• 문화기술의 융합
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• 제4권3호
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• pp.209-212
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• 2018

이방성 도전필름(ACF)을 사용한 본딩은 납땜이 용이하지 않은 이질적인 소재 간 미세 접합을 형성하는데 널리 사용되어진다. 성공적인 ACF 본딩 구현을 위한 3가지 제한조건이 존재한다. 본딩 접촉점은 설정된 작업 시간동안 적절한 압력과 온도를 유지한 헤드에 의해서 압착되어야 한다. 본 논문에서는 머신 비전을 기반으로 한 ACF 본딩기법을 제안하고 실험을 통해 검증한다. 시스템은 본딩 작업대 상의 PCB 위치 및 방향을 계산하고 헤드가 압착되어야 하는 최적의 접촉점을 결정한다. 제안한 시스템이 접촉면 상의 헤드 평탄도를 보장함으로써 접착력을 향상시킬 수 있음을 실험결과를 통해 보여준다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제16권1호
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• pp.27-31
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• 2009

본 논문에서는 웨이퍼 레벨 기술을 이용한 CIS용 폴리머 접합 기술을 연구하고 접합 후의 warpage 분석과 개별 패키지의 신뢰성 테스트를 수행하였다. 균일한 접합 높이를 유지하기 위하여 glass 웨이퍼 상에 dam을 형성하고 접합용 폴리머 층을 patterning하여 Si과 glass 웨이퍼의 접합 테스트를 수행하였다. Si 웨이퍼의 접합온도, 접합 압력 그리고 접합 층이 낮을수록 warpage 결과가 감소하였으며 접합시간과 승온 시간이 짧을수록 warpage 결과가 증가하는 것을 확인하였다. 접합 된 웨이퍼를 dicing 하여 각 개별 칩 단위로 TC, HTC, Humidity soak의 신뢰성 테스트를 수행하였으며 warpage 결과가 패키지의 신뢰성 결과에 미치는 영향은 미비한 것으로 확인되었다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제22권1호
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• pp.77-82
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• 2004

The effect of bonding condition on tensile properties of joints diffusion bonded spheroidal graphite cast iron, FCD60 to Cr-Mo steel, SCM 440 was investigated. Diffusion bonding was performed with various temperatures, holding times, pressures and atmospheres. All tensile specimens were fractured at the bonding interface. The tensile strength and elongation was increased with increasing bonding temperature. Especially, tensile strength of joints bonded at 1123K was higher than that of a raw material, FCD60, and tensile strength of joints bonded at 1173K was equal to that of a raw material, SCM440, but elongation of all joints was lower than those of raw materials. There was little the effect of holding time on the tensile properties. In comparison with bonding atmosphere, the difference of tensile strength was not observed, but elongation of joint bonded at vacuum(6.7mPa and 67mPa) was higher than that of Ar gas. Higher the degee of vacuum, elongation increased. Tensile properties of diffusion bonds depended on microstructures of cast iron at the interface and void ratio. Microstructures of cast iron at interface changed with temperature, because decarburizing and interdiffusion at the interface occurs and transformation of austenite-1 ferrite + graphite occurs on the cooling process. The void ratio decreased with increasing temperature, especially, effected on the elongation.

• 한국재료학회지
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• 제16권10호
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• pp.652-655
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• 2006

A direct wafer bonding process necessary for GaAs-on-insulator (GOI) fabrication with high thermal annealing temperatures was studied by using PECVD oxides between gallium arsenide and silicon wafers. In order to apply some uniform pressure on initially-bonded wafer pairs, a graphite sample holder was used for wafer bonding. Also, a tool for measuring the tensile forces was fabricated to measure the wafer bonding strengths of both initially-bonded and thermally-annealed samples. GaAs/$SiO_2$/Si wafers with 0.5-$\mu$m-thick PECVD oxides were annealed from $100^{\circ}C\;to\;600^{\circ}C$. Maximum bonding strengths of about 84 N were obtained in the annealing temperature range of $400{\sim}500^{\circ}C$. The bonded wafers were not separated up to $600^{\circ}C$. As a result, the GOI wafers with high annealing temperatures were demonstrated for the first time.

• 센서학회지
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• 제5권1호
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• pp.51-56
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• 1996

Structural properties of rf sputtered boron nitride films were studied as a function of deposition parameters such as nitrogen pressure, substrate temperature and substrate bias using X-ray photoelectron spectroscopy and Auger electron spectroscopy. Composition and information on chemical bonding of resultant films was determined by XPS. XPS core level spectra showed that ratio of boron to nitrogen varied from 3.11 to 1.45 with respect to partial nitrogen pressure. Curve fitting of XPS spectra revealed three kinds of bonding mechanism of boron in the films. XPS peak positions of both B 1s and N 1s shifted to higher energy with higher nitrogen pressure as well as increase in substrate bias voltage. AES was used to see possible contamination of films by carbon or oxygen as well.

• 한국안광학회지
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• 제5권2호
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• pp.193-199
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• 2000

수소화된 비정질 탄소 박막은 PECVD 방법으로 제작하였으며 박막의 증착률은 아세틸렌 가스의 함량에 의존하였다. 이것은 메탄 기체를 사용하였을 때와 비교해 조금 높았다. 박막의 광학적 밴드 갭은 1.4~1.8eV였으며 아세틸렌 함량에 밀접한 연관성을 보여주었다. Raman과 FTIR 분광에 의하여 $sp^3/sp^2$의 정성적인 분율을 결정할 수 있었으며 이러한 결과로부터 아세틸렌 함량 13.8%의 박막이 최적의 조건이었다.

• 대한기계학회논문집 C: 기술과 교육
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• 제3권4호
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• pp.265-271
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• 2015

스마트폰을 비롯한 고성능 모바일 전자기기의 발전에 따라서 경박단소한 전자부품의 요구가 커지고 있으며 이를 위해서 새로운 패키징 방법이 탄생하고 있다. 이러한 새로운 패키징 공정에서 웨이퍼 본딩 공정이 많이 요구되고 있다. 웨이퍼 본딩에서 많이 활용되는 방법이 열 압착 방법으로 가열된 헤드로 웨이퍼에 압력을 가하여 본딩하는 방법이다. 열 압착 방법에서 요구되는 공정조건은 온도 균일성과 Uniform Press이다. 온도 균일성은 마이크로 히터와 열 해석을 통한 설계로 비교적 쉽게 요구조건을 만족 시킬 수 있지만 Uniform Press를 가공과 조립으로만 요구조건을 만족시키기 위해서는 매우 높은 정밀도가 요구된다. 열 압착 방법은 고온에서 동작되므로 열 변형에 대한 기계적인 오차를 고려하여 설계, 가공, 조립이 진행되어야하므로 많은 어려움이 따른다. 본 연구에서는 Air 스프링과 Metal Form의 자가 보정장치를 이용하여 가공, 조립, 열 변형으로 발생하는 기계적 오차를 보상하여 성능과 신뢰성을 향상시켰다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제34권3호
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• pp.22-29
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• 2006

친환경 건축자재에 대한 관심이 높아짐에 따라서 가구 및 건축 내외장재로 사용되는 목질복합재료에 대한 친환경적 성능에 대한 요구는 점차 커져가는 추세이다. 목질 복합재료는 일반적으로 그 자체로 사용하기 보다는 표면재를 붙여서 사용하는데 이때 사용되는 요소포름알데히드 접착제를 친환경적인 SIS계 핫벨트 점착제로 대체코자 하는 데 이 연구의 목적이 있다. 본 연구에서는 기질고분자의 diblock 함량, 점착부여수지의 연화점 및 함량 등을 변화시키면서 여러 종류의 핫벨트 점착제를 제조하고 각각의 점착제에 의한 무늬목 부착성능을 평가함으로써 점착형 표면재에 대한 가능성을 제기하였다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제28권4호
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• pp.435-442
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• 2004

This paper presents a hermetic MEMS on-chip package bonded by a closed-loop AuSn solder-line. We design three different package specimens, including a substrate heated specimen without interconnection-line (SHX), a substrate heated specimen with interconnection-line (SHI) and a locally heated specimen with interconnection-line (LHI). Pressurized helium leak test has been carried out for hermetic seal evaluation in addition to the critical pressure test for bonding strength measurement. Substrate heating method (SHX, SHI) requires the bonding time of 40min. at 400min, while local heating method (LHI) requires 4 min. at the heating power of 6.76W. In the hermetic seal test. SHX, SHI and LHI show the leak rates of 5.4$\pm$6.7${\times}$$^{-10}$ mbar-l/s, 13.5$\pm$9.8${\times}$$^{-10}$ mbar-l/s and 18.5$\pm$9.9${\times}$$^{-10}$ mbar-l/s, respectively, for an identical package chamber volume of 6.89$\pm$0.2${\times}$$^{-10}$. In the critical pressure test, no fracture is found in the bonded specimens up to the applied pressure of 1$\pm$0.1MPa, resulting in the minimum bonding strength of 3.53$\pm$0.07MPa. We find that the present on-chip packaging using a closed AuSn solder-line shows strong potential for hermetic MEMS packaging with interconnection-line due to the hermetic seal performance and the shorter bonding time for mass production.

• Composites Research
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• 제20권5호
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• pp.34-42
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• 2007

본 논문에서는 탄소 복합재와 알루미늄으로 구성된 이종재료 단일겹침 접착 체결부에서, 파손하중에 영향을 미치는 주요인자들의 효과를 실험적으로 연구하였다. 실험을 위해 접착압력 4가지(2, 3, 4, 6기압), 겹침길이 6가지(15, 20, 25, 30, 35, 40 mm), 모재 두께 2가지(1.58, 3.01 mm)에 대한 시편 총 66개를 제작하였다. 실험 결과 접착제 FM73에 대해 제작사에서 제시한 접착압력은 약 3기압이었지만 본 연구에서 사용한 이종재료 접착의 경우, 최소 4기압 이상의 접착압력이 필요함을 확인하였다. 겹침길이를 증가시킬 경우 파손하중이 증가하지만 접착부의 폭과 길이의 비가 1을 넘어갈 경우 접착강도 즉 단위 접착면적당의 파손하중의 증가는 크지 않았다. 모재의 두께도 접착부 파손하중 및 강도에 큰 영향을 미쳤으며 모재의 두께가 약 2배로 증가할 때 접착강도는 $12{\sim}32%$까지 증가하였다. 접착부의 파손은 대부분 복합재 모재의 층간분리 형태로 발생하였으며, 접착압력이 높아질수록, 접착길이가 길어질수록 층간분리가 발생하는 위치가 적층판 내부로 깊게 확대되는 경향이 있다.