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한우와 흑한우 CCAAT/Enhancer Binding Protein β(C/EBPβ) 유전자의 발현과 다형분석 (Polymorphism Analysis and Expression of the CCAAT/Enhancer Binding Protein β(C/EBPβ) in the Korean Native Cattle and Black Cattle Storage)

  • 김혜민;이상미;박효영;윤슬기;윤두학;이성수;고문석;문승주;강만종
    • Journal of Animal Science and Technology
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    • 제50권2호
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    • pp.265-272
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    • 2008

  • 지방세포분화 초기에 중요한 역할을 수행하는 것으로 보고되고 있는 C/EBPβ 유전자를 cloning하기 위하여 한우 26개월령 등심조직을 이용하여 Total RNA를 추출하고 RT-PCR을 수행한 결과 한우 및 흑한우 C/EBPβ는 1047bp, 348 아미노산 서열을 가지고 있었다. 한우 및 흑한우 C/EBPβ의 아미노산 서열을 NCBI에 등록된 Japanese black cattle C/EBPβ(NCBI accession No. NM_176788) 비교한 결과 약 97%의 상동성을 나타내었다. 또한 인간, 닭, 생쥐, 쥐의 C/EBPβ 아미노산 서열을 비교한 결과 각각 96%, 58%, 74%, 75%의 상동성을 나타내었다. 그러나 각 종간의 leucine zipper domain간의 상동성은 매우 높게 나타났다. 한우 C/EBPβ의 발현은 폐, 등심, 지방조직에서 나타나고 있으나, 지방조직에서 좀 더 많은 발현을 보이고 있었다. 그리고 C/EBPβ 유전자의 bZIP 영역에서 polymorphism이 나타나지 않음을 확인하였다.

  • https://doi.org/10.5187/JAST.2008.50.2.265 인용 PDF KSCI

A Fully Integrated SoC for Smart Capsule Providing In-Body Continuous pH and Temperature Monitoring

  • Liu, Heng;Jiang, Hanjun;Xia, Jingpei;Chi, Zhexiang;Li, Fule;Wang, Zhihua
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권5호
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    • pp.542-549
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    • 2016

  • This paper presents a SoC (System-on-a-Chip) dedicated for a single-chip smart capsule which can be used to continuously monitor human alimentary canal pH and temperature values. The SoC is composed of the pH and temperature sensor interface circuit, a wireless transceiver, the power management circuit and the flow control logic. Fabricated in $0.18{\mu}m$ standard CMOS technology, the SoC occupies a die area of ${\sim}9 mm^2$. The SoC consumes 6.15 mW from a 3 V power supply, guaranteeing the smart capsule battery life is no less than 24 hours when using 50 mAh coin batteries. The experimental results show that measurement accuracy of the smart capsule is ${\pm}0.1$ pH and ${\pm}0.2^{\circ}C$ for pH and temperature sensing, respectively, which meets the requirement of in-body pH and temperature monitoring in clinical practice.

  • https://doi.org/10.5573/JSTS.2016.16.5.542 인용 PDF KSCI

ECR 플라즈마 화학기상증착법에 의한 0.12nm $\textrm{SiO}_2$ 환산두계를 갖는 Pb(Zr, Ti)$\textrm{O}_3$유전박막의제조 (Fabrication of Vesy Thin Pb(Zr, Ti)$\textrm{O}_3$ Dielectric Films of 0.12nm $\textrm{SiO}_2$ Equivalent Thickness by ECR PECVD)

  • 김재환;김용일;위당문;이원종
    • 한국재료학회지
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    • 제7권8호
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    • pp.635-639
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    • 1997

  • ECR-PECVD법을 사용하여 450-49$0^{\circ}C$이하의 온도에서 Pt/SiO$_{2}$/Si기판 위에 PZT 박막을 증착하였다. 기판 온도가 46$0^{\circ}C$ 이하일 경우에는 페로브스이트 상과 제2상으로 이루어진 박막이 성장하였으며 기판온도가 47$0^{\circ}C$이상일 때에는 페로브스카이트 단일상의 PZT 박막이 성장하였다. 49$0^{\circ}C$에서 매우 얇은 페로브스카이트의 PZT 박막을 증착한 후 $650^{\circ}C$에서 1분간 raped thermal annealing(RTA) 처리한 결과 박막의 조성과 결정성에는 거의 변화가 없었으나 박막의 전하 저장 밀도는 크게 향상되었다. 이는 RTA 처리에 의한 저유전 계면층의 소멸이 주된 이유라고 판단된다. 열처리 후 두께 40-45nm의 PZT박막은 200kV/cm의 전장 하에서 $10^{-6}$$\textrm{cm}^2$이하의 누설전류값을 갖고 있었으며, 인가전압 1V에서 300fF/$\mu$$m^2$의 정전용량, 즉 SiO$_{2}$환산두께 0.12nm를 나타내었다.

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