• 제목/요약/키워드: BiFe$O_3$

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Ni-Zn 페라이트의 첨가제에 따른 특성 (Properties of Ni-Zn Ferrites to Additives)

  • 안명상;박효열;한동희;안용운;이승관;오영우
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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    • pp.519-522
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    • 2004
  • 첨가제로 $Bi2O_3$를 첨가하고, 소결 온도를 변화시켜 고주파 내역에서 전자기적 특성이 안정적으로 유지될 수 있는 Ni-Zn 페라이트를 제조하고자 하였다. $Bi2O_3$의 첨가는 액상을 형성하여 소결을 촉진시키며, 0.3 wt% 첨가된 시편에서는 비정상 입자를 성장시켜 높은 전력 손실 특성을 나타내었다. 그러나 $Bi2O_3$의 적정한 첨가는 소결을 촉진시켜 밀도를 증가시키며, 균일한 입자를 형성하여 전력 손실이 감소하였다. Ni-Zn 페라이트에 $Bi2O_3$의 첨가는 공명 주파수 범위의 제어가 가능하며, 소결 촉진 및 밀도의 증가를 가져와 안정적인 재료를 제조할 수 있었다. 투자율의 일정성이 특정 주파수 10MHz 부근에서 급증하면서 급감하는 것은 공명이 생기고, 이러한 현장은 자벽 공명 또는 자벽의 이동에 의해 나타나는 것으로 보여진다.

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Current Status and Prospects of FET-type Ferroelectric Memories

  • Ishiwara, Hiroshi
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제1권1호
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    • pp.1-14
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    • 2001
  • Current status and prospects of FET-type FeRAMs (ferroelectric random access memories) are reviewed. First, it is described that the most important issue for realizing FET-type FeRAMs is to improve the data retention characteristics of ferroelectric-gate FETs. Then, necessary conditions to prolong the retention time are discussed from viewpoints of materials, device structure, and circuit configuration. Finally, recent experimental results related to the FET-type memories are introduced, which include optimization of a buffer layer that is inserted between the ferroelectric film and a Si substrate, development of a new ferroelectric film with a small remnant polarization value, proposal and fabrication of a 1T2C-type memory cell with good retention characteristics, and so on.

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소결한 $(Bi_xLa_{1-x})Ti_3O_{12}$ 강유전체에서 조성 및 첨가물질에 따른 미세구조 및 전기적 특성 평가

  • 김영민;강일;류성림;권순용;장건익
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.279-279
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    • 2007
  • 비휘발성 메모리 Fe-RAM은 빠른 정보처리 속도와 전원공급이 차단되었을 때도 계속 정보를 유지할 수 있는 비휘발성 특징과 더불어 저전압, 저전력 구동의 장점이 있어서, 차세대 메모리로 많은 주목을 받고 있다. FeRAM에 사용되는 강유전체는 주로 Pb(Zr,Ti)$O_3$가 적용되었는데, 최근에는 비납계 강유전체의 연구도 활발히 이루어지고 있다. 이러한 비납계 강유전체 중에서 가장 특성이 우수한 물질은 $(Bi,La)_4Ti_3O_{12}$ (BLT) 이다. 그런데 BLT는 결정 방향에 따른 강한 이방성의 강유전 특성을 나타내기 때문에 BLT 박막을 이용하여 Fe-RAM 소자 등을 제작하기 위해서는 결정의 방향성을 세심하게 제어하는 것이 매우 중요하다. 지금까지 연구된 BLT 박막의 방향성 조절결과를 보면, BLT 박막을 스핀 코팅 법 (spin coating method)으로 증착하고, 핵생성 열처리 단계를 조절하여 무작위 방향성을 갖는 박막을 제조하는 방법이 일반적이었다. 그런데 이러한 스핀 코팅법에서의 핵생성 단계의 제어는 공정 조건 확보가 너무 어려운 단점이 있다. 이러한 어려움을 극복할 수 있는 대안은 스퍼터링 증착법(sputtering deposition method), PLD (pulsed laser deposition)법 등과 같은 PVD (physical vapor deposition) 법의 증착방법을 적용하는 것이다. PVD 법으로 증착하는 경우에는 이미 박막 내에 무수한 결정핵이 존재하기 때문에 핵생성 단계가 필요가 없게 된다. PVD 증착법의 적용을 위해서는 타겟의 제조 및 평가 실험이 선행되어야 한다. 그런데 벌크 BLT 재료의 소결공정 조건과 전기적 특성에 관한 연구 결과는 거의 발표가 되지 않고 있다. 본 실험에서는 $Bi_2O_3,\;TiO_2,\;La_2O_3,\;Nb_2O_5\;and\;Al_2O_3$ 분말들을 이용하여 최적의 조성을 구하기 위하여 $Nb^{+5}$$Al^{+3}$$Ti^{+4}$ 자리에 소량 치환시켜 제조하였다. 혼합된 분말을 하소 후 pellet 형태로 성형하여 소결을 실시하였다. 시편을 1mm 두께로 연마하고, 양면에 silver 전극을 인쇄하여 전기적 특성을 측정하였다. 측정결과 $Ti^{+4}$ 자리에 $Nb^{+5}$를 치환하여 제조한 시편에서 $2P_r{\sim}31\;{\mu}c/cm^2$정도의 매우 우수한 특성을 얻었다.

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고투자율 Mn-Zn 페라이트의 첨가물 효과에 따른 자기적 특성연 (Additive Effects on Magnetic Properties in High Permeability Mn Zn Ferrite)

  • 정갑교;최승철
    • 한국재료학회지
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    • 제3권5호
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    • pp.497-504
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    • 1993
  • 기본조성 52.5mol% $Fe_2O_3$, 25.5mol% MnO, 22mol% ZnO로 구성된 Mn-Zn페라이트에 $Bi_2O_3$$CaCO_3$을 각각 0.02, 0.05wt%첨가한 시편에 대해서 $Ta_2O_5,ZrO_2$$SiO_2$의 미량 첨가한 따른 미세구조와 자기적 특성변화를 조사하였다. $Ta_2O_5,ZrO_2$첨가에 따라 결정립 크기가 감소되었고, 전기시 균일한 입자로 형성된 미세구조를 가진 재료를 얻었다. $SiO_2$첨가에 따라 결정립의 이상성장이 관찰되었고 소결밀도, 전기저항, 초투자율은 감소하고 고주파 영역에서 상대손실이 증가되었다. 본 연구결과 초투자자율은 균일한 결정립에서 최대의 값을 가지며 0.02wt%$Bi_2O_3$, 0.05wt%$CaCO_3$, 0.1wt%$Ta_2O_5$ 첨가시편의 경우 10kHz, $25^{\circ}C$에서 초투자율($\mu_i$)은 6260이고 상대손실 계수(tan$\delta /\mu_i$)는 $4.2 \times 10^{-6}$ 인 높은 투자율과 낮은 손실 특성을 가진 자성재료를 얻었다.

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열 분해법으로 제조된 Bi 치환 자기 가넷 박막의 광자기적 성질 (Magneto-Optical Properties of Bi Substituted Magnetic Garnet Films Fabrication by Pyrolysis Method)

  • 김영채;조순철
    • 한국자기학회지
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    • 제3권2호
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    • pp.143-148
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    • 1993
  • 열 분해법으로 $Bi_{x}Dy_{3-x}Al_{1}Fe_{4}O_{12}$(x=1, 1.2, 1.5) 자기 가넷 박막을 유리기판 위에 제조하였다. Bi 치환량을 증가시켰을 때 $M_{s}$ 값은 5 emu/cc에서 12 emu/cc로 증가하였고, 제조된 모든 박막이 수직 자기 이방성을 나타내었다. Bi 양의 증가에 따라 파장 780 nm의 광원을 사용했을 때 패러디 회전각이 $0.11^{\circ}/\mu\textrm{m}$에서 $0.20^{\circ}/\mu\textrm{m}$로 증가 하였으며 가넷 결정화 온도는 $660^{\circ}C$에서 $630^{\circ}C$로 감소하였다. 또한 보자력은 1200 Oe에서 600 Oe로 감소하였으며 결정립의 크기가 증가하였다. 박막의 두께를 $2000\;{\AA}$에서 $4000\;{\AA}$으로 증가시킴에 따라 $H_{c}$가 1750 Oe에서 1200 Oe로 감소했으며 ${\theta}_F$는 반사광의 간섭 효과에 의해 증가하였다.

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중국 호남성 시죽원 광상의 W-Sn-Bi-Mo광화작용 (W-Sn-Bi-Mo Mineralization of Shizhuyuan deposit, Hunan Province, China)

  • 윤경무;김상중;이현구;이찬희
    • 자원환경지질
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    • 제35권3호
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    • pp.179-189
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    • 2002
  • 중국 호남성 침주시에서 북동 16 km지점에 위치하는 시죽원 다금속 광상의 지질은 원생대의 변성퇴적암류, 데본기탄산염암, 쥬라기 화강암류, 백악기 반암류 및 초염기성맥암으로 구성된다. 시죽일 다금속 광상은 중-조립질 흑운모화강암과 관련되어 있다. 광체의 산출상태, 광물의 산출상태 및 공생관계를 토대로 광화시기는 스카른, 그라이젠 및 열수시기로 나뉜다. 스카른 시기의 광체는 주로 Ca-스카른으로 천리산 화강암체 주변에 발달되며, 석류석, 휘석, 베수비아나이트, 규회석, 각섬석, 형석, 녹염석, 방해석, 회중석, 철망간중석, 휘창연석, 휘수연석, 석석, 자연창연, 미확인 Bi-Te-S계 광물, 자철석 및 적철석 등이 산출된다. 그라이젠 시기는 중-조립질 흑운모화강암의 잔류용액과 관련되며, 광체는 판상 및 맥상으로 구분된다. 이 시기는 주로 석영, 장석, 백운모, 녹니석, 전기석, 황옥, 녹주석, 인회석, 회중석, 철망간중석, 휘수연석, 휘창연석, 석석, 자연창연, 미확인 우라늄광물, 미확인 희토류광물로 구성되고, 소량의 황철석, 자철석, 황동석, 적철석 등이 산출된다. 회중석은 누대조직을 보이며, 중심부에서 MoO$_3$ 함량이 9.17%로 외곽보다 높게 나타난다. 철망간중석의 화학조성은 WO$_3$; 71.20~77.37 wt.%, FeO; 9.37~18.4 wt.%, MnO; 8.17~15.31 wt.% 및 CaO; 0.01~4.82 wt.% 이다. 석석의 FeO 함량은 1.30~4.75 wt.%이고, 스카른 시기가 높은 함량을 보인다. 자연창연의 Te 및 Se 함량은 각각 0.00~1.06 wt.%와 0.00~0.57 wt.%이다. 미확인 Bi-Te-S 계 광물은 Bl: 78.62~80.75 wt.%, Te: 12.26~14.76 wt.%, Cu; 0.00~0.42 wt.%, S; 5.68~6.84 wt.%, Se; 0.44~0.78 wt.%.이다.