• ETRI Journal
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• 제16권4호
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• pp.1-11
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• 1995

A GaAs power metal semiconductor field effect transistor (MESFET) operating at a voltage as low as 3.3V has been developed with the best performance for digital handheld phone. The device has been fabricated on an epitaxial layer with a low-high doped structure grown by molecular beam epitaxy. The MESFET, fabricated using $0.8{\mu}m$ design rule, showed a maximum drain current density of 330 mA/mm at $V_{gs}$ =0.5V and a gate-to-drain breakdown volt-age of 28 V. The MESFET tested at a 3.3 V drain bias and a 900 MHz operation frequency displayed an output power of 32.5-dBm and a power added efficiency of 68%. The associate power gain at 20 dBm input power and the linear gain were 12.5dB and 16.5dB, respectively. Two tone testing measured at 900.00MHz and 900.03MHz showed that a third-order intercept point is 49.5 dBm. The power MESFET developed in this work is expected to be useful as a power amplifying device for digital hand-held phone because the high linear gain can deliver a high power added efficiency in the linear operation region of output power and the high third-order intercept point can reduce the third-order intermodulation.

• 전자공학회논문지
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• 제53권5호
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• pp.152-159
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• 2016

본 논문은 CMOS 자기센서(hall Sensor)의 오프셋 및 1/f 잡음 제거기술 기반 고선형 자기센서 신호처리장치를 제안한다. 제안하는 자기센서는 자계(magnetic Field)를 감지하여 자계의 변화량에 따른 홀 전압(hall Voltage)을 출력하는 홀 플레이트(hall Plate)와 홀 플레이트 출력 신호의 오프셋과 1/f 잡음 제거 및 디지털화를 위한 자기센서 신호처리시스템으로 구성된다. 자기센서 신호처리 시스템은 스피닝 전류 바이어싱(spinning current biasing)을 통해 자기신호로부터 오프셋과 1/f잡음 성분을 분리하고, 초퍼 및 증폭기를 통해 자기신호를 100 kHz 주파수 대역으로 변조한다. 60 kHz 차단주파수를 갖는 고역통과필터(highpass filter)를 사용하여 오프셋 및 1/f 잡음을 제거한뒤 ADC(analog to digital converter)를 통해 자기신호만을 디지털 변조한다. 증폭기 및 고역통과필터 출력은 자기신호 -53.9 dBm @ 100 kHz, 잡음성부은 -101.3 dBm @ 10 kHz이다. 최종적으로 ADC를 통과한 자기센서 출력은 -5.0 dBm @ 100 kHz이고, 오프셋 및 1/f 잡음은 -55.0 dBm @ 10 kHz이다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권6호
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• pp.802-809
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• 2014

This paper presents a dual-mode bias modulator (BM) for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) power amplifiers (PAs). The BM includes a hybrid buck converter and a normal buck converter for an envelope tracking (ET) mode for high output power and for an average power tracking (APT) mode for low output power, respectively. The dual-mode BM and CMOS PA are designed using a $0.18-{\mu}m$ CMOS process for the 1.75 GHz band. For the 16-QAM LTE signal with a peak-to-average power ratio of 7.3 dB and a bandwidth of 5 MHz, the PA with the ET mode exhibited a poweradded efficiency (PAE) of 39.2%, an EVM of 4.8%, a gain of 19.0 dB, and an adjacent channel leakage power ratio of -30 dBc at an average output power of 22 dBm, while the stand-alone PA has a PAE of 8% lower at the same condition. The PA with APT mode has a PAE of 21.3%, which is an improvement of 13.4% from that of the stand-alone PA at an output power of 13 dBm.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제43권1호
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• pp.127-132
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• 2006

본 논문은 입력되는 주파수 대역에 따라 증폭기 및 주파수 체배기로 동작하도록 설계하여, 무선 LAN의 다양한 표준인 802.11a/b/g의 주파수 대역을 만족하는 이중 모우드 증폭기를 설계하였다. 기존의 이중대역 무선 LAM의 경우 동작주파수에 따라 별도의 증폭기를 구성하는 형태였으나, 본 연구에서는 서로 다른 바이어스 조건에 따라 802.11b/g 신호에 대해서는 증폭기로서 동작하고, 802.11a 신호에 대해서는 주파수 체배기로 동작하여 하나의 능동회로를 이용하여 각기 다른 표준의 주파수 대역을 증폭할 수 있도록 하였다. 증폭기로 동작할 경우 약 13dB의 이득과 약 17dBm의 PldB을 얻었으며, 2차 고조파는 약 -37dBc 이하로 억압되었다. 주파수 체배기로 동작할 경우 약 3.3dB의 체배 이득과 약 7.3dBm의 최대 전력을 얻었으며, 3차 고조파는 약 -50dBr 이하로 억압되었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권11호
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• pp.1193-1203
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• 2008

능동 안테나는 수동 안테나에 비하여 소형으로 광대역 특성 및 높은 이득을 얻을 수 있으나, 잡음 및 불요파 신호가 발생되는 단점이 있다. 또한, 수신 시스템의 초단부에 위치하므로, 고감도 수신 시스템을 위하여 불요파 신호 특성이 좋아야 한다. 본 연구에서는 출력단 P1dB가 3 dBm 이상이고 $100{\sim}500\;MHz$에서 동작하며, 실환경에서 높은 선형 특성을 갖는 능동 안테나를 개발하였다. 이를 위하여 공통 드레인 FET와 2단 BJT의 능동 회로를 구성하였고, ADS를 이용하여 능동 안테나를 설계하였다. 제작된 능동 안테나의 평균 이득, 평균 잡음 지수, OIP3, VSWR 및 P1dB는 각각 9.7 dBi, 10 dB, 14 dBm, 1.7:1 및 3 dBm으로 설계치와 잘 일치하였다. 도심 인근지역에서 측정된 수신 스펙트럼 특성은 설계된 능동 안테나가 CS 구조를 갖는 참고문헌 [9]의 안테나보다 불요파 신호 특성이 약 $10{\sim}30\;dB$가 개선되어 방송 및 상용 신호와 혼재된 상태에서 신호 세기가 약한 미지의 신호를 검출하기 위한 고감도 수신 시스템에 적용할 수 있음을 보였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제2권2호
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• pp.147-155
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• 2002

This paper describes RF front-end transceiver chipset for the dual-mode operation of PCS-Korea and IMT-2000. The transceiver chipset has been implemented in a $0.25\mutextrm{m}$ single-poly five-metal CMOS technology. The receiver IC consists of a LNA and a down-mixer, and the transmitter IC integrates an up-mixer. Measurements show that the transceiver chipset covers the wide RF range from 1.8GHz for PCS-Korea to 2.1GHz for IMT-2000. The LNA has 2.8~3.1dB NF, 14~13dB gain and 5~4dBm IIP3. The down mixer has 15.5~16.0dB NF, 15~13dB power conversion gain and 2~0dBm IIP3. The up mixer has 0~2dB power conversion gain and 6~3dBm OIP3. With a single 3.0V power supply, the LNA, down-mixer, and up-mixer consume 6mA, 30mA, and 25mA, respectively.

• 한국해양공학회지
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• 제6권2호
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• pp.76-84
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• 1992

In this study, corrosion fatigue test of SAPH45 steel was performed by the use of plane behavior of base metal (BM) and heat affected zone (HAZ) of SAPH45. The main results obtained are as follows: 1) The more aspect ratio (b/t) of corner crack decreases, the more aspect ratio (b/a) takes greatly effect by corrosion. 2) The correlation between the stress intensity factor range ($\Delta$k) and crack growth rate (da/dN) for weldment in seawater is given by Paris rule as follow: da/dN=C($\Delta$K) super(m). Where m is constant, and the value is 3.82-3.84. 3) The accelerative factor ($\alpha$) of BM and HAZ under seawater is about 1.1-1.9, and ($\alpha$) of HAZ increases more and more under the low $\Delta$K region. 4) HAZ is more susceptible to corrowion than BM because of potential of electrode (E sub(c)) of HAZ becomes more less noble potential than that of BM.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제44권3호
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• pp.92-97
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• 2007

스위칭 모우드 증폭기를 마이크로파 대역에서 이용하고자 하는 많은 연구가 있으며, 이러한 증폭기 중 E급 증폭기는 이론적으로 스위칭 동작을 통해 100%의 효율을 얻을 수 있다. 본 논문에서는 2.4GHz 대역 마이크로파 E급 증폭기로 출력 전력이 17.6dBm, 66%의 전력부가효율을 갖는 설계된 증폭기를 무선 랜 송신부에서 사용하기 위해 증폭기의 비선형 왜곡을 보상하고자 테이블 참조기법(Look Up Table)을 이용한 기저대역 사전왜곡 기법을 적용하였다. 설계된 증폭기는 -3dBm의 입력 무선랜신호를 인가하였을 때 출력스펙트럼 측정 결과가 IEEE 무선랜 스펙트럼 마스크 표준규격을 만족하며, 기저대역 사전왜곡을 적용하였을 때 중심주파수에서 20MHz offset인 주파수에서 최대 5dB의 ACPR 특성이 향상되었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권7A호
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• pp.935-942
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• 2000

본 논문에서는 1.6GHz PCS 대역 초소형 전압제어발진기의 설계개발하였다. 다층 PCB 구조를 갖는 Colpitts 형의 LC 동조형 발진기를 설계하교 회로 시뮬레이터를 이용하여 회로특성을 최적화하였다. 최적화된 설계 데이터를 이용하여 6$\times$6$\times$1.8 ㎣(0.065cc) 크기의 소형 VCO를 제작한 후 시험하였다. 개발된 VCO는 52.3MHz 튜닝범위에서 -1.67dBm $\pm$0.5dBm 의 일정한 출력레벨을 갖었으며 10kHz offset 주파수에서 -99.33dBc/Hz 의 우수한 위상잡음 특성을 나타내었다.

• International Journal of Industrial Entomology and Biomaterials
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• 제3권2호
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• pp.187-190
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• 2001

Inheritance pattern of resistance to Bombyx mori nuclear polyhedrosis virus (BmNPV) was studied in an Indian silkworm stock TX by single back-cross test method. The resistant parent ［TX］, susceptible parent ［HM］, their Fl, F2, and Fl progeny back-crossed to TX [BC(R)] and HM [BC(S)] were inoculated per os with a fixed concentration of BmNPV($0.5{\times}10^{th} PIB/ml$) on the first day of second stadium. The cumulative mortality was recorded until day $10^{\times}$ post-inoculation. The results show that the resistance to BmNPV in TX fellow mono Mendelian inheritance pattern. The resistance dominated over the susceptibility at Fl. At F2, the resistant and susceptible offspring segregated in 3:1 ratio whereas at BC(S), the resistant and susceptible offspring segregated in 1:1 ratio. The response of BC(R) was more or less like the resistant parent TX which confirms the involvement of a major dominant gene conferring resistance to BmNPV in TX. The possible mechanism of inheritance of resistance in TX is discussed.