• Maxillofacial Plastic and Reconstructive Surgery
• /
• 제22권4호
• /
• pp.373-382
• /
• 2000

Individual genetic susceptibilities to cancers may result from several factors including differences in xenobiotics metabolism to chemical carcinogens, DNA repair, altered oncogenes and suppressor genes, and environmental carcinogen exposures. Among them, genetic polymorphisms of metabolizing enzymes to chemical carcinogens have been recognized as a major important host factors in human cancers. They have two main types of enzymes: the phase I cytochrome P-450 mediating enzymes (CYPs) and phase II conjugating enzymes. The purpose of this study is to determine the frequencies of genotypes of phase I (CYP1A1 and CYP2E1) and phase II (NAT2) metabolizing enzymes in healthy control and head and neck cancer patients of Korean and to identify the relative high risk genotypes of these metabolizing enzymes to head and neck cancer in Korean. The author has analyzed 132 head and neck cancer patients and 113 healthy controls using polymerase chain reaction-restriction fragment length polymorphism (PCR-RFLP). The results were as following; 1. The frequencies of genotypes of CYP1A1, CYP2E1 and NAT2 in healthy control were as following; CYP1A1 exon 7 polymorphism; Ile/Ile: Ile/Val: Val/Val = 59.3%: 36.3%: 4.4% CYP2E1 Pst I polymorphism, C1/C1: C1/C2: C2/C2 = 61.1%: 32.1%: 6.2% NAT2 polymorphism; F/F: F/S: S/S = 43.4%: 48.7%: 8.0% 2. In analysis of phase I enzyme, Val/Val genotype in CYP1A1 exon 7 polymorphism and C2/C2 genotype in CYP2E1 Pst I polymorphism were associated with relative high risks to head and neck cancers (Odds' ratio: 2.09 and 1.37, respectively). 3. Among the genotypes of NAT2 enzyme polymorphism, S/S genotype of NAT2 enzyme had 1.03 times of relative risk to head and neck cancers. 4. In combined genotyping of CYP1A1, CYP2E1, and NAT2 enzymes polymorphisms, the patients with Val/Val and C1/C1, C2/C2 and fast acetylator, and Val/Val and fast acetylator had higher relative risks than the patients with each baseline of combined genotypes (Odds' ratio: 2.82, 1.98 and 2.1, respectively). These results suggest the combined genotypes of Val/Val and C1/C1, C2/C2 and fast acetylator, and Val/Val and fast acetylator were more susceptible to head and neck cancers in Korean. And genotyping of metabolizing enzymes could be useful for predicting individual susceptibility to head and neck cancer.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제4권2호
• /
• pp.29-34
• /
• 2003

Ferroelectric YMnO$_3$ thin films were etched with Ar/C1$_2$ and CF$_4$/C1$_2$ Plasma. The maximum etch rate of YMnO$_3$ thin film was 300 $\AA$/min at a Cl$_2$/Ar gas mixing ratio of 8/2, an RF power of 800 W, a do bias of-200 V, a chamber pressure of 15 mTorr, and a substrate temperature of 3$0^{\circ}C$. From the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, yttrium was not only etched by chemical reactions with Cl atoms, but also assisted by Ar ion bombardments in Ar/C1$_2$ plasma. In CF$_4$/C1$_2$ plasma, yttrium formed nonvolatile YF$_{x}$ compounds and remained on and the etched surface of YMnO$_3$. Manganese etched effectively by forming volatile MnCl$_{x}$ and MnF$_{y}$. From the X-ray diffraction (XRD) analysis, the (0004) diffraction peak intensity of the YMnO$_3$ thin film etched in Ar/Cl$_2$ plasma shows lower than that in CF$_4$/Cl$_2$ plasma. It indicates that the crystallinty of the YMnO$_3$ thin film is more easily damaged by the Af ion bombardment than the changes of stoichiometry due to nonvolatile etch by-products.cts.s.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제36권2호
• /
• pp.99-108
• /
• 2023

Currently, semiconductor manufacturing industry heavily relies on a wide range of high global warming potential (GWP) gases, particularly during etching and cleaning processes, and their use and relevant carbon emissions are subject to global rules and regulations for achieving carbon neutrality by 2050. To replace high GWP gases in near future, dry etching using alternative low GWP gases is thus being under intense investigations. In this review, we report a current status and recent progress of the relevant research activities on dry etching processes using a low GWP gas. First, we review the concept of GWP itself and then introduce the difference between high and low GWP gases. Although most of the studies have concentrated on potentially replaceable additive gases such as C₄F₈, an ultimate solution with a lower GWP for main etching gases including CF₄ should be developed; therefore, we provide our own perspective in this regard. Finally, we summarize the advanced dry etch process research with low GWP gases and list up several issues to be considered in future research.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제13권6호
• /
• pp.485-492
• /
• 2000

The sintering characteristics and the effects of density on dielectric properties in 0.2Ba(Mg$_{1}$3(Nb$_{2}$3/)O$_3$-0.8Ba(Mg$_{1}$3//Ta$_{2}$3/)O$_3$ceramics were investigated. The samples were made by the powder mixing techniques with the two step calcining conditions. When the 1st and the 2nd calcining temperatures were 120$0^{\circ}C$ and the sintering temperature was 155$0^{\circ}C$the density of samples showed the highest value (7.45 g/cm$^3$, 98.5% of theoretical density) among them. The dielectric constant of samples was nearly independent of density but the tan $\delta$ and the temperature coefficient of dielectric constant decreased linearly with increasing of the density. The quality factor(Q$\times$f), the temperature coefficient of resonance frequency and the dielectric constant of Ba[Mg$_{1}$3(Nb$_{0.2}$/Ta$_{0.8}$)sub 2/3/]O$_3$ceramic were 79,548 GHz, +1.5 ppm/$^{\circ}C$ and 26 in the microwave range, respectively.ely.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제22권4호
• /
• pp.1012-1018
• /
• 2018

본 논문에서는 IoT 센서 처리를 위한 1.8V 공급전압의 CMOS SAR(Successive Approximation Register) A/D 변환기를 설계하였다. 본 논문에서 2개의 A/D 변환기를 병렬로 사용하여 샘플링 속도를 향상시킨 12비트 SAR A/D 변환기를 제안한다. 2개의 A/D 변환기 중 1개의 A/D 변환기는 12자리 비트를 모두 결정하고, 또 다른 A/D 변환기는 다른 A/D 변환기의 상위 6비트를 그대로 사용하여 전력소모와 스위칭 에너지를 최소화하였다. 두 번째 A/D 변환기는 상위 6비트를 결정하지 않기 때문에 컨트롤 회로와 SAR 로직이 필요하지 않아 면적을 최소화하였다. 또한 스위칭 에너지는 커패시터 용량과 C-DAC 내 전압 변화가 클수록 값이 커지는데 두 번째 A/D 변환기는 상위 6비트를 결정하지 않아 스위칭 에너지를 줄일 수 있다. 또한 커패시터 내 스플릿 커패시터 용량을 유닛 커패시터 용량과 동일하게 회로를 구성하여 C-DAC 내 공정오차를 줄일 수 있다. 제안하는 SAR A/D 변환기는 180nm CMOS 공정을 이용하여 설계하였고, 1.8V의 공급전압, 10MS/s의 변환속도, 10.2비트의 ENOB(Effective Number of Bit)이 측정되었다. 핵심 블록의 면적은 $600{\times}900um^2$, 총 전력소모는 $79.58{\mu}W$, FoM(Figure of Merit)는 6.716fJ/step로 확인할 수 있다.

• 생명과학회지
• /
• 제25권8호
• /
• pp.925-931
• /
• 2015

미립 품질 향상을 위하여 미립 형태를 결정하는 특성을 위한 분자육종기술을 확립하기 위하여 미립과 관련된 양적형질 유전자좌를 탐색하고, 이들 환경요인과 상호작용 효과를 분석한 결과는 다음과 같다. 인디카 품종인 ‘청청’과 자포니카형인 ‘낙동’이 교배된 조합 F₁의 약배양에 의해 양성된 120 계통(DH 집단)과 217개의 DNA 마커를 이용하여 전체 길이가 2,067cM이고, 마커간 평균거리가 9.5cM인 유전자 지도를 작성하였다. 미립형태 관련 유전자좌 분석에서 미립의 외형인 길이, 폭, 두께, 장폭비, 천립중과 관련하여 14개의 QTL이 탐색되었다. 현미의 미립길이 관련 3개의 QTL (qGL2, qGL5, qGL7), 미립 폭 관련 3개의 QTL (qGW2-1, qGW2-2, qGW2-3), 미립 두께 관련 1개의 QTL (qGT2), 장폭비 관련 6개의 QTL (qLWR2-1, qLWR2-2, qLWR2-3, qLWR2-4, qLWR7, qLWR12) 및 천립중 관련 1개의 QTL (qTGW8)이 선발되었다. 미립 장폭비 관련 4개의 QTL은 미립길이와 미립두께에서 동일한 염색체 상에서 확인되었다. 본 연구에서 구명된 QTL 마커들은 쌀 품종개량을 위하여 이용될 수 있을 것이라 판단된다.

• 공업화학
• /
• 제9권3호
• /
• pp.457-461
• /
• 1998

본 연구에서는 베지클의 응용성을 확장하기 위한 기초연구로서, DPPC(dipalmitoylphosphaticylcholine)/Chol(Cholesterol)계에 불소화계면활성제($C_8F_{17}(CH_2)_2OCO-CH_2CH(SO_3Na)COO(CH_2)_2C_8F_{17}$, FS)/불소화지방산염 (($C_7F_{15}COONH_4$, FFS)을 여러 가지 비율로 변화시켜 첨가함으로써 베지클을 변형 제조하고, 그 물리화학적 성질을 비교측정하였다. 제조된 베지클계에 대한 제타-전위 측정(Zetamaster Particle Electrophoresis Analyzer) 결과, 균일한 전하의 베지클이 형성되는 것으로 확인되었고, 이는 FFS 분자가 FS와 DPPC 사이에서 보조계면활성제로 기능하여 DPPC와 FS의 각 성분이 동일 베지클내에 공존하도록 작용했기 때문으로 풀이된다. 베지클의 입자크기 결정에서는 FFS의 농도가 증가할수록 그 크기가 감소하고, 제타-전위도 음의 값으로 더욱 작아지는 것으로 나타났다. 베지클의 분산도 변화에서도 DPPC/Chol/FS/FFS계의 경우가 DPPC/Chol/FS계에 비해 안정성이 훨씬 큰 것으로 조사되었다. 베지클의 서방유출 실험에서도 막내에 포집된 MB(Methylene Blue)의 유출속도가 DPPC/Chol/FS/FFS계에서 감소된다는 결과를 얻었고, 이는 FFS의 첨가로 인해 막의 유동성이 감소되기 때문으로 풀이된다. 이 결과는 형광방출 측정의 $I_{Excimer}/I_{Monomer}$값에서도 확인되는 것으로 막의 미세점도가 FFS 첨가 베지클에서 증가되는 것으로 나타났다. 단백질로서 알부민에 대한 친화도를 비교한 결과에서는 DPPC/Chol/FS/FFS계의 친화도가 다소 낮아지는 것으로 나타났다. 이들 실험결과에 바탕하여 FFS의 첨가에 의해 DPPC/Chol/FS 베지클계는 더욱 안정하고 균일한 막의 구조를 갖는 리포솜을 형성한다는 결론을 얻었다.

• 한국식품과학회지
• /
• 제35권5호
• /
• pp.841-848
• /
• 2003

국내산 포도품종을 이용하여 G(거봉100%), M(머루100%), C(캠벨100%), GM(거봉70%+캠벨30%), GC(거봉70%+캠벨30%) 포도주를 제조하여 프랑스산 적포도주 (Cabernet Sauvignon, 1998)와 함께 색도, 향기성분, 맛, 종합평가에 관한 선호도를 순위법(ranking test)으로 측정하고, 분석적 관능평가 방법으로 평가하였다. C(캠벨)는 4.76으로 색도면에서 가장 높은 선호도를 보였으며, 다음으로는 GM(거봉+머루)이 3.94, F(프랑스)가 4.67, M(머루)이 3.70, GC(거봉+캠벨)가 2.65, G(거봉)가 1.47로 높은 선호도 순서를 보였다(p<0.001). 향기성분의 평가에서는 M이 3.94, C가 3.76, GM이 4.12, F가 3.76으로 이들은 유의적으로 가장 높은 선호도를 보였으며, 3.12를 얻은 GC와, 2.29를 얻은 C는 이들보다 낮은 선호도를 보였다(p<0.01). 맛의 평가에서는 4.75를 얻은 F와, 4.25를 얻은 C에 이어, GM이 3.37, GC가 3.50, G가 2.75, M이 2.37로 높은 선호도 순서를 보였다(p<0.001). 색도, 향기성분, 맛을 바탕으로 한 전체적인 종합 평가에서는 F가 4.81, C가 4.06, GM이 3.87로 각각 높은 선호도를 보였으며 다음으로는 3.64를 얻은 GC, 2.37을 얻은 G, 2.44를 얻은 M의 순이었다(p<0.001). 전체적인 종합평가에 가장 높은 영향을 준 인자는 맛 항목으로 69.2%를 설명할 수 있었다. 다음은 색도와 향기성분 순이었으며, 이들 세 항목으로 포도주의전체적 종합평가를 74.4% 설명할 수 있었다. 회귀분석 결과 purple과 red color는 색의 선호도를 각각 28.9%, 8.5% 설명할 수 있었으며, grape flavor는 향기성분에 관한 선호도를 14.4% 설명할 수 있었고 sweet, acid, bitter, salty taste들은 맛의 선호도를 17.3% 설명할 수 있었다. 상관관계 결과 purple과 red 항목은 각각 grape taste, floral taste와 그리고 grape, oak, flavor들과도 양의 상관관계를 보였고, grape flavor는 floral flavor, grape taste, floral taste들과 양의 상관관계를 나타냈으며(p<0.001), $SO_2$향과는 음의 상관관계를 보였다(p<0.001). Sweet taste는 grape, floral flavor와 양의 상관 관계를 보였으며(p<0.001), bitter, astringency taste와는 음의 상관관계를 나타내어(p<0.01), sweet taste가 강할수록 바람직한 향기성분과 맛의 강도가 강하게 평가되었으며, 또한 이들 항목의 점수가 높을수록 선호도도 높이 평가되어 sweet taste, grape, floral flavor와 bitter, astringency taste의 조화는 적포도주의 관능적인 면에서 중요한 요소들임을 알 수 있었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제10권5호
• /
• pp.147-151
• /
• 2009

For integrated passive device (IPD) applications, we have successfully developed and characterized metalinsulator-metal (MIM) capacitors with 2000 $\AA$ plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) silicon nitride which are deposited with the $SiH_4/NH_3$ gas mixing rate, working pressure, and RF power of PECVD at $250^{\circ}C$. Five PECVD process parameters are designed to lower the refractive index and lower the deposition rate of $Si_3N_4$ films for the high breakdown electric field. For the PECVD process condition of gas mixing rate (0.957), working pressure (0.9 Torr), and RF power (60 W), the atomic force microscopy (AFM) root mean square (RMS) value of about 2000 $\AA$ $Si_3N_4$ on the bottom metal is lowest at 0.862 nm and the breakdown electric field is highest at about 8.0 MV/cm with a capacitance density of 326.5 pF/$mm^2$. A pretreatment of metal electrodes is proposed, which can reduce the peeling of nitride in the harsh test environment of heat, pressure, and humidity.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제31권5호
• /
• pp.1199-1203
• /
• 2010

Second-order rate constants ($k_N$) have been measured spectrophotometrically for Michael-type reactions of 1-(X-substituted phenyl)-2-propyn-1-ones (2a-f) with a series of alicyclic secondary amines in MeCN at $25.0{\pm}0.1^{\circ}C$. The $k_N$ value increases as the incoming amine becomes more basic and the substituent X changes form an electron-donating group (EDG) to an electron-withdrawing group (EWG). The Br${\o}$nsted-type plots are linear with ${\beta}_{nuc}$ = 0.48 - 0.51. The Hammett plots for the reactions of 2a-f exhibit poor correlations but the corresponding Yukawa-Tsuno plots result in much better linear correlations with ${\rho}$ = 1.57 and r = 0.46 for the reactions with piperidine while ${\rho}$ = 1.72 and r = 0.39 for those with morpholine. The amines employed in this study are less reactive in MeCN than in water for reactions with substrates possessing an EDG, although they are ca. 8 pKa units more basic in the aprotic solvent. This indicates that the transition state (TS) is significantly more destabilized than the ground state (GS) in the aprotic solvent. It has been concluded that the reactions proceed through a stepwise mechanism with a partially charged TS, since such TS would be destabilized in the aprotic solvent due to the electronic repulsion between the negative-dipole end of MeCN and the negative charge of the TS. The fact that primary deuterium kinetic effect is absent supports a stepwise mechanism in which proton transfer occurs after the rate-determining step.