BiPbSrCaCuO 계 초전도체에서 관측되는 자기부양효과에 대하여 연구를 수행하였다. BiPbSrCaCuO 계 초전도체에 산화은을 첨가한 시료와 첨가하지 않은 시료의 자기적 특성을 측정하여 자기부양효과의 메카니즘에 대하여 고찰하였다. toroidal자석에서 관측되는 자기부양 효과는 자석의 중심부분에서만 발생하며, 자석의 ring 부분에서는 관측되지 않았다. 이 결과는 본 연구의 자기 부양효과의 발생에는 자석의 형상 및 자속의 분포 형태와 밀접한 관련이 있음을 의미한다.
Bi-Sr-Ca-Cu-O 계에서 상형성에 관해 연구하였다. 임계온도가 80K인 초전도체는 Bi-Sr-Ca-Cu의 몰비율이 2:2:1:2의 성분으로부터 solid state synthesis의 방법으로 합성하였다. 이때 이상에 대한 x-ray diffraction pattern은 모두 색인하였다. 2:2:1를 기본으로한 solid solution의 형성을 Bi2Sr2-xCa1+yCu2O8+$\delta$으로 단일상(single phase)을 형성하고 있으며, 이때 x와 y의 범위는 0
산화물 초전도체에 있어서 고천이 임계온도를 갖는 미소영역을 추출하여 이를 분석하기 위하여 La-Ba-Cu-O 계, Y-Ba-Cu-O 계 및 Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O 계의 초전도체를 고상법 및 nitrate solution method로 제조하였다. 제조된 시료들에 대해서 x선회절분석과 저항을 측정하였다. 이들 시료 중에서 고천이온도를 나타내는 미소부분을 Meissner효과를 이용한 추출법으로 분리 해내고 EDAX로 이를 분석하였으며, 이들 결과를 요약하면 다음과 같다. nitrate solution method를 적용하면 YBCO계에 있어서 비교적 단시간에 치밀한 미세조직을 갖는 천이 온도 90K의 초전도체를 제조할 수 있다. Meissner효과를 이용하여 고천이온도에서 추출해낸 미소영역의 EDAX분석 결과는 고상법을 사용한 YBCO-23S와 nitrate solution method으로 제조한 YBCO-23N 및 YBCO-36N 에서는 초기의 조성과 거의 같았으며, 고천이 온도에서 추출된 미소영역은 조성보다는 산소 결함의 차이에 기인한 것으로 생각된다. 공침법으로 제조한 YBCO-23NA 에서는 과도한 Ba의 조성을 보였으며, 천이온도 100K 인 Bi계에서는 약한 반자성효과 때문에 추출이 불가능하였다.
Bi-2223 초전도체계에서 석출물을 flux-pinning center로 이용할 수 있는지 가능성을 타진하기 위하여 $Bi_{1.8}$P $b_{0.4}$S $r_{2}$C $a_{2.2}$C $u_3$$O_{8}$ 조성을 가진 Bi-2223/Ag 선재를 반응온도, 산소분압, 시간 등을 변화시키면서 열처리를 행하였다. 열처리 후 석출물들은 XRD, SEM, TEM, EDS로 분석하였다. Bi-2223 모상내의 (Ca, Sr)$_2$(Pb,Bi) $O_4$, B $i_{0.5}$ P $b_3$S $r_2$C $a_2$Cu $O_{12+}$$\delta$/ (3221)와 같은 2차상들의 크기와 분포는 2223 입자들의 연결성을 파괴하지 않고 열처리 조건에 의해서 조절할 수 있었다. 서냉 열처리가 된 시편은 임계전류밀도( $J_{c}$)값이 증가하였는데, 이는 2223 입자내 나노미터 크기로 형성된 석출물들이 flux-pinning sites로 작용한 것으로 추정된다.다.
초산염(acetate)을 출발원료로 하여 $Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3Oy$계 단일상 고온초전도체를 합성하려 하였으며 그 초전도상의 형성과정을 초전도전이온도 $T_c$ 및 전하나르게 농도와의 상관관계로부터 설명하고자 하였다. 초전도전이온도 $T_c$는 전기저항밀도 및 자화율을 측정하여 결정하였다. 시료로는 상기의 초전도체 출발조성물의 하소분말에 대해 $850^{\circ}C$, $860^{\circ}C$, 그리고 $870^{\circ}C$에서 40시간 동안 공기 중 열처리한 것을 이용하였다. 전하나르게농도는 홀계수를 측정하여 구하였다. 열처리과정 중의 초전도체 형성과정을 세라믹벌크내에 형성된 초전도체의 양 및 전하나르게농도 분포의 상관관계로부터 설명하였다.
In this work, samples were manufactured variously by changing conventional calcining and sintering conditions and we tried the utilization by making the heat treatment time, which is demanded to high-Tc phase formation, much shorter. We found out optimal heat treatment conditions with the analysis on formation process at superconducting phase in term of the change of calcining and sintering time and then, examined X-ray diffraction(XRD) patterns, scanning electron microscope(SEM) measurement and energy dispersive X-ray spectrometer(EDX) of the samples manufactured under heat treatment conditions which we suggest here. As a result, 2223 high-$T_c$, phase of (Bi,Pb)SrCaCuO superconductor starting with ($Bi_l$ xPbx,)$_2$$Sr_2$$Ca_2$$Cu_3$$O_y$, composition was formed from 1 hr sintering sample at temperature nearby melting point and also the completed sample with calcining and sintering time of 9 hr was formed high-$T_c$.low-$T_c$ phase appearing in sight above the critical temperature of liquid $N_2$.
Current leads of high $T_{c}$ superconductor were fabricated with Bi excess B $i_{2.2}$/S $r_{1.8}$/C $a_{1}$/C $u_{2}$/ $O_{x}$ composition by rapid cooling method. The dimensions of final samples were fixed 3 mm and 8 mm diameter with 50 mm length each To control uniform density the samples were preformed by CIP(Cold Isostatic Press) process and followed by partial or full melting process after raising up to 90$0^{\circ}C$ for 30min. Plate shaped microstructure was clearly observed adjacent to the Ag tube wall and the size of plate was about 100$\mu$m. However the severe destruction of growth orientation was shown in the inner growth part. critical temperature ( $T_{c}$) was about 53~71K after directional growth while Tc was decreased about 77~80 K before directional growth. After directional growth critical current( $I_{c}$) and critical current density( $J_{c}$) in the specimen of 8 mm diameter at 50 K were about 110 A and 280 A/c $m^2$ respectively.pectively.ely.
BSCCO thin films have been fabricated by co-deposition at an ultralow growth rate using ion beam sputtering(IBS) method. The growth rates of the films was set in the region from 0.17 to 0.27 nm/min. MgO(100) was used as a substrate. In order to appreciate stable existing region of Bi 2212 phase with temperature and ozone pressure, the substrate temperature was varied between 655 and 82$0^{\circ}C$ and the highly condensed ozone gas pressure(PO$_3$) in vacuum chamber was varied between 2.0$\times$10$^{-6}$ and 2.3$\times$10$^{-5}$ Torr. Bi 2212 phase appeared in the temperature range of 750 and 795$^{\circ}C$ and single phase of Bi 2201 existed in the lower region than 785$^{\circ}C$. Whereas, PO$_3$dependance on structural formation was scarcely observed regardless of the pressure variation. And high quality of c-axis oriented Bi 2212 thin film with T$_{c}$(onset) of about 90 K and T$_{c}$(zero) of about 45 K is obtained. Only a small amount of CuO in some films was observed as impurity, and no impurity phase such as CaCuO$_2$was observed in all of the obtained films.lms.
T. Kanal et al, were studied the superconducting properties in Bi system by mechanical grinding, in which the authors found that the samples ground degraded from the superconducting phases to nonsuperconducting phases. To obtain more information of the practical application in Bi system with high-Tc phase in this paper, these samples mechanically ground and the high-Tc phase properties of grinding powder samples were investigated.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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