge pump circuit using level shifter for LED driver IC. The designed circuit makes the 15 V output voltage from the 5 V input in condition of 50 kHz switching frequency. The prototype chip which include the proposed charge pump circuit and its several internal sub-blocks such as oscillator, level shifter was fabricated using a 0.35 um 20 V BCD process technology. The size of the fabricated prototype chip is 2,350 um ${\times}$ 2,350 um. We examined performances of the fabricated chip and compared its measured results with SPICE simulation data.

A Design of Gamma Correction Circuit for CMOS Image Sensor (이미지 센서용 감마 교정 회로 설계)

  • Lee, Hyun-Jung;Lee, Dong-Hun;Sonh, Seung-Il
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • v.9 no.1
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    • pp.1008-1012
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    • 2005
  • 최근 디지털 카메라, 영상관련 디지털 기기들의 증가와 DMB(Digital Multimedia Broadcasting)의 시작으로 영상 처리 분야의 중요성이 점차 높아지고 있으며, 적절히 교정하지 못한 영상은 너무 밝거나 또는 너무 어둡게 보일 수 있기 때문에 영상을 컴퓨터 스크린에 정확하게 표현하는 감마교정은 영상을 디스플레이 하는 장치에서 더 많은 비중을 차지하고 있다. 본 논문에서는 영상 입력 장치 또는 카메라 이미지 센서로부터 얻은 Bayer Data 가 전처리 과정에서 수행하는 감마교정에 대해 이해하고, ROM에 감마 값을 고정하여 수행하지 않았다. 구간 선형 알고리즘을 이용한 하드웨어적인 처리를 수행하는 감마 교정을 구현하고자 한다. 이를 위해서 Visual C++을 이용하여 소프트웨어적인 구현과 구간 선형법 알고리즘을 이용한 구현을 검증한 후, 구간 선형 알고리즘을 적용한 감마 교정을 하드웨어로 설계 후, Modelsim6.0a를 이용하여 데이터를 검증한다.

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