• 한국전자파학회논문지
• /
• 제18권9호
• /
• pp.1039-1046
• /
• 2007

본 논문에서는 부성 자계 결합을 이용한 C-DGS를 제안하고, 이를 이용하여 차단 특성이 향상된 대역 저지 여파기(Bandstop Filter: BSF)를 설계하였다. 제안된 C-DGS는 부성 자계 결합을 이용하기 위해서 DGS 사이의 거리를 좁힌 구조로 부성 자계 결합의 효과로 인하여 차단 특성이 크게 향상된다. C-DGS를 이용한 BSF는 기존 연구 보고된 양면 BSF의 DGS 및 변형된 마이크로스트립 사이의 거리를 좁힘으로써 DGS 사이에 부성 자계 결합을 발생시킨 구조로 차단 특성은 3단 구조에서 -64.3 dB/GHz, 5단 구조에서 -108 dB/GHz 가지며, $4{\sim}11.3$ GHz의 -10 dB 저지 대역을 가진다. 특히, Bragg 법칙의 최대 반사 조건을 만족하는 BSF의 3단 구조와 비교하여 차단 특성을 3.8배 향상시켰고 크기를 35.2 % 감소시켰으며, 5단 구조와 비교하여 차단 특성을 2.4배 향상시켰고 크기를 40 % 감소시켰다. 또한, C-DGS를 이용한 BSF를 이용하여 단일 게이트 혼합기를 설계하여 6.6 dB의 변환 이득을 가짐을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제15권10호
• /
• pp.938-943
• /
• 2004

본 논문에서는 CPW에 식각된 T자형 DGS를 제안하고 전송이론을 이용하여 전파 방사를 포함한 손실률, BW(3-dB fractional bandwidth) 등을 closed-form 형태의 수식으로 유도하고 이의 영향에 대해 분석한다. 제안된 T자형 DGS 구조는 기존의 아령형 DGS 구조보다 약 5.5배정도 큰 커패시턴스(C) 조절 특성을 가진다. 또 DGS 등가회로의 R, L, C값과 손실률, BW, 저지대역 공진 각주파수($\omega_0$)의 상관관계를 정량적으로 이끌어낸다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제18권7호
• /
• pp.834-838
• /
• 2007

본 논문에서는 DGS 사이의 거리를 좁힌 C-DGS(Coupled-Defected Ground Structure)를 제 안하고, 이를 이용하여 차단 특성이 향상된 BSF(Bandstop Filter)를 제안하였다. 제안된 C-DGS는 각 DGS가 가지고 있는 인덕턴스 성분에 자계 결합을 발생시켜, 주기적인 구조를 가진 DGS와 비교해서 차단 특성이 향상된다. 또한, 제안된 C-DGS를 기존 보고된 양면 BSF에 적용시킨 새로운 BSF를 제작 및 측정하였다. C-DGS를 이용한 BSF는 3.8 GHz에서 15.5 GHz의 -20 dB 저지 대역을 가지며, 차단 특성은 110.8 dB/GHz로 기존 양면 대역 저지 여파기와 비교해서 차단 특성을 7.6배 향상시켰다. 제안된 C-DGS는 DGS를 이용한 고성능 여파기 설계에서 유용하게 적용될 수 있을 것이다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제53권3호
• /
• pp.182-186
• /
• 2004

In this paper, 2.4GHz WLAN BPF(Band Pass Filter) which has two DGS(Defected Ground Structure) unit cells was simulated and manufactured. To do this, a unit DGS resonator with resonant frequency is designed. Then the BPF for WLAN with the center frequency of 2.4GHz md the bandwidth of 200MHz is designed using two DGS resonator, finally this circuit is fabricated. We also proposed the equivalent circuit of the BPF employing two DGS resonator. The BPF with DGS was obtained experimental results with network analyzer Agilent 8510C. The measured result shows good agreement with simulated data. Experimental results show the center frequency of 2.45GHz, the insertion loss of 1.08dB, and the 3-dB bandwidth of 470MHz(19.5%). Acceding to the measured values, it is found that the fabricated DGS BPF is available for wireless LAN.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제54권2호
• /
• pp.91-96
• /
• 2005

In this letter, we proposed a novel DGS (Defected Ground Structure) microstrip resonator. The proposed DGS resonator has the resonant and anti-resonant characteristic that is very similar to those of a SAW resonator or a FBAR. In order to confirm the validity of the proposed resonator, we designed and implemented bandpass fitters by using series ana parallel resonators.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
• /
• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
• /
• pp.380-383
• /
• 2003

In this paper, we analyzed the characteristics of a modified DGS(Defected Ground Ground Structure)and extracted the equivalent citcuit of that. The proposed DGS is the structure that connects two DGS units, which are composed of the defects on the metallic ground plane and the gab on the signal line. The gab on the signal line was adopted to induce series capacitor of band pass filter. Also, to confirm the validity of the proposed structure, we designed and implemented C - Band pass filter by using the modified DGS.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제54권3호
• /
• pp.132-138
• /
• 2005

In this paper a DPDT(Double-Pole Double Through) switch with defected ground structure(DGS) is proposed. The equivalent circuit for the proposed switch structure is derived according to based on equivalent circuit of proposed DGS unit structure. The equivalent circuit parameters of DGS unit are extracted by using the circuit analysis method. The on/off operation of the proposed switch is obtained by varying the capacitance of the varactor diode at the defected ground plane. In the case of ON state, the insertion loss of the fabricated DPDT was shown under 1dB. And in OFF state, we found the rejection characteristic over 20dB at the designed frequency 2.45GHz. The experimental results show excellent insertion loss at on state and isolation at off state.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제54권1호
• /
• pp.35-40
• /
• 2005

In this paper, we designed and fabricated the variable impedance line by using the DGS(Defected Ground Structure) which is useful in mounting the external lumped elements. Also we used a varactor diode as Control device stuff at the proposed variable impedance line. We are able to change the impedance of transmission line as varied the capacitance of varactor diode by adjusting DC bias. The impedance variation of the proposed DGS line is about maximum 70 Ω. We will study about the application of DAM(Direct antenna modulation) in the future work.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제13권9호
• /
• pp.1745-1752
• /
• 2009

본 논문은 쉬프만 위상 천이기의 소형화 설계를 위하여 마이크로스트립 선로의 접지면에 결함 접지면 구조를 이용하는 새로운 방법을 제시한다. DGS에 의하여 발생하는 부가적인 인덕턴스와 캐패시턴스 성분에 의하여 전파 지연 특성이 표준형 선로보다 크게 나타나는데, 이로 인하여 DGS를 포함한 전송선로의 전기적 길이가 DGS가 없는 표준 전송선로 전기적 길이보다 길게 나타난다. 표준 쉬프만 위상 천이기에 DGS를 삽입하여 전체적으로 15% 정도의 사이즈를 축소할 수 있었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제52권11호
• /
• pp.536-543
• /
• 2003

In this paper, we describe a unique self oscillating and mixing (SOM) down-converter design using a modified defected ground structure (DGS). The proposed SOM converter is consisted of self-oscillator, which can produce negative resistance and select resonance frequency, RF matching circuit, and IF low pass filter. As the advantage of this SOM converter can mix LO and RF signals as well as inducing LO signal with only one active device. it is designed as a simple structure and the low cost. Also, there is easy advantage to be applied in RFIC/MMIC technology because it offers excellent phase noise performance in spite of using micro-strip structure. The LO signal for the proposed SOM converter is designed at 1㎓ and RF frequency was chosen to be 800MHz. The achieved conversion loss and phase noise performances of the implemented SOM converter are 15㏈ and -95dBc/Hz at 100KHz offset frequency respectively. The equivalent circuit parameters for DGS are extracted by using a three dimensional EM simulator and simple circuit analysis method.