The possible use of bioglass,, which is one of the surface active biomaterials, as implants materials has drawn great attention due to their ability to bond to human living tissue. In the present work, the investigation was carried out to find the bonding phenomena between alumina substrate and bioglass(45S5) or fluorine-containing bioglass(45S5$.$4F), and the properties of coated bioglass. The stable bonding between alumina and bioglass was formed when heat-treated at 1150$^{\circ}C$ for 120 minutes or at 1250$^{\circ}C$ for 30 minutes for the 45S5, and at 1150$^{\circ}C$ for 30 minutes for the 45S5$.$4F. When bioglass coated alumina was heat-treated, great amount of Al was diffused into bioglass from alumina substrate. More Al was diffused into fluorine-containing bioglass than into bioglass without fluorine. At early stage of heat-tretment, the diffused alumina content was increased with the square root of time and it was also increased with the thickness of coating layer and heat-treatment temperatures. The alumina content became constant after its saturation for longer heat-treatment time. Coated bioglasses were crystallized to Na2O$.$CaO$.$3SiO2 when heat-treated at lower temperature, and to CaO$.$SiO2 at higher temperature.
In this paper, we studied on the firing characteristics and electrical fire analysis of power cord deteriorated by thermal stress. The cross section of PVC insulating cord deteriorated by indirect flame decreased through heat convection. PVC insulating cord deteriorated by direct flame was bumpy shape. The exothermic peak of normal cord was shown at ($526.7^{\circ}C$), but the peaks or on(heat treatment temperature) ($150^{\circ}C$) cord was shown at ($299.6^{\circ}C$) and [$502.2^{\circ}C$]. The exothermic peaks according to high temperature were similar to those of amorphous carbon. In the FT-IR analysis, the absorption peak of normal cord indicated double bond of oxygen and carbon in benzene ring at 1720.0$cm^{1}$. As the HTT was high, the height of characteristic peak decreased and the peak of carbonyl group was shown at about 1625.7$cm^{-1}$. The characteristic peak of single bond(O-H) was shown at about 3479.2$cm^{-1}$. In case of the internal part of wire covering deteriorated by over current, the characteristic peak were shown at about 3417.3$cm^{-1}$ and 1600.2$cm^{-1}$. The above results show that we can distinguish the differences according to the fire pattern through the internalㆍexternal analysis of wire covering deteriorated by heat.
High-Tc superconductor thick films of YBa2Cu$\chi$O7-y (X=3, 3.5, 4) of which thickness varies from 100 $\mu\textrm{m}$ to 200 $\mu\textrm{m}$ were successfully prepared by plasma spraying method, and the characteristics of thick film depending on copper content and heat treatment conditions were investigated. Regardless of heat-treated temperature, the specimens with X=3 were composed of YBa2Cu$\chi$O7-y, Y2BaCuO5 and BaCuO3 phases. The specimens with X=4, however, were composed of YBa2Cu$\chi$O7-y phase at all heat treatment conditions. The specimens with X=4 composition showed the best superconducting characteristics after heat treatment at 925$^{\circ}C$, and the superconducting transition temperature with zero resistivity (Tc,zero) was 87K. The thick film lost superconductivity when the specimens were heat-treated at 950$^{\circ}C$ because of interdiffusion between superconductor elements and bond coating elements and Y2BaCuO5 phase was found was found to be main phase at the interface.
The adhesion interface formation between copper and poly(ethylene terephthalate)(PET), poly(methyl methacrylate)(PMMA) and Polyimide films was treated using Ion assisted reaction system to sequential sputter deposition by High-Frequency ion source. The ion beam modification system used a new type of low power HF ion thruster for space application as new low thruster electric propulsion system. Low power HF ion thruster with diameter 100mm gives the opportunity to obtain beams of Ar+ with currents 20~150 mA (current density 0.5~3.5 mA/cm2) and energy 200~2500eV at HF power level 10~150 W. Using Ar as a working gas it is possible to obtain thrust within 3~8 mN. Contact angles for untreated films were over 95$^{\circ}$ and 80 for Pet, 10o for PMMA and 12o for PI samples as a condition of ion assisted reaction at the ion dose of 10$\times$1016 ions/cm2, the ion beam potential of 1.2 keV and 4 ml/min for environmental gas flow rate. 900o peel tests yielded values of 15 to 35 for PET, 18 to 40 and 12 to 36 g/min. respectively. High resolution X-ray photoelectron spectrocopy is the Cls region for Cu metal on these polymer substrates showed increases in C=O-O groups for polymide, whereas PET and PMMA treated samples showed only C=O groups with increase the ion dose. Finally, unstable polymer surface can be changed from hydrophobic to hydrophilic formation such as C-O and C=O that were confirmed by the XPS analysis, conclusionally, the ion assisted reaction is very effective tools to attach reactive ion species to form functional groups on C-C bond chains of PET, PMMA and PI.
고리(12C4, 15C5, 18C6, DT18C6, DA18C6) 및 비고리$(Q_2O_5)$ 폴리에테르와 11가지의 1차 및 2차 알킬암모늄 이온과의 상호작용을 NMR 적정과 전기전도도법으로 조사하였다. 모든 알킬암모늄 이온은 크라운 에테르 및 비고리 폴리에테르와 수소결합에 의해 비교적 안정한 1:1 착물을 형성하였다. 알킬암모늄 이온과 동공의 크기가 다른 동일계열 호스트와의 상호작용의 세기는 18C6 > 15C5 > 12C4 순이었으며, 알킬암모늄 이온에 대한 호스트 주개원자의 세기는 N > O > S 순이었다. 18C6는 2차 알킬암모늄 이온에 비해 1차 알킬 암모늄 이온과 더 강한 상호작용을 하는 반면, DA18C6는 2차 알킬암모늄 이온과 더 강한 상호작용을 하였다. 또한 25$^{\circ}C$ 메탄올에서 18C6와 알킬암모늄 이온과의 착물형성에 대한 안정도 상수를 전기전도도법에 의해 구하였다. 착물의 안정도는 주로 알킬암모늄의 차수(또는 수소결합 수), 알킬기의 길이, 알킬기의 구조에 의한 입체장애 등에 의해 크게 영향을 받았다.
고체 화합물 La7Os4C9 속에 있는 [Os4C9]21‑ 사슬의 전자구조와 화학결합을 extended Hückel 계산 결과에 의해서 논의하였다. 탄소 원자는 물론 (C2)2‑ 분자의 결합 특성은 비교적 큰 Os-C 상호작용을 나 타내었고 특히 (C2)2‑ 분자의 결합길이 증가는 Fermi level 바로 아래에 Os-C2(1 πg) 결합 밴드의 존재로 인 해서 반결합 1πg 오비탈에 부분적인 전자점유가 일어나기 때문인 것으로 해석된다.
Capacitor material utilized in the downsizing passive devices and dynamic random access memory(DRAM) requires the physical and electrical properties at given area such as capacitor thickness reduction, relative dielectric constant increase, low leakage current and thermal stability. Common capacitor materials, $SiO_2$, $Si_3N_4$, $SiO_2$/$Si_3N_4$,TaN and et al., used until recently have reached their physical limits in their application to several hundred angstrom scale capacitor. $Ta_2O_{5}$ is known to be a good alternative to the existing materials for the capacitor application because of its high dielectric constant (25 ~35), low leakage current and high breakdown strength. Despite the numerous investigations of $Ta_2O_{5}$ material, there have little been established the clear understanding of the annealing effect on capacitance characteristic and conduction mechanism, design and fabrication for $Ta_2O_{5}$ film capacitor. This study presents the structure-property relationship of reactive-sputtered $Ta_2O_{5}$ MIM capacitor structure processed by annealing in a vacuum. X-ray diffraction patterns skewed the existence of amorphous phase in as-deposited condition and the formation of preferentially oriented-$Ta_2O_{5}$ in 670, $700^{\circ}C$ annealing. On 670, $700^{\circ}C$ annealing under the vacuum, the leakage current decrease and the enhanced temperature-capacitance characteristic stability. and the leakage current behavior is stable irrespective of applied electric field. The results states that keeping $Ta_2O_{5}$ annealed at vacuum gives rise to improvement of electrical characteristics in the capacitor by reducing oxygen-vacancy and the broken bond between Ta and O.
Layer silicate 에 지지된 陽이온상에서의 일어난 acetaldehyde, acrolein, 그리고 crotonaldehyde의 吸着機構에 對하여 IR과 X-ray로서 硏究하였다. $1720∼1580㎝^{-1}$의 범위에서 일어난 4個의 특성적인 吸捉 band를 分析한 結果 $130㎝^{-1}$程度로 shift한 carbonyl band 는 >C=O${\cdots}$M형 complex 形成에 基因하는 것이었고, acetaldehyde는 $1722㎝^{-1}$에서, 다른 알데히드는 $1690㎝^{-1}$에서 sharp하게 나타난 carbonyl band는 >C=O와 surface -O-H와의 interaction에서 일어난 것이었다. 그리고 1710∼1660㎝-1에서 나타난 broad한 band는 >C=O와 陽이온 -O-H와의 사이에 일어난 水素結合에 依한 것이었다. 그리고 $1640∼1660㎝^{-1}$사이에 나타난 弱한 band는 carbonyl group 의 强한 吸着에 依하여 誤起된 >C=C< 二重結合에 依한 것이었다. 이 사실들은 X-ray 廻折에 依하여 다시 確認하였다.
실리콘 산화막을 $CHF_{3/}C_2F_6$ 혼합가스를 사용하여 반응성이온 건식식각을 행할 때 실리콘 표면에 형성되는 잔류막과 손상층을 X-선 광전자 분광기(XPS)와 이차이온 질량 분석기(SIMS)를 사용, 연구하였다. 실리콘, 탄소, 산소 및 불소의 angle-resolved XPS분석기술을 이용한 비파괴적 화학결합상태의 깊이분포 분석을 통하여 잔류막의 표면부에 O-F 결합이 존재하며 잔류막은 주로 탄소와 불소의 결합체인 C-F 플리머로 구성되어져 있고 Si-O, Si-C 및 Si-F 결합 등이 존재함을 알았다. 손상층은 실리콘 표면에서 약 60nm 깊이까지 탄소와 불소의 침투에 의해 형성되어져 있음을 알았다.
1-Cyclopropyl-7-(2,7-diazabicyclo[3.3.0]oct-4-en-7-yl)-6-fluoro-8-methoxy-4-oxo-1,4-dihydroquinoline-3-carboxylic acid (HCI salt)의 분자 및 결정 구조를 X-선 회절법으로 연구하였다. 이 결정의 분자식은 C20H21N3O4FCl(이하 CDD), 결정계는 단사정계이고 공간군은 C2/c이다. 단위포상수 a=28.349(2)Å, b=11.941(2)Å, c=12.806(2)Å이며 β=96.428(9)°, V=4307.8Å3, T=296(2)K, Z=8이다. 구조해석에 사용한 X-선은 CuKα선(λ=1.5418Å)을 사용하였다. 분자구조는 직접법으로 풀었으며, 최소자승법으로 정밀화하였다. 최종 신뢰도 R값은 F0>4σ(F0)인 2258개의 독립 회절데이타에 대해 R=4.96%이었다. 이 분자는 내부수소결합 O(28)-H(28)…O(25) [2.517(4)Å, 156.7(447)°]를 가지고 있으며, 분자간의 결합은 van der Waals 힘으로 결합되어 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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