Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1994.11a
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pp.206-209
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1994
This paper has been researched bondability of electronic devices, such as lead frame and thick film of Ag/Pd on an alumina substrate by different heat sources. To obtain the bonds with high quality, it is very important to control both the thermal distribution of the bonds and it stability, because electronics components is consist of different materials. Therefore, this paper clarifies not only heat mechanism of micro parallel gap resistance bonding method and pulse heat tip bonding method but also investigates selection of heat sources with micro-electronic materials for bonding. Finally, it is realzed fluxless bonding process with filler metal such as plating layers.
Cladding of stainless steel on mild steel was prepared by diffusion bonding process. The bond strength increased with an increase of bonding temperature and time. It was also found that the bond strength increased as the surface roughness decreased. After the diffusion bonding of stainless steel-mild steel, the mild steel part near the bonded interface showed higher strength than the base steel due to the migration of chromium and nickel from stainless steel to mild steel. Carbon migration from mild steel gave effect on the formation of chromium carbides at grain boundaries of stainless steel, the fractograpohic features of the imperfectly bonded interface showed rather coarse dimples in the mild steel part and very fine dimples in the stainless steel part.
We have proposed novel bonding technique of substrates for developing the flexible LCD with high quality. The gel type mixture of agarose and UV curable epoxy developed to obtain tight bonding ability and enhanced electro-optical characteristic simultaneously. This technique can be used to roll-to-roll process for fabricating the flexible LCDs.
We have developed tight bonding of plastic LCD with new rigid spacer. For tight bonding of two plastic substrates, we designed structures to collect UV or thermal epoxy placed on the top of rigid spacer spontaneously by capillary effect. We confirmed that tight bonded plastic LCD has a good adhesion without induced defects and a high mechanical stability against the various external deformations. This method can be applicable to the fabrication of large plastic LCDs using stamping process.
Kim, H.S.;Kim, D.J.;Kim, D.C.;Ko, Y.H.;Kim, K.J.;An, S.M.;Han, W.S.
Electronics and Telecommunications Trends
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v.36
no.3
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pp.23-33
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2021
Two main technologies of III-V/Si laser diode for optical communication, direct epitaxial growth, and wafer bonding were studied. Until now, the wafer bonding has been vigorously studied and seems promising for the ideal III-V/Si laser. However, the wafer bonding process is still complicated and has a limit of mass production. The development of a concise and innovative integration method for silicon photonics is urgent. In the future, the demand for high-speed data processing and energy saving, as well as ultra-high density integration, will increase. Therefore, the study for the hetero-junction, which is that the III-V compound semiconductor is directly grown on Si semiconductor can overcome the current limitations and may be the goal for the ideal III-V/Si laser diode.
A new method is introduced to build up organic/organic multilayer films composed of cationic poly(allylamine hydrochloride) (PAH) and negatively charged poly (sodium 4-styrenesulfonate) (PSS) using the spinning process. The adsorption process is governed by both the viscous force induced by fast solvent elimination and the electrostatic interaction between oppositely charged species. On the other hand, the centrifugal and air shear forces applied by the spinning process significantly enhances desorption of weakly bound polyelectrolyte chains and also induce the planarization of the adsorbed polyelectrolyte layer. The film thickness per bilayer adsorbed by the conventional dipping process and the spinning process was found to be about 4 ${\AA}$ and 24 ${\AA}$, respectively. The surface of the multilayer films prepared with the spinning process is quite homogeneous and smooth. Also, a new approach to create multilayer ultrathin films with well-defined micropatterns in a short process time is Introduced. To achieve such micropatterns with high line resolution in organic multilayer films, microfluidic channels were combined with the convective self-assembly process employing both hydrogen bonding and electrostatic intermolecular interactions. The channels were initially filled with polymer solution by capillary pressure and the residual solution was then removed by the .spinning process.
In the previous work, a new forging process design, which included incremental upsetting, diffusion bonding and cogging, was suggested as a method to manufacture 1.9wt%C ultrahigh carbon workrolls. The previous study showed that incremental upsetting and diffusion bonding are effective in closing voids and healing of the closed void. In addition, compression tests of the 1.9wt%C ultrahigh carbon steel revealed that new microvoids form within the blocky cementite at temperatures of less than $900^{\circ}C$ and that local melting can occur at temperatures over $1120^{\circ}C$. Thus, the forging temperature should be controlled between 900 and $1120^{\circ}C$. Based on these results, incremental upsetting and diffusion bonding were used to check whether they are effective in closing and healing voids in a 1.9wt%C ultrahigh carbon steel. The incremental upsetting and diffusion bonding were performed using sub-sized specimens of 1.9wt%C ultrahigh carbon steel. The specimen was deformed only in the radial direction during the incremental upsetting until the reduction ratio reached about 45~50%. After deformation the specimens were kept at $1100^{\circ}C$ for the 1 hour in order to obtain a high bonding strength for the closed void. Finally, microstructural observations and tensile tests were conducted to investigate void closure behavior and bonding strength.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2002.10a
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pp.1033-1036
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2002
Wafer bonding methods such as fusion and anodic bonding suffer from high temperature treatment, long processing time, and possible damage to the micro-scale sensor or actuators. In the localized bonding process, beating was conducted locally while the whole wafer is maintained at a relatively low temperature. But previous research of localized heating has some problems, such as non-uniform soldering due to non-uniform heating and micro crack formation on the glass capsule by thermal stress effect. To address this non-uniformity problem, a new heater configuration is being proposed. By keeping several points on the heater strip at calculated and constant potential, more uniform heating, hence more reliable wafer bonding could be achieved. The proposed scheme has been successfully demonstrated, and the result shows that it will be very useful in hermetic packaging. Less than 0.2 ㎫ contact Pressure were used for bonding with 150 ㎃ current input for 50${\mu}{\textrm}{m}$ width, 2${\mu}{\textrm}{m}$ height and 8mm $\times$ 8mm, 5mm$\times$5mm, 3mm $\times$ 3mm sized phosphorus-doped poly-silicon micro heater. The temperature can be raised at the bonding region to 80$0^{\circ}C$, and it was enough to achieve a strong and reliable bonding in 3minutes. The IR camera test results show improved uniformity in heat distribution compared with conventional micro heaters. For gross leak check, IPA (Isopropanol Alcohol) was used. Since IPA has better wetability than water, it can easily penetrate small openings, and is more suitable for gross leak check. The pass ratio of bonded dies was 70%, for conventional localized heating, and 85% for newly developed FP scheme. The bonding strength was more than 30㎫ for FP scheme packaging, which shows that FP scheme can be a good candidate for micro scale hermetic packaging.
Using a customized diffusion bonder, we executed diffusion bonding for ring shaped white gold and red gold samples (inner, outer diameter, and thickness were 15.7, 18.7, and 3.0 mm, respectively) at a temperature of $780^{\circ}C$ and applied pressure of 2300 N in a vacuum of $5{\times}10^{-2}$ torr for 180 seconds. Optical microscopy, field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS) were used to investigate the microstructure and compositional changes. The mechanical properties were confirmed by Vickers hardness and shear strength tests. Optical microscopy and FE-SEM confirmed the uniform bonding interface, which was without defects such as micro pores. EDS mapping analysis confirmed that each gold alloy was 14K with the intended composition; Ni and Cu was included as coloring metals in the white and red gold alloys, respectively. The effective diffusion coefficient was estimated based on EDS line scanning. Individual values of Ni and Cu were $5.0{\times}10^{-8}cm^2/s$ and $8.9{\times}10^{-8}cm^2/s$, respectively. These values were as large as those of the melting points due to the accelerated diffusion in this customized diffusion bonder. Vickers hardness results showed that the hardness values of white gold and red gold were 127.83 and 103.04, respectively, due to solid solution strengthening. In addition, the value at the interface indicated no formation of intermetallic compound around the bonding interface. From the shear strength test, the sample was found not to be destroyed at up to 100,000 gf due to the high bonding strength. Therefore, these results confirm the successful diffusion bonding of 14K white-red golds with a diffusion bonder at a low temperature of $780^{\circ}C$ and a short processing time of 180 seconds.
The purposed of this study was to investigate the effect of Gold bonding agent as intermediate layer between metal substrate and ceramic coating. Gold bonding agent used to seal off any surface porosity, to mask the greyish color of the metal, and to provide an underlying bright golden hue to the ceramic coverage. The adhesion between metal substrate and ceramic is related to diffusion of oxygen during ceramic firing. The oxide layer produced on non-precious alloy anti titanium was considered to have a potentially adverse effect on metal-ceramic bonding. The oxidation characteristics of titanium and non-precious alloys are the main problem. Every group were divided into test and control groups. Control groups are carried out process of degassing for product oxide layer. Au coating was applied on each Ni-Cr, Co-Cr alloys and cp-Ti specimens with difference surface condition or degassing. Specimens surfaces and cutting plane was characterized by SEM/EDS. Results suggested that Au coating is effective barriers to protect metal oxidation during ceramic firing.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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