ZnO with a large band gap (~3.37 eV) and exciton binding energy (~60 meV), is suitable for optoelectronic applications such as ultraviolet (UV) light emitting diodes (LEDs) and detectors. However, the ZnO-based p-n homojunction is not readily available because it is difficult to fabricate reproducible p-type ZnO with high hall concentration and mobility. In order to solve this problem, there have been numerous attempts to develop p-n heterojunction LEDs with ZnO as the n-type layer. The n-ZnO/p-GaN heterostructure is a good candidate for ZnO-based heterojunction LEDs because of their similar physical properties and the reproducible availability of p-type GaN. Especially, the reduced lattice mismatch (~1.8 %) and similar crystal structure result in the advantage of acquiring high performance LED devices. In particular, a number of ZnO films show UV band-edge emission with visible deep-level emission, which is originated from point defects such as oxygen vacancy, oxygen interstitial, zinc interstitial[1]. Thus, defect-related peak positions can be controlled by variation of growth or annealing conditions. In this work, the undoped ZnO film was grown on the p-GaN:Mg film using RF magnetron sputtering method. The undoped ZnO/p-GaN:Mg heterojunctions were annealed in a horizontal tube furnace. The annealing process was performed at $800^{\circ}C$ during 30 to 90 min in air ambient to observe the variation of the defect states in the ZnO film. Photoluminescence measurements were performed in order to confirm the deep-level position of the ZnO film. As a result, the deep-level emission showed orange-red color in the as-deposited film, while the defect-related peak positions of annealed films were shifted to greenish side as increasing annealing time. Furthermore, the electrical resistivity of the ZnO film was decreased after annealing process. The I-V characteristic of the LEDs showed nonlinear and rectifying behavior. The room-temperature electroluminescence (EL) was observed under forward bias. The EL showed a weak white and strong yellowish emission colors (~575 nm) in the undoped ZnO/p-GaN:Mg heterojunctions before and after annealing process, respectively.
$Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) is one of the most promising photovoltaic materials because of large conversion efficiency which has been achieved with an optimum Ga/(In+Ga) composition in $CuIn_{1-x}Ga_xSe_2$ (X~0.3). The Ga/(In+Ga) content is important to determine band gap, solar cell performances and carrier behaviors at grain boundary (GB). Effects of Ga/(In+Ga) content on physical properties of the CIGS layers have been extensively studied. In previous research, it is reported that GB is not recombination center of CIGS thin-film solar cells. However, GB recombination and electron-hole pair behavior studies are still lacking, especially influence of with different X on CIGS thin-films. We obtained the GB surface potential, local current and I-V characteristic of different X (00.7 while X~0.3 showed higher potential than 100 mV on GBs. Higher potential on GBs appears positive band bending. It can decrease recombination loss because of carrier separation. Therefore, we suggest recombination and electron-hole behaviors at GBs depending on composition of X.
본 논문에서는 MEH-PPV와 DFPP의 폴리머 물질을 이용하여 photovoltaic device가 제작되었고, 그림 1에 두 물질의 분자 구조가 보여진다. Photovoltaic cell의 전기-광학적 특성은 활성층의 폴리머 물질에 의해 결정된다. 이러한 특성을 알아보기 위해서 홉수 스펙트럼이 측정되었다. DFPP는 chloroform, chlorobenzen, THF, acetone에 잘 녹았으며, 본 논문에서는 chloroform이 용매로 사용되었다. 제작 공정은 다음과 같다. 인듐 주석 산화물 (ITO)이 증착된 유리기판은 photolithography 공정을 거친 후, 왕수(HNO$_{3}$ + HCL)로 식각됨으로서 전극의 패턴이 제작되었다. 그리고 ITO 전극 패턴 된 유리기판 위에 PEDOT (CH8000, Baytron)이 코팅된 후 Ar이 주입되는 Convection Oven을 이용하여 120$^{\circ}$C에서 2시간 동안 열처리되어 수분이 제거되었다. 활성층에는 MEH-PPV와 DFPP가 9:1과 2.33:1로 혼합된 폴리머가 사용되었고, 이것은 0.3 %w.t.가 되도록 chloroform에 넣어 5시간 동안 스핀바를 돌려서 용해되었다. 이 용액은 ITO 전극 패턴이 형성된 글라스 위에 3000 rpm으로 45 초간 스핀코팅 되었다. 이 때 얻어진 유기물 박막층은 80$^{\circ}$C의 Ar이 주입되는 convection oven에서 3시간 동안 경화되었다. 경화된 단층 유기물 박막층 위에 Li-Al이 1000 ${\AA}$의 두께로 증착되어 전극이 형성되었고, 이후 질소가 채워진 globe box에서 소자는 encapsulation되어 산소와 수분에 대한 영향으로부터 차단되었다. 상기의 공정으로 제작된 소자의 박막구조는 그림 2에서 보여진다. 그림 3은 MEH-PPV와 DFPP를 혼합했을 때의 흡수 스펙트럼이다. 최대 흡수 파장은 511 nm였다. 그리고 photovoltaic cell의 V-I 특성 결과가 그림 4와 같이 측정되었다. 측정에서는 300${\sim}$700 nm의 파장대를 갖는 태양광 모사계가 사용되었고, 셀의 면적은 10 mm$^{2}$였다. 그림 5의 I-V 특성으로부터 MEH-PPV와 DFPP가 9:1 로 혼합했을 때보다 2.33:1 로 혼합했을 때, photovoltaic device의 효율이 향상됨을 확인할 수 있다. 빛이 75 mW/cm$^{2}$ 의 세기로 조사될 때 9:1과 2.33:1로 혼합된 소자의 open circuit voltage (V$_{oc}$)는 비슷하지만, short circuit current Density (J$_{sc}$)는 각각 -1.39 ${\mu}$A/cm$^{2}$ 와 -3.72${\mu}$A/cm$^{2}$ 로 약 2.7배 정도 증가되었음을 볼 수 있다. 이러한 결과를 통해 electron acceptor인 DFPP의 비율이 높아질수록 photovoltaic cell의 conversion efficiency가 더 크게 됨을 확인할 수 있다. 그러므로 효율이 최대가 되는 두 폴리머의 혼합 비율이 최적화되는 조건을 찾는 것은 매우 중요한 연구가 될 것이다.
In this study, the extruded Al-6.3Zn-2.4Mg alloys were selected among the 7000 series aluminum alloys sensitive to hydrogen environment in order to examine the effects of both the aging conditions and the length of hydrogen charging period on the mechanical properties of the alloy. The specimens were aged for 24hours at $100^{\circ}C$ (under aging (UA)), $120^{\circ}C$ (peak aging (PA)), and $160^{\circ}C$ (over aging (OA)), respectively. Charging tests were performed at RT for 12, 24, 36 hours under potentiostatic conditions (-2000 mV vs (Ag/AgCl)) for 12, 24 and 36 hours in 1M $H_2SO_4$ and 0.1%$NH_4SCN$ solution. The fracture surface was examined by scanning electron microscopy (SEM). X-ray diffraction (XRD) pattern in peak aged sample was obtained before and after hydrogen charging from extruded Al-6.3Zn-2.4Mg alloys. The decreasing rate of tensile strength and elongation is represented in order of over aging < under aging < peak aging, and it is believed that the hydrogen recharge is more sensitive to elongation than tensile strength. The formation of $AlH_3$ in hydrogen charged Al-6.3Zn-2.4Mg alloys has been confirmed by X-ray diffraction studies.
Seo, Young Ho;Kim, Jang Su;Seo, Sung Chul;Seo, Won Hee;Yoo, Young;Song, Dae Jin;Choung, Ji Tae
Clinical and Experimental Pediatrics
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제57권4호
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pp.186-192
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2014
Purpose: The prevalence of macrolide-resistant Mycoplasma pneumoniae (MRMP) has increased worldwide. The aim of this study was to estimate the proportion of MRMP in a tertiary hospital in Korea, and to find potential laboratory markers that could be used to predict the efficacy of macrolides in children with MRMP pneumonia. Methods: A total of 95 patients with M. pneumoniae pneumonia were enrolled in this study. Detection of MRMP was based on the results of specific point mutations in domain V of the 23S rRNA gene. The medical records of these patients were reviewed retrospectively and the clinical course and laboratory data were compared. Results: The proportion of patients with MRMP was 51.6% and all MRMP isolates had the A2063G point mutation. The MRMP group had longer hospital stay and febrile period after initiation of macrolides. The levels of serum C-reactive protein (CRP) and interleukin-18 in nasopharyngeal aspirate were significantly higher in patients who did not respond to macrolide treatment. CRP was the only significant factor in predicting the efficacy of macrolides in patients with MRMP pneumonia. The area under the curve for CRP was 0.69 in receiver operating characteristic curve analysis, indicating reasonable discriminative power, and the optimal cutoff value was 40.7 mg/L. Conclusion: The proportion of patients with MRMP was high, suggesting that the prevalence of MRMP is rising rapidly in Korea. Serum CRP could be a useful marker for predicting the efficacy of macrolides and helping clinicians make better clinical decisions in children with MRMP pneumonia.
This research shows the electrical characteristic using excellent epoxy nano-composite of MgO 5.0 wt% and $SiO_2$ 0.4 wt% in mechanical strength test depending on nano-additive. First of all, volume resistance depending on nano-additive and temperature using high resistance meter (HP. 4329A) by increasing 10, 100, 1,000 V of applying voltage was measured. Moreover, temperature range of $25{\sim}120^{\circ}C$ with virgin sample was tested using TO-9B oven by Ando Company. The result showed that virgin and the samples added with MgO and $SiO_2$ had similar value of volume resistance in low temperature and low electric field region and reduced with slow slope. The nano-composite's volume resistance of sample added with MgO and $SiO_2$ had higher value than virgin sample's volume resistance in high temperature region more than $80^{\circ}C$. Moreover, the slope has steeply reduced. The volume resistance of sample added with MgO 5.0 wt% was $8.38{\times}10^{13}\;{\Omega}{\cdot}cm$ and it was 6.8 times more than virgin sample in high temperature at $120^{\circ}C$. The insulation characteristics were constant although filler has changed in low temperature region. But, in high temperature region, the value of volume resistance of sample with MgO 5.0 wt% was 7.6 times more than the virgin sample's volume resistance.
$[Fe^{II}Fe^{III}BPLMP(OAc)_2](BPh_4)_2$ (1), a new model for the reduced form of the purple acid phosphatases, has been synthesized by using a dinucleating ligand, 2,6-bis[((2-pyridylmethyl)(6-methyl-2-pyridylmethyl)amino) methyl]-4-methylphenol (HBPLMP). Complex I has been characterized by X-ray diffraction method as having (μ-phenoxo)bis(acetato)diiron core. Complex 1 was crystallized in the monoclinic space group C2/c with the following cell parameters: a=41.620(6) Å, b=14.020(3) Å, c=27.007(4) Å, β=90.60(2)°, and Z=8. The iron centers in the complex 1 are ordered as indicated by the difference in the Fe-O bond lengths which match well with typical $Fe^{III}-O\; and\; Fe^{II}-O$ bond lengths. Complex 1 has been studied by electronic spectral, NMR, EPR, SQUID, and electochemical methods. Complex 1 exhibits strong bands at 592 nm, 1380 nm in $CH_3CN$ (ε = 1.0 × 103 , 3.0 × 102). These are assigned to $phenolate-to-Fe^{III}$ and intervalence charge-transfer transitions, respectively. Its NMR spectrum exhibits sharp isotropically shifted resonances, which number half of those expected for a valence-trapped species, indicating that electron transfer between $Fe^{II}\;and\;Fe^{III}$ centers is faster than NMR time scale. This complex undergoes quasireversible one-electron redox processes. The $Fe^{III}_2/Fe^{II}Fe^{III}\;and\;Fe^{II}Fe^{III}/Fe^{II}_2$ redox couples are at 0.655 and -0.085 V vs SCE, respectively. It has $K_{comp}=3.3{\times}10^{12}$ representing that BPLMP/bis(acetate) ligand combination stabilizes a mixed-valence $Fe^{II}Fe^{III}$ complex in the air. Complex 1 exhibits a broad EPR signal centered near g=1.55 which is a characteristic feature of the antiferromagnetically coupled high-spin $Fe^{II}Fe^{III}$ system $(S_{total}=1/2)$. This is consistent with the magnetic susceptibility study showing the weak antiferromagnetic coupling $(J= - 4.6\;cm^{-1},\; H= - 2JS_1{\cdot}S2)$ between $Fe^{II}\; and \;Fe^{III}$center.
It has already been known that quenching effect is influenced greatly by stirring and changing coolant's temperature on quenching. But according to the past investigations its effect has not been taken into consideration quantitatively in the cooling process. The purpose of this study is that the influence of flow rate and temperature on the quenching effect of cooling water as quenching medium is quantitatively examined by using the open channel. The stream of water in this study is turbulent flow. The temperature of the specimen made of pure copper is measured by CA thermocouple in the vicinity of the surface and recorded by an automatic recorder during the quenching process in city water. The results obtained are as follows; 1. The quenching effect of cooling water generally increases with Reynolds Number(characteristic length; specimen diameter)as shown in the experimental formula; but at the realm of Reynolds Number from 1.2 * 10$^{4}$ to 9.2 * 10$^{4}$, the increasing rate of quenching effect shows little increase. 2. The increasing rate of quenching effect was increased under the flow rate of 221 cm/sec. On the other hand, it was decreased below this flow rate. 3. The quenching effect was influenced by the water temperature and the flow rate. But it was rather dependent upon the former than the latter. 4. Although the quenching effect appeared loosely in the water temperature of 50.deg. C, it was shown that the quenching effect increased in the low flow rate of 31 cm/sec. comparing with the still water. 5. It is desirable to design the quenching system to be over 1.2 * 10$^{4}$ in Reynolds Number or over, 3000$cm^{-1}$ / in V/v in order to increase the quenching effect of the system using open channel.annel.
The purpose of this study was to observe characteristic properties of amalgam through the polarization curves and SEM images from 4 type amalgams (Amalcap, Shofu spherical. Dispersalloy and Tytin) with 3 different surface finish procedures (polishing, burnishing and carving) by using the potentiostats (EG & GPARC) and SEM (Jeol JSM-35). After each amalgam alloy and Hg was triturated as the direction of the manufacturer by means of mechanical amalgamator (Samki), the triturated mass was inserted into the cylndrical metal mold which was 12 mm in diameter and 10 mm in height and was pressed with $100kg/cm^2$. 4 specimens of each type amalgam were burnished with egg burnisher and another 4 specimens of each type amalgam were carved with Hollenback carver. Above 8 specimens and remaining untreated 4 specimens were stored at room temperature for about 7 days. Untreated 4 specimens of each type amalgam were polished with abrasive papers (Deer) from #400 to #1200 and finally on the polishing cloth with $0.5{\mu}m$ and $0.06{\mu}m$$Al_2O_3 $ powder suspended water. Anodic polarization measurements was employed to compare the corrosion behaviours of the amalgams in 0.9% saline solution at $37^{\circ}C$. The open circuit potential was determined after 30 minutes immersion of specimen in electrolyte. The scan rate was 1 mV/sec and the surface area of amalgam exposed to the solution was $0.64cm^2$ for each specimen. All the potentials reported are with respect to a saturated calomel electrode (SCE). SEM images of each specimen were taken after + 800 mV (SCE) polarization. The results were as follows: 1. The corrosion potential of high copper amalgam was more anodic than that of low copper amalgam. 2. The polished amalgam were more resistant to corrosion than any other burnished and carved amalgam. 3. In the case of polishing, current density of high copper amalgam was lower than that of low copper amalgam.
IEC 규격을 기반으로 최근에 개정된 KS 규격에 따라 등전위 접지시스템이 중요하게 자리매김 하였으며, 전원시스템의 안정성을 위해 서지보호소자의 사용이 급격히 증가하고 있다. 내재된 비선형 저항성분으로 뛰어난 V-I 특성을 가지는 $Z_nO$ 바리스터는 서지전압을 제한하여 서지전류로 환류시키기 위해 전원용 보호기로 주로 사용되고 있다. 이러한 $Z_nO$ 바리스터는 교류 전원선에 접속하기 위해서 몇 가지 회로조합 형태로 구성되어 사용되는데, 사용자는 바리스터를 직렬 혹은 병렬로 조합하여 사용함에 있어서 안전에 직접적으로 관련된 기능이나 열적 안정성을 포함한 많은 것들을 고려하여야 한다. 본 논문에서는 40[kA]의 전류용량을 가지는 단일 바리스터 소자와 직렬 혹은 병렬 회로조합의 바리스터에 대하여 잔류전압, 방전전류, 누설전류, 표면온도를 측정하여 각각의 조합형태에 따라 안정성을 비교하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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