최근 인터넷 환경이 반도체, 광통신 그리고 차세대 인터넷 기술의 발달로 고성능화 되어가고 있다. 따라서 고성능 인터넷을 위한 TCP의 성능 향상 연구가 매우 중요해졌다. 그러나 기존 TCP는 수신위도 버퍼의 물리적 크기에 의하여 최대 전송 성능과 대역폭 탐색 기능이 제한을 받는 구조적인 문제점을 갖고 있다. 본 논문에서는 이를 해결하기 위하여 수신 호스트에 가상 윈도 개념을 도입하였다. 이는 송신 호스트가 RTT 동안 균일하게 세그먼트를 분산시켜서 패킷을 전송할 때 세그먼트 간격 시간 동안 수신 호스트의 처리 능력을 가상윈도로 나타내는 것이다. 따라서 가상 윈도의 크기는 수신 호스트의 성능에 비례하기 때문에 수신 호스트가 고성능일 경우 TCP의 전송 능력 성능이 더 높아질 수 있다. 초고속 인터넷일 경우 제안 알고리즘이 기존 TCP보다 전송능력에 있어 1.5∼5배 개선되는 것을 네트워크 시뮬레이션인 NS2를 이용하여 확인하였다.
차세대 반도체 정보기억장치로서 활발하게 연구되고 있는 나노 부유 게이트 메모리 (Nano Floating Gate Memory) 소자를 위해 필수적인 요소인 나노 크리스탈의 형성을 위하여 다양한 굴절률을 가진 실리콘 질화막 (SiNx)을 형성하고 고온 열처리 (rapid thermal annealing)를 실시하여 나노 크리스탈의 형성과 특성에 대한 연구를 진행하였다. 다양한 굴절률을 가진 실리콘 질화막을 형성한 후 나노 크리스탈의 형성을 위하여 열처리를 수행하였고, photoluminescence (PL)를 통하여 굴절률이 높은 Si-rich SiNx 박막의 고온 열처리를 수행한 실리콘 질화막으로부터 나노 크리스탈의 형성을 확인할 수 있었다. 또한 열처리한 실리콘 질화막 위에 Al을 증착하여 MIS 구조를 형성한 후 Capacitance-Voltage (C-V) 특성을 측정하였으며, $900^{\circ}C$에서 열처리한 박막에서 나노 크리스탈에 의한 메모리 효과를 확인할 수 있었다.
In the paper, we propose a design method and process of a hybrid V2X communication module that combines WAVE communication, LTE-V2X communication, and legacy LTE communication in evaluating vehicle V2X electromagnetic compatibility. C-ITS is suitable for safety service applications due to its low latency, and legacy LTE is suitable for applications such as traffic information and infotainment due to its high latency and high capacity. In order to evaluate the V2X communication system, the evaluation equipment must have communication performance of the same level or higher. The main design contents presented in this paper will be applied to the implementation of a hybrid V2X communication module for electromagnetic compatibility evaluation.
온${\cdot}$습도가 벼멸구(Nilaparvata lugens stal)의 생육에 미치는 영향을 알아보기 위하여 30, 25, $20^{\circ}C$의 세 수준의 온도구 내에 습도를 95, 75, 65, $35\%$의 네 수준으로 하여 2세대까지 개체사육한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. $25^{\circ}C$에서 벼멸구의 발육과 비교해 볼 때 $30^{\circ}C$에서는 난기간, 약충기간, 성충수명이 단축되었고 약충의 사망률은 증가하였으며 산란수는 크게 감소하였다. 또한 산란된 난은 수정이 되지 않았거나 배자발육도중 죽음으로서 부화가 전혀 이루어지지 않았다. 2. $25^{\circ}C$와 비교하여 $20^{\circ}C$의 저온에서는 난과 약충 발육기간이 상당히 지연되었고 성충수명이 짧아졌으며 산란수가 크게 감소하였을 뿐 아니라 부화율도 감소하였다. 3. 약충의 치사율은 RH $75\%$ 이상의 비교적 높은 습도조건에서 높았으며 또한 다습조건에서는 성충의 수명이 단축된 결과 산란수가 크게 감소하였다.
진딧물류 천적 혹파리(Aphidoletes aphidimyza (Rondani))의 온도별 발육 및 복숭아혹진딧물에 대한 포식특성을 실험실 및 온실 조건에서 조사하였다. 온도와 유충의 발육속도와의 상관 을 구하였으며 ((regression; development rate (y) : 0.013348x (temperature)-0.173022, F = 41.14, p<0.01)), 발육영점온도는 $13^{\circ}C$이었다. $\25pm$2$^{\circ}C$ 에서 유충 발육기간은 5.3일 이었고, 1세대기간은 29 일이었다. 복숭아혹진딧물 밀도에 따른 혹파리의 포식량은 arena(직경 9cm)당 복숭아혹진딧물 10마리일 때 4마리를 포식하여 포화상태를 나타냈다. 온실조건에서 진디혹파리의 진딧물 포식은 지체적밀도의존반응과 유사한 반응을 보였다.
차세대 소자고립구조로서 연구되고 있는 trench isolation 공정 등에는 실리콘 식각이 요구되며 실리콘 식각 공정중에는 반응성 이온에 의해 격자결함이 발생할 수 있다. 이와같이 생성된 결함은 소자의 전기적 성질을 열화시키므로 열처리를 통하여 제거하여야만 한다. 따라서 본 연구에서는 Ar,Ar/H2 플라즈마로 격자결함을 인위적으로 발생시켜 20$0^{\circ}C$-110$0^{\circ}C$ 질소분위기에서 30분간 열처리에 따른 생성된 격자결함의 소거거동을 관찰하였다. 실리콘 표면에 Schottky 다이오드를 제작하여 I-V, C-V 특성을 측정하므로써 잔류하는 전기적인 손상의 정도를 평가하였다. Ar으로 식각한 경우에는 110$0^{\circ}C$ 30분간 열처리한 결과 모든 격자결함이 제거되나 Ar/H2로 식각한 경우에는 격자결함이 완전히 제거되지 않고 (111)적층결함이 남아있었다.
4H-SiC는 차세대 전력용 반도체로서 고전압, 고전류, 고온 동작에 적합하여 각광을 받고 있다. 전력용 반도체의 항복전압 개선하기 위하여 활성 (active) 영역의 주위에 설계하는 접합마감 (junction termination) 영역의 설계가 필수적이다. P+ 이온주입 및 활성화가 어려운 SiC 특성상 $5{\mu}m$보다 깊은 P+ 접합을 구현하기 어려운 특성상 기존 P+ FLR의 접합마감 소자는 항복전압을 개선하기 어렵다. 접합마감 소자의 항복전압을 효과적으로 증가시키기 위하여 트렌치를 설계하였다. 기존 접합마감 소자의 길이와 항복은 $7{\mu}m$와 473.0 V이지만, 제안된 접합마감 소자의 길이와 항복전압은 $5{\mu}m$와 993.4 V로 우수하였다.
본 논문에서는 차세대 멀티미디어 통신인 IMT-2000의 엑세스 방식으로 제안되고 있는 비동기 W-CDMA(3GPP) 시스템을 적용, 기존의 IS-95와 달리 Pilot symbole을 이용하여 페이딩 채널을 추정하여, 이를 통한 다중 사용자 간섭제거 방법으로 PIC(Parallel Interference Cancellation)을 적용하고 DPCCH(Control)과 DPDCH(Data)의 파워 비에 따른 성능을 분석하였다. 시뮬레이션 결과 Hand design인 경우 사용자 5명의 설정에서 C:D = 3:7 과 4:6 에서 가장 좋은 성능을 보였으며, 사용자를 10명으로 늘렸을 경우 C:D = 4:6 보다는 3:7 의 비율에서 가장 좋은 성능을 보였다.
담배가루이(B biotype)의 온도조건과 기주별로 발육과 생식에 미치는 영향을 조사하였다. 알에서 성충까지의 발육기간은 $15^{\circ}C$에서 86.2일이었고, $30^{\circ}C$에서는 17.0일로 온도가 높아질수록 약 5배 짧았다. 알, 약충 그리고 알에서 성충까지의 발육영점온도는 각각 $10.1^{\circ}C$, $11.6^{\circ}C$, $11.1^{\circ}C$였고, 유효적산온도는 각각 110.3, 204.7, 317.3일도였다. 부화율은 $25^{\circ}C$에서 87.0%, 우화율(부화유충에서 성충까지)은 $20^{\circ}C$에서 76.7%로 높았다. 성충수명은 $20^{\circ}C$에서 23.6일이었고, $30^{\circ}C$에서는 14.0일로 온도가 높을수록 짧았다. 그리고 암컷한마리당 평균 총산란수는 $25.0^{\circ}C$에서 103.3개로 가장 많았으나 온도간에 유의성은 없었다. 1세대당 순증식율($R_{o}$)은 $25^{\circ}C$에서 97.33로 가장 높았다. 그리고 내적자연증가율($r_{m}$)은 온도가 높아 질수록 높아졌으며, $30.0^{\circ}C$에서 0.196으로 가장 높았다. 토마토, 고추, 가지, 포인세치아를 기주로 $25^{\circ}C$ 조건에서 알에서 우화까지의 발육기간은 각각 21.2, 28.1, 22.2, 25.5일이었다. 부화율은 고추에서 90.3%로 가장 높았고, 우화율은 가지에서 89.6%로 가장 높았다. 성충수명은 가지에서 26.5일로 가장 길었고, 고추에서 가장 짧았다. 암컷 한마리당 평균 산란수는 토마토와 가지에서 많았다. 1세대당 순증식율($R_{o}$)은 가지에서 106.1로 가장 높았고, 내적자연증가율($r_{m}$)은 토마토에서 0.165로 가장 높았다. 이상의 결과로 담배가루이의 성장에 적합한 온도범위는 $25~30^{\circ}C$이었고, 가장 적합한 기주식물은 토마토와 가지로 분석되었다.
원예작물의 내병성 육종에 있어 $F_2$와 그 이후 분리 세대에서 유용하게 사용할 수 있는 선발방법의 모델 시스템을 개발하고자 하였다. 상용 토마토 품종인 '모모따로 요크'에 제초제 저항성 유전자를 도입한 후 획득된 형질전환체의 도입 유전자 수와 후대 분리비를 분석하고, 제초제 저항성 유전자와 기존 병 저항성 유전자가 연관된 개체를 선발하였다. 총 60개의 형질전환체 중에서 42개체에 Southern blot을 실시하여 도입 유전자 수를 확인하고, 제초제 저항성 유전자에 대한 분리비를 비교 분석하여 Southern 결과와 도입된 유전자의 표현형의 분리비가 일치하지 않으며 여러 개의 copy가 삽입된 대부분의 경우, 실제 도입된 copy 수보다 더 적은 copy 수를 가지는 것처럼 분리비를 나타내는 것을 알 수 있었다. 삽입된 제초제 저항성 유전자와 기존 병 저항성 유전자가 가깝게 연관된 개체를 찾기 위해 $T_1(F_2)$세대 개체에 대하여 two-stepwise screening 방법을 실시하여 위조병 저항성 I2 유전자(11번 염색체)와 제초제 저항성 patII 유전자가 대략 12-13cM으로 가깝게 연관된 개체(T-20)를 선발하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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