• 융합신호처리학회논문지
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• 제10권2호
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• pp.141-145
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• 2009

본 논문에서는 입력 동작에 대하여 상위수준 합성을 수행한 후, 합성결과를 SystemC 코드로 전환하는 C-to-SystemC 합성기를 설계 및 구현하였다. 구현된 합성기의 처리과정은 C 소스코드로 기술된 입력 동작을 list 스케줄링 알고리즘을 이용하여 스케줄링한 후, 스케줄링 결과에 left-edge 알고리즘을 이용하여 레지스터 할당을 수행한다. 레지스터 할당 정보를 이용하여 합성기는 채널 및 포트와 같은 SystemC 특성들로 표현된 SystemC 모듈의 코드를 최종적으로 생성한다. C-to-SystemC 합성기의 동작은 EWF(elliptic wave filter)의 합성결과인 SystemC 모듈의 코드를 시뮬레이션하여 검증한다. C-to-SystemC 합성기는 SystemC 설계방법론의 모델링단계부터 합성단계에 이르는 툴 체인의 한 부분으로 사용될 수 있으며, 생성된 SystemC 모듈은 C 모듈에 비해 재사용이 용이하고 다른 SystemC 모듈과 SystemC 채널을 통하여 별도의 추가처리 없이 통신할 수 있다.

• 한국세라믹학회지
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• 제23권3호
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• pp.9-14
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• 1986

$\beta$-SiC bonded SiC bodies were prepared from various conditions such as several compositions of(Si+C)/$\alpha$ -SiC ratio and different firing schedules and were respectively investigated compressive strength MOR and mi-crostructure. One firing schedule which produced the specimens that had $\beta$-SiC neck form with the highest strength was selected and experimented by each firing temperature. results obtained are as follows : 1) The amount of (Si+C) for th highest MOR of SiC-(Si+C) sintered body is 20wt% 2) By adding 20wt% content of (Si+C) and heating up to 1, 500 with soaking 3hrs respectively at 1,150$^{\circ}C$ 1,250$^{\circ}C$ 1,350$^{\circ}C$ and 1,400$^{\circ}C$ the highest MOR of fired specimen was resulted and its microstructure of ma-trix was composed of close $\beta$-SiC neck. 3) Microstructure of $\beta$-SiC were different greatly from each other by firing time and/or quantity of adding mix-ture and it was confirmed that they were composed of neck particle-like and heterogeneous texture. 4)$\beta$-SiC synthesis proceed rapidly at the temperature between 1,250$^{\circ}C$ and 1,350$^{\circ}C$ 5) All of the properties of 85 SiC-20(Si+C) specimen improved according to increasing temperature above 1,350$^{\circ}C$.

• 대한기계학회논문집A
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• 제29권3호
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• pp.425-431
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• 2005

The efficiency of complex slurry preparation route for developing the high performance SiC matrix of $RS-SiC_{f}/SiC$ composites has been investigated. The green bodies for RS-SiC materials prior to the infiltration of molten silicon were prepared with various C/SiC complex slurries, which associated with both the sizes of starting SiC particles and the blending conditions of starting SiC and C particles. The characterization of Rs-SiC materials was examined by means of SEM, EDS and three point bending test. Based on the mechanical property-microstructure correlation, the process optimization is also discussed. The flexural strength of Rs-SiC materials greatly depended on the content of residual Si. The decrease of starting SiC particle size in the C/SiC complex slurry was effective for improving the flexural strength of RS-SiC materials.

• 농업과학연구
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• 제18권2호
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• pp.119-126
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• 1991

치이즈와 대두 지질의 양상을 비교하기 위하여 이들에 함유되어 있는 지질의 단편, 지질의 종류 및 총지질내의 지방산 조성을 column, thin-layer 및 gas chromatography로 분석하여 그결과를 검토하였다. 치이즈 중성지질, 당지질 및 인지질의 함량은 각각 96.2%, 1.1% 및 0.7%로 나타난 반면 대두의 중성지질, 당지질 및 인지질의 함량은 87.5%, 0.5% 및 4.3%로 나타났다. 치이즈의 총지질 및 중성지질의 주요 지질의 종류는 triglyceride, free fatty acid, cholesterol, diglyceride, monoglyceride 및 polar lipid 였으며 당지질과 인지 질내의 주요 지질의 종류는 triglyceride, diglyceride monoglyceride 및 polar lipid 인 반면 대두 지질 단편중의 지질의 종류는 대부분 triglyceride 였고, 일부 diglyceride, monoglyceride 및 polar lipid의 흔적이 나타났다. 치이즈의 총지질에서 나타난 주요 지방산은 C4:0, C6:0, C8:0, C10:0, C12:0, C14:0, C16:0, C16:1, C16:0, C18:1 및 C18:2 였고, 대두의 총지질에서 나타난 주요 지방산은 C18:0, C18:1, C18:2 및 C18:3였다. 치이즈의 총지질에서 소량의 C14:1, C15:0, C17:0 및 C20:0과 대두의 총지질에서 소량의 C4:0, C6:0 및 C10:0 지방산이 검출되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.357-358
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• 2007

Raman spectra of poly (polycrystalline) 3C-SiC thin films, which were deposited on the oxidized Si substrate by APCVD, have been measured. They were used to study the mechanical characteristics of poly 3C-SiC grown in various temperatures. TO and LO modes of 2.0 m poly 3C-SiC grown at 1180 C occurred at 794.4 and $965.7\;cm^{-1}$. Their FWHMs (full width half maximum) were used to investigate the stress and the disorder of 3C-SiC. The broad FWHM can explain that the crystallinity of 3C-SiC grown at 1180 C becomes poly crystalline instead of the disordered crystal. The ratio of intensity $I_{(LO)}/I_{(TO)}$ 1.0 means that the crystal defect of 3C-SiC/$SiO_2$/Si is small. The biaxial stress of poly 3C-SiC was obtained as 428 MPa. In the interface of 3C-SiC/$SiO_2$, the phonon mode of C-O bonding appeared at $1122.6\;cm^{-1}$. The phonon modes related to D and G bands of C-C bonding were measured at 1355.8 and $1596.8\;cm^{-1}$ respectively.

• 한국세라믹학회지
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• 제33권2호
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• pp.223-227
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• 1996

The effect of ZrC and VC addition on the diffusion induced recrystallization (DIR) of TiC-Cr3C2 has been investigated. With in creasing the amount of added ZrC to Cr3C2 the DIR of TiC was suppressed at the begining and then occurred. On the contrary the DIR was accelerated with the addition of VC to Cr3C2 Because the lattice parameters of (Ti, Cr)C and (Ti,V)C are smaller and that of (Ti, Zr)C is larger than that of TiC the lattice parameter of (Ti,Cr,Zr)C is expected to be similar to that of TiC,. The results indicate that the strain energy due to lattice mismatch between TiC and solid-solution carbide is the driving force of the observed energy due to lattice mismatch between TiC and solid-solution carbide is the driving force of the observed DIR.

• 한국동물학회지
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• 제34권2호
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• pp.228-231
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• 1991

한국인 383명의 Compiement Component 6(C6)의 유전적 다형을 등전점 전기영동과 immunoblotting으로 조사하였다. 5가지 allotypes, C6 A, C6 B, C6 B2, C6 Ml, C6 M11이 나타났고, 이들의 대립유전인자 빈도는 C6*A=0.4399, C6*B=0.5144, C6*B2=0.0392로 산출되어 이는 동아시아인과 비슷하였다.

• Journal of Plant Biology
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• 제11권1호
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• pp.33-37
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• 1968

Present investigation was carried out in order to make clear the fertility, morphological characters, and chromosome numbers of interspecific hybrids of Chrysanthemum Zauadskii, C. indicum, and C. lavandulaefolium. 1. Hybrids were not self-pollinated. When sib-crossed the fertility was 1.3~19.3%. 2. F2 individuals were variable in their morphological Characters. 3. Chromosome numbers of three putative parents were different from those reported previously: C. zawadskii 2n=36, C. indicum 2n=20, C. lavandulaefolium 2n=16, $C. indicum{\times}C. zawadskii 2n=28, C. zawadskii{\times}C. indicum-1 2n=28, C. zawadskii{\times}C. indicum-2 2n=28, C. zawadskii{\times}C. indicum-3 2n=28, C. zawadskii{\times}C. indicum-4 2n=28, C. zawadskii{\times}C. indicum-5 2n=28, C. zawadskii {\times}C. lavandulaefolium-1 2n=26, C. zawadskii{\times}C. lavandulaefolium-2 2n=26.$

• 한국안광학회지
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• 제6권2호
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• pp.65-70
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• 2001

두 개의 토로이드 면이 서로 직각인 토릭렌즈의 두 곡률의 합($C_x+C_y$)는 $$C_x+C_y=\frac{x^2+y^2}{2r_1}+\frac{x^2}{2}(\frac{1}{r_2}-\frac{1}{r_1})$$이며, 사축인 토릭렌즈의 두 곡률의 합 ($C_a+C_b$)은 $$(C_a+C_b)=\frac{x^2cos^2{\alpha}_1}{2r_1}+\frac{x^2cos^2{\alpha}_2}{2r_2}+\frac{y^2sin^2{\alpha}_1}{2r_1}+\frac{y^2sin^2{\alpha}_2}{2r_2}$$이다. $(C_1+C_2)+(C_1+C_2)_{90^{\circ}}$는 구면의 곡률 합$S_{S_1}+S_{S_2}$과 같은 값을 얻었다. 표면 곡률(Cx, Cy) 값을 포함한 사축 토릭렌즈의 합성 굴절력의 parameter S, C, ${\theta}$ 값을 다음과 같다. $$S=(n-1)\[\frac{C_x}{x^2}+\frac{C_y}{y^2}\]-\frac{C}{2},\;C=-\frac{2(n-1)}{sin2{\theta}}\[\frac{C_x}{x^2}+\frac{C_y}{y^2}\]$$ $${\theta}=\frac{1}{2}tan^{-1}\[-\frac{{C_xy^2sin2{\theta}_1}+{C_yx^2sin2{\theta}_2}}{{C_xy^2cos2{\theta}_1}+{C_yx^2cos2{\theta}_2}}\]$$.

• 공업화학
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• 제5권6호
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• pp.1044-1055
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• 1994

Ar 또는 $Ar/H_2$ 가스유통(100~500ml/min)하에서 $ZrSiO_4/C$계 및 $ZrSiO_4/Al/C$계로부터 ZrC/SiC 복합분체의 합성을 $1600^{\circ}C$ 온도범위 내에서 시도하고, 이의 생성기구, 생성속도 및 분체특성을 검토하였다. $ZrSiO_4/C$계에서는 $1400^{\circ}C$ 이상에서 $ZrO_2(s)$와 SiO(g)가 각각 탄소와 경쟁반응하여 ZrC 및 SiC를 생성하였다. ZrC생성을 위한 겉보기활성화에너지는 약 18.5kcal/mol($1400-1600^{\circ}C$)이었다. 한편 $ZrSiO_4/Al/C$계에서는 $1200^{\circ}C$ 이상에서 ZrO(g)가 Al(l, g) 및 탄소와 반응하여 ZrC를 생성하였으며, $1300^{\circ}C$ 이상에서는 SiO(g)가 Al(l, g) 및 탄소와 환원-탄화반응하여 SiC를 생성하였다. $1600^{\circ}C$, 5시간 반응으로 얻은 생성물은 평균입경 $21.8{\mu}m$을 갖는 분말로서 ZrC의 격자정수는 $4.679{\AA}$, 결정자크기는 $640{\AA}$이었으며 SiC의 격자정수는 $4.135{\AA}$, 결정자크기는 $540{\AA}$ 정도이었다.