• 대한전자공학회논문지
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• 제25권11호
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• pp.1274-1281
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• 1988

전압제어 적분기에 기초를 둔 새로운 전압-제어 발진기를 개발했다. 전체 회로는 operational transconductance amplifier(OTA)와 접지된 커패시터로 실현한 전압제어 적분기와, 슈미트 트리거(Schmitt trigger)로 구성된다. 입력제어 전류는 적분기의 적분 시정수를 변화시키고, 이것에 의해 회로의 발진 주파수가 바뀐다. 제어 전압이 0V일때 회로를 12.21KHz에서 발진시킬 경우, -2V에서 2V의 제어 전압 범위에서 전압-주파수의 변환 감도는 2.473Hz/V이고, 최대 직선 오차는 0.68%이다. 저주파에서 100KHz까지의 주파수 범위에서 회로의 주파수 안정도는 약 +250ppm/$^{\circ}$C이다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제33권10호
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• pp.1065-1073
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• 2009

In this paper, the estimation method of C(t)-integral for combined mechanical and thermal loads is proposed for elastic-plastic-creep material via 3-dimensional FE analyses. Plasticity induced by initial loading makes relaxation rate different from those produced elastically. Moreover, the interactions between mechanical and thermal loads make the relaxation rate different from those produced under mechanical load alone. To quantify C(t)-integral for combined mechanical and thermal loads, the simplified formula are developed by modifying redistribution time in existing work done by Ainsworth et al..

• 호남수학학술지
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• 제2권1호
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• pp.1-8
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• 1980

논문(論文)[3] (본(本) 논문(論文) 제1부(第1部))에서 미분가능다양체(微分可能多樣體) M 위의 (n-1)차(次) 미분형식(微分型式) ${\beta}^{(n-1)}$이 Compact인 Carrier를 가지면 ${\int}d{\beta}^{(n-1)}=0$이며, (p-1)차(次) 미분형식(微分型式) ${\beta}^{(p-1)}$과 p차(次) 미분가능쇄(微分可能쇄鎖) $C^{(p)}=\Sigma\limits_ik_iS_i{^{(p)}}$에 대(對)하여 ${\int\limits_{c^{(p)}}}d{\beta}^{(p-1)}={\int\limits_{{\partial}{c}^{(p)}}}{\beta}^{(p-1)}$이 성립(成立) (Stokes 정리(定理)의 일반화(一般化))⋯등(等) M위의 적분(積分)에 관한 여러 가지 성질(性質)들을 구명(究明)하였다. 이 성질(性質)들을 토태(土台)로 하여 본(本) 논문(論文)에서는; 제2절(第2節)에서 미분가능다양체(微分可能多樣體) M위의 Lie 도함수(導函數)의 정의(定義)와 Lie적분(微分)에 관(關)한 여러가지 성질(性質)들을 고찰(考察)하고, 제3절(第3節)에서 div X와 Laplace 작용소(作用素) ${\Delta}f$의 정의(定義) 및 실(實) n차원(次元) 가부호미분가능(可符號微分可能) 다양체(多樣體) M 위에서의 divX와 ${\Delta}f$의 적분(積分)에 관(關)한 성질(性質), 즉(卽) $V=\sqrt{{\mid}g{\mid}}dx^1{\Lambda}{\cdots}{\Lambda}dx^n{\in}A^n(M)$에 대(對)하여 $$\int_MdivXV\limits=\int_M{\Delta}fv=0$$인 관계(關係)가 성립(成立)함을 구명(究明)한다. (정리(定理) 3.3)

• 전자공학회논문지C
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• 제35C권6호
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• pp.39-47
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• 1998

본 논문에서는 오버샘플링 A/D변환기의 핵심 회로인 Σ-△변환기를 0.6㎛ CMOS공정을 이용하여 설계하였다. 설계과정은 우선 모델을 개발하여 S-영역에서 적절한 전달함수를 구한 후, 이를 시간 영역의 함수로 변환하여 연산 증폭기의 DC 전압이득, 슬루율과 같은 비 이상적인 요소들을 인가하여 검증하였다. 제안된 시그마-델타 변환기(Sigma-delta modulator, Σ-△변환기)는 음성 신호 대역에 대하여 64배 오버샘플링하며, 다이나믹 영역은 110 dB이상, 최대 S/N비는 102.6 dB로 설계하였다. 기존의 4차 Σ-△ 변환기는 잡음에 대한 전송영점의 위치를 3,4차 적분기단에 인가하는데 반하여 제안된 방식은 잡음에 대한 전송영점을 1,2차 적분기단에 인가함으로써 전체적인 커패시터의 크기가 감소하여 회로의 실질적인 면적이 감소하며, 성능이 개선되고, 소모 전력이 감소하였다. 또한 단위시간에 대한 출력값의 변화량이 3차 적분기의 경우에 비하여 작으므로 동작이 안정적이고, 1차 적분기의 적분 커패시터의 크기가 크므로 구현이 용이하며, 잡음에 대한 억제효과를 이용하여 3차 적분기단의 크기를 감소시켰다. 본 논문에서는 모델 상에서 전체적인 전달함수를 얻고, 신호의 차단주파수를 결정하며, 각 적분기의 출력신호를 최대화하여 적분기 출력신호의 크기를 증가시키고, 최대의 성능을 가지는 잡음에 대한 전송영점을 결정하는 기법을 제안한다. 설계된 회로의 실질적인 면적은 5.25 ㎟이고, 소모전력은 5 V 단일전원에 대하여 10 mW이다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.24-33
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• 1971

부성특성회로로서 쌍트랜지스터 회가의 양에미터단자사이에 용량 C와 저항 R의 병렬회로를 삽입하고, 표준화주파수의 단형파전류원를 에미터·바이어스전류원으로 하여 쌍회로를 구동하면, RC병렬회로는 정부변조회로의 적분회로로서 동작시킬 수 있다. 이 적분회로와 직렬로 신호파전압원을 접속시키면 쌍회로가 구동전원의 표준화펄스에 의하여 구동될 때 마다, RC 적분회로의 적분전압과 신호파전압이 서로 비교되기 때문에 그들의 차전압에 의하여 쌍회로의 트랜지스터들 중의 어느 한 쪽이 ON되기 때문에 그 베이스결합저항단자에는 one bit의 펄스가 송출된다. 본실험에서는 극히 간소한 회로구성을 갖는 쌍트랜지스터회로에 의한 정착변조회로를 제시하고 그들의 특성을 부기하였다. 정착변조파의 품질 혹은 S/N비의 향상을 위하여 고려하여야 할 문제로서, 적분회로의 회로정수 및 양자화전압의 구동펄스의 파고와 파폭의 관계를 검토한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.3139-3141
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• 2000

전압제어 트랜스컨덕터를 설계하여 튜닝범 위가 넓은 Gm-C 대역통과 필터를 CMOS 공정으로 설계하였다 Gm-C 필터는 트랜스컨덕터와 캐패시터로 구성된 적분기를 기본으로 구현되고 있다. 따라서 트랜스 컨덕터는 출력단에 캐패시터를 연결하였을 때 이상적인적인 적분기의 특성에 가까울수록 필터의 특성이 좋아지고 PLL 구조의 튜닝이 용이해진다. 본 논문에서는 1:3이상의 범위에서 튜닝이 가능하고 PLL을 기본으로한 자동튜닝과 선형전압 튜닝을 조합하여 주파수 제어회로를 설계하였다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제33권9호
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• pp.949-956
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• 2009

The C(t)-integral describes amplitude of stress and strain rate field near a tip of stationary crack under transient creep condition. Thus the C(t)-integral is a key parameter for the high-temperature crack assessment. Estimation formulae for C(t)-integral of the cracked component operating under mechanical load alone have been provided for decades. However, high temperature structures usually work under combined mechanical and thermal load. And no investigation has provided quantitative estimates for the C(t)-integral under combined mechanical and thermal load. In this study, 3-dimensional finite element analyses were conducted to calculate the C(t)-integral of elastic-creep material under combined mechanical and thermal load. As a result, redistribution time for the crack under combined mechanical and thermal load is re-defined through FE analyses to quantify the C(t)-integral. Estimates of C(t)-integral using this proposed redistribution time agree well with FE analyses results.

• 대한기계학회논문집A
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• 제26권5호
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• pp.795-802
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• 2002

For assessing significance of a defect in a component operating at high (creeping) temperatures, accurate estimation of fracture mechanics parameter, $C^{*}$-integral, is essential. Although the J estimation equation in the GE/EPRl handbook can be used to estimate the $C^{*}$-integral when the creep -deformation behavior can be characterized by the power law creep, such power law creep behavior is a very poor approximation for typical creep behaviors of most materials. Accordingly there can be a significant error in the $C^{*}$-integral. To overcome problems associated with GE/EPRl approach, the reference stress approach has been proposed, but the results can be sometimes unduly conservative. In this paper, a new method to estimate the $C^{*}$-integral for deflective components is proposed. This method improves the accuracy of the reference stress approach significantly. The proposed calculations are then validated against elastic -creep finite element (FE) analyses for four different cracked geometries following various creep -deformation constitutive laws. Comparison of the FE $C^{*}$-integral values with those calculated from the proposed method shows good agreements.greements.

• Journal of Welding and Joining
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• 제14권1호
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• pp.38-46
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• 1996

High temperature low cycle fatigue crack growth behavior is investigated over a range of two temperatures and various frequencies in SUS 304 stainless steel. It is found that low frequency and temperature can enhance time-dependent crack growth. With high temperature, low frequency and long crack length, ${\Delta}J_c/{\Delta}J_ f$, the ratio of creep J integral range to fatigue J integral range is increased and time-dependent crack growth is accelerated. Interaction between ${\Delta}J_f$ and ${\Delta}J_c$ is occured at high frequency and low temparature and ${\Delta}J_c$, creep J integral range is fracture mechanical parameter on transition from cycle-dependent to time dependent crack growth in creep temperature region.

• 한국정밀공학회지
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• 제15권1호
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• pp.51-59
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• 1998

The purposes of the paper are to consider the failure phenomenon based on delamination and crack when the encapsulant of plastic IC package under hygrothermal loading in the IR soldering process is on elastic and viscoelastic behavior due to the temperature and to show the optimum design using fracture mechanics. The model for analysis is the plastic SOJ package with a dimpled diepad. The package model with the perfect delamination between chip and diepad is chosen to estimate the resistance to fracture by calculating J-integrals in low temperature and C(t)-integrals in high temperature with the change of the design under hygrothermal loading. The optimum design to depress the delamination and crack in the plastic IC package is presented.