• 제목/요약/키워드: C/H ratio

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부채꼴방전 플라즈마 개질을 이용한 프로판으로부터의 합성가스 생산 (SynGas Production from Propane using GlidArc Plasma Reforming)

  • 송형운;전영남
    • 대한환경공학회지
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    • 제28권3호
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    • pp.323-328
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    • 2006
  • 본 논문의 목적은 부채꼴방전(GlidArc) 플라즈마 개질을 이용하여 프로판으로부터 카본블랙의 형성이 없는 합성가스 생산을 위한 개질특성과 최적 운전조건을 연구하였다. 또한 수소 생산 및 프로판 전환율을 항상시키기 위해 반응기 내의 촉매반응 영역에 13 wt%의 니켈촉매를 충진하여 수증기 몰 비, 이산화탄소 몰 비, 입력 전력, 주입 유량 변화의 변수별 연구를 수행하였다. 그 결과, 수증기 몰 비, 이산화탄소 몰 비, 입력 전력, 주입 유량이 각각 1.86, 0.48, 1.37 kW, 14 L/min일 때 프로판 전환율이 62.6%로 최적이었다. 위의 조건에서 합성가스의 건가스 기준에 농도는 $H_2\;44.4%,\;CO\;18.2%,\;CH_4\;11.2%,\;C_2H_2\;2.0%,\;C_3H_6\;1.6%,\;C_2H_4\;0.6%,\;C_3H_4$ 0.4%이며, 이산화탄소 전환율은 29.2%, 합성가스 내의 $H_2/CO$ 농도 비는 2.4이다.

시설내 수박재배시 에너지 절약을 위한 야간온도의 조절 (Control of Diurnal Night Temperature on Watermelon(Citrullus vulgaris S.) for Energy Saving Greenhouse)

  • Kwon, Sung-Whan;Chun, Hee
    • 생물환경조절학회지
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    • 제4권2호
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    • pp.131-135
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    • 1995
  • 겨울철 대부분의 시설재배 채소는 야간 온도가 떨어지기 매문에 많은 열 에너지를 공급함으로써 야온을 높여 생장시키기 때문에 에너지 손실이 많다. 본 실험은 수박의 경제적 출하를 목적으로 야온에 대한 생장 효과를 조사하였다. 낮의 온도를 $25^{\circ}C$와 3$0^{\circ}C$로 하고 야간의 온도는 2$0^{\circ}C$에서 3$0^{\circ}C$로 5$^{\circ}C$ 간격을 두고 처리하였다. 두 품종 수박(빛나, 감로) 모두 30/3$0^{\circ}C$ 처리에서 엽면적, 개화수 및 엽수가 가장 많았다. 30(14h)/25(10h) $^{\circ}C$과 30(12h)/25(12h) $^{\circ}C$ 처리구에서는 발아율 및 건중과 엽록소의 함량이 야온을 높인 30/3$0^{\circ}C$ 처리구 보다 높은 경향을 보였다. 25/$25^{\circ}C$와 30/2$0^{\circ}C$는 평균 온도가 같을지라도 수박의 생장에 있어서는 30/2$0^{\circ}C$ 처리구가 25/$25^{\circ}C$에 비하여 생장이 우수하였다. 빛나는 동일 조건에서 감로보다 생장이 우수하였다. 건중 엽면적율은 30/3$0^{\circ}C$와 30/2$0^{\circ}C$ 사이의 온도에서 DIF가 증가함에 따라 감소되었으나, 건중 엽중율은 증가되었다. 시설내 야온을 적절히 낮추어 재배하는 방법이 겨울철 에너지 소모 방지와 수박의 생장에 도움을 줄 것으로 기대된다.

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$H_2/O_2$ 비에 따른 Hybrid HVOF 용사된 $Cr_3C_2$-7wt%(NiCr) 용사층의 특성 및 산화거동 (Characteristics and oxidation behavior of the hybrid-HVOF sprayed $Cr_3C_2$-7wt%(NiCr) coatings depending on $H_2/O_2$ ratio)

  • 김병희;서동수
    • Journal of Welding and Joining
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    • 제15권4호
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    • pp.126-135
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    • 1997
  • $H_2/O_2$ 비에 따른 Hybrid HVOF 용사된 $Cr_3C_2$-7wt%(NiCr) 용사층의 특성 및 산화거동 This study was performed to investigate the influence of fuel/oxygen ratio (F/O=3.2, 3.0, 2.8) on the characteristics and the oxidation behavior of the hybrid-HVOF sprayed $Cr_3C_2$-7wt%NiCr coatings. Decomposition and the oxidation of the $Cr_3C_2$was occured during spraying. The degree of transformation from $Cr_3C_2$to $Cr_7C_3$ was increased with decreasing the F/O ratio. The microstructural differences of the as sprayed coating with F/O ratio can not be distinguished, However, large pores were diminished and then the coatings became dense by heat treatment. Microhardness of the as-sprayed specimen which sprayed with F/O=3.0 condition was hightest ($Hv_{300}$=1140) and the hardness was increased to 1500 after heat treatment at $600^{\circ}C$ for 50hrs in air. It was supposed that hardness was increased due to the formation of $Cr_2O_3$ within $Cr_3C_2$/$Cr_7C_3$matrix and the densification of coating layer during heat treatment. Apparent activation energy for oxidation was varied from 21.2 kcal$mol^{-1}K^{-1}$ to 23.8 kcal$mol^{-1}K^{-1}$ with respect to the F/O ratio. The surface morphology was changed to porous and oxide chusters were grown after oxidation $1000^{\circ}C$ for 50 hours by the aggressive evolution of gas phase ($CrO_3$ and$CO_2$). The oxide cluster was composed of Ni and Cr.

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리튬 2차 전지용 정극 활물질 LiMn$_2$O$_4$의 열처리 조건에 따른 충방전 특성 (Charge/discharge characteristics by heat treatment condition of cathode active material LiMn$_2$O$_4$ for Li rechargeable batteries)

  • 정인성;구할본
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.369-372
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    • 1996
  • We prepared LiMn$_2$O$_4$ by reacting stoichiometric mixture of LiOH.$H_2O$ and MnO$_2$ (mole ratio 1 : 1) and heating at 80$0^{\circ}C$ for 24h, 36h, 48h, 60h and 70h. We obtained through X-ray diffraction that lattice parameter varied as function of heat treatment time. heated cathode active materials at 80$0^{\circ}C$ for 36h, (111)/(311) peak ratio was 0.37. It expected good charge/discharge characteristics. When (111)/(311) peak ratio was 0.37, it will be that crystal structure is farmed very well. In the result of charge/discharge test When heated at 80$0^{\circ}C$ for 36h, charge/discharge characteristic of LiMn$_2$O$_4$is the most property. It agree with our expectation.

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SiC/C 경사기능재료(FGM)의 합성을 위한 SiC/C 분율 조절 (The Control of SiC/C Ratio for the Synthesis of SiC/C Functionally Gradient Materials)

  • 김유택;최준태;최종건;오근호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제32권6호
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    • pp.685-696
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    • 1995
  • The most important techniques in the synthesis of SiC/C function gradient material (FGM) are to control the SiC/C ratio and to obtain the moderate deposition rate. For these, various gas systems and flow rates were attempted and evaluated. It turned out that the CH4+SiCl4+H2 system was suitable for the deposition of SiC-rich layers, the C3H8+SiCl4+Ar system for the deposition of carbon-rich layers, and the C3H8+SiCl4+H2+Ar system was good to deposit the layers between them.

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탄화규소 CVD 공정에서 CH3SiCl3-H2과 C3H8-SiCl4-H2계의 열역학적 비교 (Thermodynamic Comparison of Silicon Carbide CVD Process between CH3SiCl3-H2 and C3H8-SiCl4-H2 Systems)

  • 최균;김준우
    • 대한금속재료학회지
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    • 제50권8호
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    • pp.569-573
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    • 2012
  • In order to understand the difference in SiC deposition between the $CH_3SiCl_3-H_2$ and $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ systems, we calculate the phase stability among ${\beta}$-SiC, graphite and silicon. We constructed the phase-diagram of ${\beta}$-SiC over graphite and silicon via computational thermodynamic calculation considering pressure (P), temperature (T) and gas composition (C) as variables. Both P-T-C diagrams showed a very steep phase boundary between the SiC+C and SiC region perpendicular to the H/Si axis, and also showed an SiC+Si region with a H/Si value of up to 6700 in the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$, and 5000 in the $CH_3SiCl_3-H_2$ system. This difference in phase boundaries is explained by the ratio of Cl to Si, which is 4 for the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system and 3 for the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system. Because the C/Si ratio is fixed at 1 in the $CH_3SiCl_3-H_2$ system while it can be variable in the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system, the functionally graded material is applicable for better mechanical bonding during SiC coating on graphite substrate in the $C_3H_8-SiCl_4-H_2$ system.

Pseudomonas oleovorans의 유가식 배양에 의한 medium chain length Polyhydroxyalkanoates (MCL-PHA) 생산

  • 김범수;임희연
    • 한국생물공학회:학술대회논문집
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    • 한국생물공학회 2000년도 춘계학술발표대회
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    • pp.207-210
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    • 2000
  • P. oleovorans의 유가식 배양에서 탄소원으로 octanoic acid, 질소원으로 $NH_4NO_3$를 이용한 혼합기질을 배양액의 pH 변화에 따라 공급하는 pH-stat 기질공급전략을 개발하였다. 공급기질의 탄소원/질소원 비 (C/N 비)를 변화시킴으로써 최종 균체농도, PHA 농도, PHA 함량 등을 변화시킬 수 있었으며, 최대 균체농도는 C/N 비가 10 (g octanoic acid/g $NH_4NO_3$)일 때 65 g/L, 최대 PHA 농도는 C/N 비가 20일 때 41 g/L, 최대 PHA 함량은 C/N 비가 20일 때 75%였으며 최대 PHA 생산성은 C/N 비가 10일 때 1.03 g/L/h였다.

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CH4/CHCI3/O2N2 예혼합 화염 구조에서 산소부화의 효과 (Effects Of Oxygen Enrichment on the Structure of CH4/CHCI3/O2N2 Premixed Flames)

  • 이기용
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제27권7호
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    • pp.893-900
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    • 2003
  • Numerical simulations of freely propagating flames burning stoichiometric C $H_4$/CHC1$_3$/ $O_2$/$N_2$ mixtures are performed at atmospheric pressure in order to understand the effect of the $O_2$ enrichment level and the CHC1$_3$/C $H_4$ molar ratio. A chemical kinetic mechanism is developed, which involves 69 gas-phase species and 379 forward and 364 backward reactions. The calculated flame speeds are compared with the experiments for the flames established at several CHC1$_3$/C $H_4$ molar ratio (R<1), the results of which is in excellent agreement. As a results of the increased $O_2$ enrichment level from 0.21 to 1, the flame speed and the temperature in the burned gas are increased. At high CHC1$_3$/C $H_4$ molar ratio two peak values appear on the $O_2$ consumption rate, which are affected by CC1$_2$$O_2$$_{-}$>C1O+CC1O and H+ $O_2$$_{-}$>O+OH.+OH.

PECVD에 의한 $\mu$c-Si:H 박막트랜지스터의 제조 (Fabrication of $\mu$c-Si:H TFTs by PECVD)

  • 문교호;이재곤;최시영
    • 전자공학회논문지A
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    • 제33A권5호
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    • pp.117-124
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    • 1996
  • The .mu.c-Si:H films have been deposited by PeCVD at the various conditions such as hydrogen dilution ratio, substrate temperature and RF power density. Then, we studied their electrical and optical properties. Top gate hydrogenated micro-crystalline silicon thin film transistors($\mu$c-Si:H TFTs) using $\mu$-Si:H and a-SiN:H films have been fabricated by FECVD. The electrical characteristics of the devices have been investigated by semiconductor parameter analyzer and compared with amorphous silicon thin film transistors (a-Si:H TFTs). In this study, on/off current ratio, threshold voltage and the field effect mobility of the $\mu$c-Si:H TFT were $3{\times}10^{4}$, 5.06V and 0.94cm$^{2}$Vs, respectively.

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C-S-H 상의 염소이온 흡착 메커니즘 규명을 위한 반응 작용 실험 (Interaction Experiment on Chloride Ion Adsorption Behavior of C-S-H Phases)

  • 윤인석
    • 콘크리트학회논문집
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    • 제29권1호
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    • pp.65-75
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    • 2017
  • C-S-H 상은 시멘트 페이스트의 50~60%를 차지하는 중요한 수화생성물로서, 시멘트 페이스트의 공학적 특성을 결정짓는 가장 중요한 역할을 한다. 이것은 C-S-H 상이 본질적으로 안정되거나 강한 재료라서가 아니라 시멘트입자와 같이 결합하여 연속적인 레이어 층을 형성하기 때문이다. 결합상으로서 C-S-H 상은 나노 단위의 구조로부터 기인하는데, 내구성 측면에서는 염소이온의 흡착을 유발하는 것으로 알려져 있지만 그 메커니즘은 여전히 불분명하다. 그래서 본 연구에서는 C-S-H상이 염소이온 흡착에 미치는 거동을 살펴보고자 하였다. 본 연구의 목적은 다양한 Ca/Si 비율을 갖는 C-S-H 상이 염소이온을 흡착하는 시간의 존적 거동을 고찰하여 염소이온 고정화의 메커니즘을 구명하는 것이다. C-S-H 상은 순간적 물리흡착, 물리 화학적 흡착, 그리고 화학적 흡착의 3단계로 구분되어 순차적인 흡착거동을 보였는데, 순간적으로 흡착되는 표면착물량은 C-S-H 표면 대전체와 염소 이온간의 전기 상호작용에 의한 물리적 흡착에 의하여 발생한다. 높은 Ca/Si 비율에서 C-S-H 표면전하는 커지기 때문에 물리적 흡착은 커지지만 화학적 흡착은 오히려 작아지는 것으로 나타났다. 이는 C-S-H 표면에 물리적 흡착된 염소이온에 의하여 염소이온이 침투하지 못하고 화학적 흡착력까지 저하되기 때문으로 생각된다. 따라서 최대 염소이온 흡착력은 Ca/Si 비율 1.5에서 형성되었다.