• KSBB Journal
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• 제9권2호
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• pp.165-173
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• 1994

재조합 소성장호르몬을 트립신, S.aureus V8 단백질가수분해효소, CNBr, 그리고 산 가수분해법을 이용하여 단백질 일차구조 분석을 실시하였다. N-말단 분석은 30 잔기까지를 수행하였는데, 대장균 내에서 발현된 소성장호르몬은 E. coli 내 에 존재 하는 methionyl-aminopeptidase에 의해 해독개시인자로 넣어준 N-말단의 Met이 모두 제거된 형태로 나타났으며 아미노산 조성분석 결과 연역된 조성과 유사하게 나타났다. 효소와 화학물질로 절단한 소성장호르몬 조각들을 HPLC로 분리한 후 단백질 서열분석기를 이용하여 아미노산 서열을 분석하였다. 대장균에서 발현된 소성장호르몬은 191개의 아미노산으로 구성된 21,802 Da의 분자량을 갖고 있는 단백질로 나타났다. 여기에서 을 갖고 있는 단백질로 나타났다. 여기에서 얻은 아미노산 서열을 바탕으로 hydropathy plot을 한 결과 N-말단에서는 소수성이 그리고 C-말단에서는 친수성 영역이 나타났다.

• Preventive Nutrition and Food Science
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• 제2권4호
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• pp.354-359
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• 1997

Optimal cultivation conditions for the production of phenylalanine ammonia-lyase(PAL) from Rhodotorula aurantiaca K-505 were selected, and the kinetic parameters of the produced PAL were determined. The most suitable carbon and nitrogen sources were glucose and tryptone, respectively. The strain expressed PAL constituttively when using the optimized semi-complex media. High cell density culture could be critical for maximal production of PAl since the PAL ynthesis was growth associated. maximum PAL activity was observed at initial pH 6.0. although the ll growth was not markedly affected by temperature between 22 and 28$^{\circ}C$, the cells yielded the maximum PAL activity when cultivated at 22$^{\circ}C$. The maximum activity for deamination of L-phenylalnine to trans-cinnamic acid was observed around pH 8.8. The PAL activity gave the maximum at 45$^{\circ}C$, and greatly decreased at higher than 5$0^{\circ}C$. Activation energy({TEX}$E_{a}${/TEX}) calculated from Arrhenius equation was 6.28 kcal/mol in the range of 22$^{\circ}C$ to 4$0^{\circ}C$. A oolf plot showed that the enzyme reaction follows Michaelis-Menten equation, whose {TEX}$K_{M}${/TEX} and {TEX}$V_{max}${/TEX} values were 4.65$\times${TEX}$10^{-3}${/TEX} M and 0.89$\mu$ mol/mg-min respectively.

• Progress in Superconductivity
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• 제6권1호
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• pp.89-94
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• 2004

The policrystalline$SmBa_2$$Cu_2$$O_{y}$ was synthesized by the solid state reaction method. The dependence of AC susceptibility on temperature and applied ac field was studied. The critical temperature $T_{c}$ is about 92 K. As the ac field is increased, the slope and the value of real part of susceptibility become smaller and the peak position of imaginary part $T_{P}$ was shifted to a lower temperature with peak broadening. Using Bean's model, we determined intergrain critical current density $J_{c}$ and obtained $44 A/{cm}^2$ at 75 K. From the relation of the $J_{c}$ (T)=($1-T/T_{c}$ )$^{\beta}$ we obtained $\beta$=0.8 and found that the Josephson junction type of the $SmBa_2$$Cu_2$$O_{y}$ is SIS junction. The peak of the imaginary part shifts to higher temperature with increasing frequency, f. from Arrhenius plot, we obtained the activation energy of about 0.96 eV.

• 한국작물학회지
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• 제19권
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• pp.39-46
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• 1975

대두의 수량검정시험을 할때 어떠한 시험구의 크기와 모양이 시험의 정밀도를 높이는데 가장 이상적인가 하는 문제를 소지성품종으로 대표되는 Clark와 민무형이고 다기성품종인 금강대립을 사용하여 토양균일도시험과 아울러 실시하였다. 1) 시험구크기는 증가에 따르는 변이계수의 감소는 어느 크기까지는 현저한 감소를 보였으나 그 이후에서의 변이계수의 감소는 완만하여져, 시험구크기에 따라서 Plotting한 변이계수곡선은 최대만곡점을 이루는 부위가 생긴다. 2) Camparable variance의 비교에 의해 시험구모양간의 F검정을 한 결과, Clark는 시험구크기가 10~18개기본단위구로 구성된 시험구에서, 금강대립은 7~32개기본단위구의 시험구에서만 모양간의 유의차를 보였다. 유의차가 있는 모양간의 변이계수를 비교하면 규수가 많고 규장이 짧은 모양보다는 규수가 적고 규장이긴 세장한 장방형의 모양이 일반적으로 변이계수가 낮았다. 3) 이와같은 결과에 의해 Clark는 1규 x 1m의 기본단위구의 12배(8.4$m^2$) 크기에 모양은 규수 2 $\times$ 규장 6m, 금강대립은 18배(12.6$m^2$)크기에 모양은 규수 2 $\times$ 규장 9m의 시험구가 최적시험구로 추정되며 이때의 변이계수는 Clark와 금강대립에서 각각 12.5%와 12.1%였다. 4) 토양의 균일도측정으로서 회귀계수 b를 이용하였던바, b치는 시험구크기와는 상관이 없었으나 모양간에 차이를 보였다. Clark와 금강대립의 종실수량에 대한 b치는 각각 평균 -0.71과 -0.75로 계산되였다.

• 한국재료학회지
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• 제5권1호
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• pp.3-11
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• 1995

Titanium oxide$(TiO_{2})$ 박막을 금속 알콕사이드 물질인 $(Ti(OC_3H_7)_4$(titanium isopropoxide)를 이용하여 p-Si(100) 기판위에 상압 화학 기상 증착법으로 증착시켰다. $(TiO_{2})$ 박막의 증착기구는 단순경 계층 이론으로 잘 설명되었으며, 화학반응 지배 기구 영역에서 겉보기 활성화 에너지는 18.2kcal/mol이었다. 증착된 박막은 $250^{\circ}C$이상에서 anatase상의 결정질 박막이었으며, 고온에서 열처리를 했을 경우에 rutile상으로 전이하였다. 박막의 상전이에는 열처리 온도외에도 열처리 시간과 박막의 두께가 영향을 미쳤다. 정전용량-전압특성을 조사해 본 결과 전형적인 MOS 다이오드구조의 특성을 보였으며, 비유전율 상수는 약 80정도였다. 제조한 $(TiO_{2})$ 박막의 열처리 공정 후에는 정전용량이 감소하였으며, 첨가물을 사용한 박막은 열처리 전과 같았다. 이때 $V_{FB}$는 -0.5 ~ 1.5V였다. 전기전도 특성을 알아보기 위하여 전류-전압특성을 조사하였으며 증착된 박막의 전도기구는 hopping mechanism이었다. 전기적 특성을 개선하기 위해서 후열처리 방법과 박막 증착시 Nb, Sr을 첨가하였으며, 모두 누설전류의 감소와 정전파괴전압의 증가를 가져왔다.

• Corrosion Science and Technology
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• 제17권1호
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• pp.20-29
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• 2018

Ti and its alloys show the excellent corrosion resistance to chloride environments, but they show less corrosion resistance in HCl, $H_2SO_4$, NaOH, $H_3PO_4$, and especially HF environments at high temperature and concentration. In this study, we used the commercially pure titanium and Ti-6Al-4V alloy, and evaluated the effect of the manufacturing process on the electrochemical properties. We used commercial products of rolled and forged materials, and made additive manufactured materials by DMT (Directed Metal Tooling) method. We annealed each specimen at $760^{\circ}C$ for one hour and then air cooled. We performed anodic polarization test, AC impedance measurement, and Mott-Schottky plot to evaluate the electrochemical properties. Despite of the difference of its microstructure of CP-Ti and Ti-6Al-4V alloys by the manufacturing process, the anodic polarization behavior was similar in 20% sulfuric acid. However, the addition of 0.1% hydrofluoric acid degraded the electrochemical properties. Among three kinds of the manufacturing process, the electrochemical properties of additive manufactured CP-Ti, and Ti-6Al-4V alloys were the lowest. It is noted that the test materials showed a Warburg impedance in HF acid environments.

• 한국식품과학회지
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• 제36권2호
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• pp.349-354
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• 2004

수산식품에서 문제가 되는 식중독 균인 V. parahaemolyticus를 대상으로 온도, pH 및 초기균수에 따른 균의 성장 실험 결과를 데이터베이스화하여 이를 바탕으로 균의 성장을 정량적으로 평가할 수 있는 수학적 모델을 개발하였다. $1.0{\times}10^{2},\;1.0{\times}10^{3},\;1.0{\times}10^{4}\;CFU/mL$의 각 초기균수 조건에서 실험치와 예측치의 상관계수는 각각 0.966, 0.979, 0.965으로 나타났다. 또한, 초기균수를 고려하지 않은 모델식은 상관계수가 0.966으로 다음과 같이 나타났다. Polynomial model: $$k=1.10{\cdot}\exp(-0.5(((T-34.14)/9.09)^{2}+((pH-6.59)/4.68)^{2}))$$ 균의 증식 지표치인 최대증식속도상수 k는 온도에 지배적인 영향을 받았으며, pH 및 초기균수에 따른 유의적인 차이는 없었으므로 (P>0.05), k와 온도와의 관계식인 square root model로 나타내었다. Square root model: $${\sqrt{k}\;0.06(T-9.55)[1-\exp(0.07(T-49.98))]$$ V. parahaemolyticus의 경우, square root model에 의한 실험치와 예측치의 상관계수는 0.977로 polynomial model보다 높은 적용성을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.213-213
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• 2012

It has been known that quantum confinement effect of CdSe nanocrystal was observed by increasing the number of deposition cycle using successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method. Here, we report on thermally-induced quantum confinement effect of CdSe at the given cycle number using spin-coating technology. A cation precursor solution containing $0.3\;M\;Cd(NO_3)_2{\cdot}4H_2O$ is spun onto a $TiO_2$ nanoparticulate film, which is followed by spinning an anion precursor solution containing $0.3\;M\;Na_2\;SeSO_3$ to complete one cycle. The cycle is repeated up to 10 cycles, where the spin-coated $TiO_2$ film at each cycle is heated at temperature ranging from $100^{\circ}C$ to $250^{\circ}C$. The CdSe-sensitized $TiO_2$ nanostructured film is contacted with polysulfide redox electrolyte to construct photoelectrochemical solar cell. Photovoltaic performance is significantly dependent on the heat-treatment temperature. Incident photon-to-current conversion efficiency (IPCE) increases with increasing temperature, where the onset of the absorption increases from 600 nm for the $100^{\circ}C$- to 700 nm for the $150^{\circ}C$- and to 800 nm for the $200^{\circ}C$- and the $250^{\circ}C$-heat treatment. This is an indicative of quantum size effect. According to Tauc plot, the band gap energy decreases from 2.09 eV to 1.93 eV and to 1.76 eV as the temperature increases from $100^{\circ}C$ to $150^{\circ}C$ and to $200^{\circ}C$ (also $250^{\circ}C$), respectively. In addition, the size of CdSe increases gradually from 4.4 nm to 12.8 nm as the temperature increases from $100^{\circ}C$ to $250^{\circ}C$. From the differential thermogravimetric analysis, the increased size in CdSe by increasing the temperature at the same deposition condition is found to be attributed to the increase in energy for crystallization with $dH=240cal/^{\circ}C$. Due to the thermally induced quantum confinement effect, the conversion efficiency is substantially improved from 0.48% to 1.8% with increasing the heat-treatment temperature from $100^{\circ}C$ to $200^{\circ}C$.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.47-52
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• 2008

소자가 점점 고집적화 됨에 따라, MOS 소자 제조에 있어서 $SiO_2$의 두께가 ${\sim}1nm$로 낮아질 경우 발생하는 터널링전류와 문틱전압 천이를 방지할 수 있는 새로운 게이트용 유전물질을 개발하여 소자의 크기를 줄이는데 주력하고 있다. 본 실험에서는 원자층증착(ALD: atomic layer deposition) 방법으로 증착된 $ZrO_2$ 박막의 물리적, 전기적 특성에 대하여 연구하였다. ALD $ZrO_2$ 박막을 증착한 후 Ar 가스 분위기에서 $800^{\circ}C$, 1 시간동안 열처리한 다음 XRD, TEM, 그리고 C-V plots을 이용하여 $Pt/ZrO_2/Si$ 소자의 형태, 결정화 동역학, 그리고 경계층 특성을 평가한 결과 열처리에 의해 소자의 특성이 크게 향상됨을 알 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권8호
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• pp.12-16
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• 2002

산화인듐(ITO)박막은 대기압 저온 플라스마에 의해 식각이 가능하다는 것을 확인했다. 식각은 수소유량 4 sccm에서 가장 깊게 발생하여, 120 /min를 나타내었다. 식각속도는 Hα*의 발광강도와 대응하였다. ITO박막의 식각 메커니즘은 Hα*에 의해 환원이 된후, 남게 된 금속 화합물은 CH*과 반응하여 기판으로부터 이탈한다고 생각된다. 식각은 식각시간 50초 이상에서부터, 기판온도 145℃ 이상부터 발생하기 시작하였다. 활성화 에너지는 Arrehenius plots으로부터 0.16eV(3.75kcal/mole)를 얻었다