A Study on Breakdown Voltage Improvement of the Trench IGBT by Extending a Gate Oxide Region beneath the Trench Gate (트렌치 케이트 하단의 게이트 산화막 확장을 통한 트렌치 IGBT의 항복전압 향상에 대한 연구)
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- Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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- 2008.11a
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- pp.74-75
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- 2008