• Journal of the Korean Physical Society
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• 제73권11호
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• pp.1684-1690
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• 2018

The layered semiconductors $Bi_2O_2Q$ (Q = S, Se) consists of $Bi_2O_2$ layers sandwiched by Q square nets. On the basis of density functional theory calculations, we examined the thermoelectric properties of $Bi_2O_2S$, $Bi_2O_2Se$ as well as hypothetical structure of $Bi_2O_2$($S_{0.5}Se_{0.5}$) consisting of mixed chalcogen nets. The thermoelectric power factor of $Bi_2O_2S_{0.5}Se_{0.5}$ is much greater than those of $Bi_2O_2S$ and $Bi_2O_2Se$, suggesting that introducing mixed chalcogen net in $Bi_2O_2Q$ is a possible way of enhancing the thermoelectric property of $Bi_2O_2Q$.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권10호
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• pp.1107-1112
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• 1998

We could obtan c-axis oriented $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films on usual Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrate using a r. f. magnetron sputtering technique. According to the increase of sputtering pressure from 250 to 300 mTorr the Bi content and degree of the c-a xis preferred orientation of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films were increased. By controlling Bi(or $Bi_2O_3$) loss from $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films during post annealing and by inserting $Bi_2O_3$ layer in $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films the effect of Bi content on the c-axis oriented growth of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films could be investigated without the effect of sputtering pressure. The degree of the c-axis preferred orientation of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films was increased with increasing with increasing Bi content by control of Bi(or $Bi_2O_3$) loss of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films. But the c-axis oriented growth of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films disappeared by the inserting of $Bi_2O_3$ lay-er in $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films.

• 한국세라믹학회지
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• 제28권12호
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• pp.981-988
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• 1991

Various crystal defects such as voids, inclusions dislocations, stacking faults and precipitates were observed in the Czochralski-grown Bi12GeO20 crystals. Particularly, precipitates were found in the whole crystals. The phase of these precipitates was identified as Bi4Ge3O12 by EPMA and transmission electron microscopy. The precipitates were produced by pulling rapidly from a non-stoichiometric charge. During the pulling of Bi12GeO20 crystals, the melt composition of stoichiometric charge was changed Bi-deficent with gradual volatilization of Bi2O3. Precipition of the second phase may have been affected by an abrube thermal stress. By adding excess Bi2O3 into the stoichiometric batch, the precipitation of Bi4Ge3O12 was suppressed. At a pulling speed of 2 mm/hr, clear and precipitate from crystals of Bi12GeO20 were grown from the melt of the Bi2O3 excess charge.

• 한국재료학회지
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• 제3권4호
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• pp.410-421
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• 1993

Bi-Sr-Ca-O 초전도성계에서 $Bi_2O_3-(Sr_2CaCu_2O_x$)의 pseude binary계를 선택하여 $Sr_2CaCu_2O_x$에 $Bi_2O_3$를 5%단위로 40 cation mole% Bi까지 첨가하면서 $850^{\circ}C$ 초전도상 및 공존하는 상들의 평형 및 반응 경로들을 XRD, SEM, EDS, DTA를 이용하여 분석하였다. Bi의 함량이 35 mole% Bi보다 클 때에는 $Bi_2Sr_2CaCu_2O_8$상과 공존하는 액상이 형성되며 2212상의 액상으로 존재하며 액상의 냉각시 제일 먼저 $Bi_2Sr_2CaCu_2O_8$상 주의에 석출된 것이 관찰되었다.

• Progress in Superconductivity
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• 제4권2호
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• pp.148-152
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• 2003

We have observed the temperature dependences of Bi $L_{III}$ edge spectra by extended X-ray absorption spectroscopy for a high quality single crystal and a powder of the $Ba_{0.6}K_{0.4}BiO_3$ superconductor. $Ba_{0.6}K_{0.4}BiO_3$ has the cubic structure and metallic states. The deformation of the $BiO_{6}$ octahedra, which is due to the anomalies of the Bi-O and Bi-Ba bond length, was showed by the double-shell fit. It was clearly found that these anomalies are owing to the difference in the strength of Bi-O bonds. The temperature dependences of both bond lengths and the Debye-Walter factor ${\sigma}^2$ of the Bi-O and Bi-(Ba,K) bond are discussed to illustrate local structural features of the $Ba_{0.6}K_{0.4}BiO_3$

• 한국세라믹학회지
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• 제26권4호
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• pp.479-486
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• 1989

According to the phase diagram, 6Bi2O3.GeO2 composition melts congruently at 93$0^{\circ}C$ and forms a stable ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystal phase below the melting point. But when the melt of this composition was cooled at a rate 1-15$0^{\circ}C$/min without tapping by a glass rod or impurity addition, a metastable $\delta$-6Bi2O3.GeO2 crystal phase was formed. It is due to that as the nucleation energy barrier of $\delta$-6Bi2O3.GeO2 crystals, which have more open and defective structure, is lower than that of ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals. When impurities or ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals existed in the melt, stable ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystal phase was formed at various cooling rate. It is because of that the impurities or the ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals role as a seed crystal and as a result the nucleation energy barrier of ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals is lowered.

• 한국재료학회지
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• 제6권7호
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• pp.684-691
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• 1996

Bi-계 고온초전도체인 Bi2Sr2Ca2Cu3O10(Bi-2223)단일상을 반응시간을 줄이면서 합성하기 위하여 Bi-Sr-Ca-Cu-O계 내에 존재하는 Bi2Sr2Ca2Cu3O10(Bi-22o1), Bi2Sr2Ca2Cu3O10(Bi-2212), (Ca0.91Sr0.09)-CuO2의 혼합물, 특히 정확한 Bi1.7Pb0.4Sr2Ca2Cu3O10+x의 조성대신 (Ca0.91Sr0.09)CuO2가 많이 첨가된 조성의 혼합물에서 Bi-2223가 가장 쉽게 형성되었다. Bi-2223상은 86$0^{\circ}C$와 87$0^{\circ}C$에서 60시간 이내에 형성되었다. 소량의 Bi-2212상은 장시간의 반응후에도 여전히 존재하였다. 중간화합물을 이용한 합성방법이 통상의 소결방법에 비해 반응시간내에 소량의 불순물상들을 가진 Bi-2223상을 형성시킬 수 있다.

• 공업화학
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• 제3권1호
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• pp.53-63
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• 1992

프로필렌을 선택산화시켜 아크로레인을 제조하는 반응을 Bi-molybdate 촉매상에서 고정층 반응기를 사용하여 연구하였다. ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$위에 $MoO_3$를 담지시킨 M/BM-series 촉매는 함침법으로 제조되었고, 역으로 BM/M-series 촉매는 $MoO_3$위에 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$을 침전시켜 제조하였다. 또한 촉매의 특성분석을 위하여 질소흡착과 XRD, SEM을 이용하였다. M/BM-series 촉매에서는 $MoO_3$가 작은 입자로 분산되고 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$의 결정구조는 $MoO_3$상이 추가되어도 그 형상이 변하지 않는 채로 유지되었으나, BM/M-series 촉매의 표면형상 및 전체 구조는 촉매제조 중에 생기는 침전물인 $Bi(OH)_3$가 소성 도중 $MoO_3$와 반응하여 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$을 형성하는 관계로 그 조성에 따라 매우 불규칙적으로 변화하였다. 반응실험 결과, 두 종류의 촉매 모두에서 excess $MoO_3$가 포함되었을 때 활성이 크게 증가하였는데, 이는 선별산화반응이 주로 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$에서 일어나고 $MoO_3$는 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$에 산소 공급을 원활히 하여 활성을 증가시키기 때문으로 판명되었다. 또한 이러한 활성 증가는 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$와 기계적 혼합물 (mechanical mixture)에서도 관찰되었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권7호
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• pp.1941-1944
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• 2010

The heterojunction structures of BiOCl/$Bi_3O_4Cl$, exhibiting considerable visible-light photocatalytic efficiency, were prepared by a simple wet-chemical process at ambient condition. The prepared nanocomposites were characterized by XRD, TEM, and UV-visible diffuse reflectance spectra. Under visible light (${\lambda}\geq$420 nm) irradiation, BiOCl/$Bi_3O_4Cl$ exhibited an enhanced photocatalytic activity in decomposing 2-propanol (IP) in gas phase and salicylic acid (SA) in aqueous solution, whereas the bare BiOCl and $Bi_3O_4Cl$ showed negligible activities. It is deduced that the remarkable visible-light photocatalytic activity of the BiOCl/$Bi_3O_4Cl$ originates from the hole $(h^+)$ transfer between VB of the $Bi_3O_4Cl$ and BiOCl semiconductors.

• 한국재료학회지
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• 제8권7호
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• pp.659-663
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• 1998

BaO.$Nd_{2}O_{3}$.$4TiO_{2}$세라믹스에서 Bi 치환위치 및 Bi 치환 량에 따른 상, 미세구조, 마이크로파 유전특성 등을 조사하였다. BaO.$Nd_{2}O_{3}$.$4TiO_{2}$ 세라믹스의 Nd 치환되어 $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$고용체 (0$\leq$x$\leq$0.2)를 형성하였다. $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$에서 Bi 치환 량이 x=0에서 x=0.2까지 증가됨에 따라 입자크기가 계속 증가하였으며, 유전상수는 84에서 108까지 계속 증가하였고, 공진 주파수의 온도계수는 $44 ppm^{\circ}C$에서 $-30ppm^{\circ}C$로 계속 감소하였다. $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$조성에서 Bi 치환 량이 x=0.04에서 0.08사이일 때 가장 양호한 마이크로파 유전특성이 얻어졌으며 이 때의 유전상수 (${\varepsilon}_r$)는 89~92, Q, f는 5855-6091 GHz, 그리고 공진 주파수의 온도계수 (${\tau}_f$)는 -7.7-7.5 ppm/$^{\circ}C$이었다.