• 한국가축번식학회지
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• 제26권2호
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• pp.173-182
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• 2002

포유동물의 체외수정란 치적발달조건을 수립하기 위하여 난자의 성숙, 수정 및 배양시 형태학적인 관찰만으로는 불충분하여 각 세포내 구성물 및 핵상 등의 변화를 조사하여 개별 수정란의 품질평가를 통하여 수정란 발달 능력을 향상시키는 방법의 개발이 필요하다. 최근 체외생산된 수정란이 발달율 및 착상율이 현저히 감소되는 원인을 조사한 결과 이러한 수정란에서 할구의 파편화가 보다 더 진행되는 것을 관찰하였다. 이에 본 실험의 목적은 체외수정과 핵치환 유래 소 배반포에서 세포사멸 기전으로 알려진 apoptosis 조절 유전자로써 Bcl-2와 Bax 유전자의 전사체 발현량을 비교 조사함으로써 착상전 수정란 발달과정에서의 역할을 확립하고자 하였다. Apoptosis의 분석은 TUNEL 방법으로 수행하였다 체외수정과 핵치환유래 배반포에서 Bcl-2와 Bax 유전자의 발현량은 RT-PCR로 확인하였다. 핵치환유래 배반포에 있어 TUNEL 표식으로 확인된 비율은 체외수정 된 배반포보다 유의하게 높다 (P<0.001). 체외수정된 배반포의 Bcl-2의 발현량은 핵치환유래 배반포보다 높다. 반대로 체외수정된 배반포의 Bax 발현량은 핵치환 유래 소 배반포보다 낮았다 (P<0.05). 이러한 결과는 체외수정보다 핵치환 유래 소의 배반포에서 좀더 많은 파편화를 초래함을 보여준다. 또한, 핵치환 유래 수정란의 발달 정지의 증가는 apoptosis와 같은 핵의 파편화로써 야기될 수 있다고 사료된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.67-67
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• 2009

Due to the scaling down of the dielectrics thickness, the leakage currents arising from electron tunneling through the dielectrics has become the major technical barrier. Thus, much works has focused on the development of high k dielectrics in both cases of memories and CMOS fields. Among the high-k materials, $Al_2O_3$ considered as good candidate has been attracting much attentions, which own some good properties as high dielectric constant k value (~9), a high bandgap (~2eV) and elevated crystallization temperature, etc. Due to the easy control of ion energy and flux, low ownership and simple structure of the inductively coupled plasma (ICP), we chose it for high-density plasma in our study. And the $BCl_3$ was included in the gas due to the effective extraction of oxygen in the form of BClxOy compound. In this study, the etch characteristic of ALD deposited $Al_2O_3$ thin film was investigated in $BCl_3/N_2$ plasma. The experiment were performed by comparing etch rates and selectivity of $Al_2O_3$ over $SiO_2$ as functions of the input plasma parameters such as gas mixing ratio, DC-bias voltage and RF power and process pressure. The maximum etch rate was obtained under 15 mTorr process perssure, 700 W RF power, $BCl_3$(6 sccm)/$N_2$(14 sccm) plasma, and the highest etch selectivity was 1.9. We used the x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) to investigate the chemical reactions on the etched surface. The Auger electron spectroscopy (AES) was used for elemental analysis of etched surface.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.209-209
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• 2009

ITO 박막은 박막 태양전지, 유기 태양전지뿐만 아니라 유연한 디스플레이, 발광다이오드와 같은 광학적 장치에 투명한 전극으로써 널리 사용된다. 글라스나 플라스틱 기판위에 형성된 투명 전극은 식각을 통하여 전기회로를 구성한다. 또한 식각 특성을 개선할 필요가 있다. 이 연구에서 우리는 유리 기판위에 코팅된 ITO 박막을 유도결합 $BCl_3/Ar$ 플라즈마를 이용하여 식각하였다. ITO 박막은 RF 마그네트론 스퍼터링을 사용해 200 $^{\circ}C$에서 비알칼리 글라스 위에 증착하였고 ITO 박막의 총 두께는 약 250 nm 이었다. 또한 전기 전도성은 $4.483{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, 캐리어 농도는 $3.923{\times}10^{20}cm^{-3}$이고, 홀 이동도는 $3.545{\times}10cm^{-2}/Vs$이었다. Ar 플라즈마에 $BCl_3$ 가스를 첨가시키면서 가스 비율에 따른 ITO의 식각 속도와 ITO와 PR과의 선택비를 측정하였다. 최대 식각 속도는 $BCl_3$(25%)/Ar(75%), 500 W의 RF power, -200 V의 DC-bias voltage, 그리고 2 pa의 공정압력일 때 588 nm/min이었고 선택비는 0.43으로 다소 낮게 측정되었다. 식각된 표면의 화학적 반응은 엑스선 광전자 분광법 (X-ray Photoelectron Spectroscopy)을 사용해 조사되었다. 그리고 식각된 표면의 거칠기는 원자현미경 (Atomic Force Microscopy)을 사용해 측정하였다.

• 운동과학
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• 제21권3호
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• pp.289-298
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• 2012

본 연구는 당뇨를 유발한 흰쥐에서 트레드밀 운동이 망막 신경세포의 사멸에 억제 효과가 있는지를 실험 하였다. 본 연구에서 Sprague-Dawley계 흰쥐 28마리를 대조군, 운동군, 당뇨군, 당뇨운동군으로 분류하여 각 군당 7마리씩 배정하였다. 당뇨는 streptozotocin을 복강에 주사하여 유발하였다. 운동군은 분당 8 m의 속도로 하루 30분씩 주 5회, 총 12주 동안 트레드밀 운동을 실시하였다. 본 연구의 결과, 당뇨 유발 흰쥐의 망막에서 세포사멸 인자인 terminal deoxynucleotidyl transferase-mediated dUTP nick end labeling(TUNEL)-양성 세포수 그리고 caspase-3, cytochrome c, Bax의 발현이 증가되었으며, 항 세포사멸 인자인 Bcl-2의 발현은 감소되었다. 트레드밀 운동은 TUNEL-양성 세포수 그리고 caspase-3, cytochrome c, Bax의 발현을 감소시켰으며, Bcl-2의 발현은 증가시켰다. 본 실험의 결과, 당뇨에 의한 망막의 세포사멸 증가에 트레드밀 운동이 억제 작용을 나타내었으며, 따라서 트레드밀 운동은 당뇨 환자들에서 후유증을 경감시키는데 효과적인 치료법임을 알 수 있었다.

• Radiation Oncology Journal
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• 제15권3호
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• pp.187-195
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• 1997

목적 : 세포 독성 인자가 유도하는 아포프토시스에 관한 연구가 대부분 In Vitro 연구에 국한되어온 바, In VIVO에서 방사선에 의한 아포프토시스의 유도와 이에 관여하는 유전자들의 발현 양상을 분석하기 위하여 본 연구를 수행하였다. 대상 및 방법 : 마우스 동종암으로서 방사선 민감 종양인 난소암 (OC3-1)과 내성 종양인 간암 (HCa-1)을 모델로 하여 이들 종양이 평균 직경 8 mm로 자랐을 때 25 Gy의 방사선을 조사하였다. 조사 후 다양한 시간 간격으로 조직을 채취하여 아포프토시스의 유도 수준을 분석하며 동시에 이에 관련된 유전자 산물인 p53, $p21^{wart/cip1}$, bax, bel-2 등의 발현을 western blotting 을 이용하여 분석하였다. 종양의 p53 상태는 polymerase chain reaction-single strand conformation polymorphism assay로 분석하였다. 결과 : 모델 종양들의 p53 상태는 둘다 자연형으로 나타났다. 방사선 조사로 OCa-1에서는 아포프토시스가 유도되었으나 HCa-1에서는 아포프토시스가 관찰되지 않았다. OCa-1에서 방사선 조사로 p53, $p21^{wart/cip1}$의 발현이 증가되었으며 bel-2/ bax 비율은 감소하였다. HCa기에서는 p53, $p21^{wart/cip1}$의 발현이 증가되었으나 $p21^{wart/cip1}$은 OCa-1과 비교하여 증가 수준이 미약하였다. bel-2/bax 비율은 현저히 증가하였다. 이와 같은 변화들은 방사선 조사에 선행되거나 조사 후 수시간 내에 일어났으며 아포프토시스의 유도에 선행하거나 일치하였다. 결론 : 아포프토시스의 진행에는 p53, $p21^{wart/cip1}$의 증가 뿐만 아니라 bel-21 bax 비율의 변화 가 관여된다는 것이 In vivo에서 확인되었다. p53가 자연형인 경우에도 그 이하 단계의 유전자 발현 양상이 다르게 나타날 수 있으며 이는 세포 독성 요인을 이용한 암 치료시 결과를 예측하는데 있어서 단일 유전자 발현의 평가와 연계되는 복잡성을 시사하고 있다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권1호
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• pp.32-35
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• 2013

In this paper, a manufacturing process was developed for fabricating high-quality AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on silicon carbide (SiC) substrates. Various conditions and processing methods regarding the ohmic contact and pre-metal-deposition $BCl_3$ etching processes were evaluated in terms of the device performance. In order to obtain a good ohmic contact performance, we tested a Ti/Al/Ta/Au ohmic contact metallization scheme under different rapid thermal annealing (RTA) temperature and time. A $BCl_3$-based reactive-ion etching (RIE) method was performed before the ohmic metallization, since this approach was shown to produce a better ohmic contact compared to the as-fabricated HEMTs. A HEMT with a 0.5 ${\mu}m$ gate length was fabricated using this novel manufacturing process, which exhibits a maximum drain current density of 720 mA/mm and a peak transconductance of 235 mS/mm. The X-band output power density was 6.4 W/mm with a 53% power added efficiency (PAE).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.382-382
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• 2010

The etch characteristics of the $HfAlO_3$ thin films and selectivity of $HfAlO_3$ to $SiO_2$ in $Cl_2/BCl_3$/Ar plasma were investigated in this work. The maximum etch rate was 108.7 nm/min and selectivity of $HfAlO_3$ to $SiO_2$ was 1.11 at $Cl_2$(3sccm)/$BCl_3$(4sccm)/Ar(16sccm), RF power of 500 W, DC-bias voltage of - 100 V, process pressure of 1 Pa and substrate temperature of $40^{\circ}C$. As increasing RF power and DC-bias voltage, etch rates of the $HfAlO_3$ thin films increased. Whereas as decreasing of the process pressure, those of the $HfAlO_3$ thin films were increased. The chemical reaction on the surface of the etched the $HfAlO_3$ thin films was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).

• Food Science and Biotechnology
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• 제16권6호
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• pp.902-909
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• 2007

Granular maize starch was treated with Thermus scotoductus 4-${\alpha}$-glucanotransferase (${\alpha}$-GTase), and its physicochemical properties were determined. The gelatinization and pasting temperatures of ${\alpha}$-GTase-modified starch were decreased by higher enzyme concentrations. ${\alpha}$-GTase treatment lowered the peak, setback, and [mal viscosity of the starch. At a higher level of enzyme treatment, the melting peak of the amylose-lipid complex was undetectable on the DSC thermogram. Also, ${\alpha}$-GTase-modified starch showed a slower retrogradation rate. The enzyme treatment changed the dynamic rheological properties of the starch, leading to decreases in its elastic (G') and viscous (G") moduli. ${\alpha}$-GTase-modified starch showed more liquid-like characteristics, whereas normal maize starch was more elastic and solid-like. Gel permeation chromatography of modified starch showed that amylose was degraded, and a low molecular-weight fraction with $M_w$ of $1.1{\times}10^5$ was produced. Branch chain-length (BCL) distribution of modified starch showed increases in BCL (DP>20), which could result from the glucans degraded from amylose molecules transferred to the branch chains of amylopectin by inter-/intra-molecular transglycosylation of ${\alpha}$-GTase. These new physicochemical functionalities of the modified starch produced by ${\alpha}$-GTase treatment are applicable to starch-based products in various industries.

• 동의생리병리학회지
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• 제18권5호
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• pp.1456-1462
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• 2004

This study was carried out to understand the effects of Bambusae Caulis in Liquamen manufactured by different production facilities on blood glucose of the mice induced with streptozotocin. Filtered Bambusae Caulis in Liquamen manufactured by two different facilitiesproduction process were used. The physiochemical properties of filtered Bambusae Caulis in Liquamen manufactured by two different facilities(300L×300W×400H and 700L×700W×800H electric furnace) were compared. Furthermore, the effects of filtered Bambusae Caulis in Liquamen were observed in terms of blood glucose, BUN and AL T in the mice induced with streptozotocin. The results were as follows : The pH value was the highest in L-BCL(E)B(pH 2.83) between manufactured by two different facilities. The L-BCL(E)B which observed low values of Hunter's color values show decreased concentration of methanol and phenolic compounds. The blood glucose contents was decreased in the experimental groups compared with the control. The amount of BUN and ALT did not show any differences between control and experimental group.

• 한국진공학회지
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• 제16권1호
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• pp.15-22
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• 2007

$BCl_3-Cl_2$ 플라즈마에서 이온 강화 식각 시 source power에 따른GaAs(100)의 표면 형태 변화를 연구하였다. Floating potential에서는 이온 포격(bombardment)이 거의 없기 때문에, 화학적 반응에 의존한 순수한 습식 식각에 의해 나타나는 것과 같이 <110> 능선과 {111} facet으로 이루어진 표면이 관찰 되었다. 이러한 형태는 식각 시작후 1분 이내에 형성되기 시작하여 시간이 지남에 따라 커진다. 동일한 압력에서 source power를 변화시키면 식각된 표면이 다른 형태를 보인다. 100 W 정도의 낮은 source power에서는 결정학적 표면이 형성되지 않지만, 900 W 정도의 높은 source power에서는 결정학적 표면이 잘 형성된다. 이것은 건식 식각에 필수적인 여기된 반응성 물질의 양이 source power에 크게 좌우되기 때문이다. 높은 source power에서는 반응성 물질의 농도가 높아지고, 열역학적으로 가장 안정한 GaAs(100) 표면이 형성 된다. 반면에 반응성 물질이 부족할 경우에는 표면 형태는 sputtering에 의해 결정된다. Scaling theory에 기초한 표면의 통계적 분석 적용 시, 두개의 spatial exponent가 발견 되었다. 하나는 1 보다 작고 원자 수준의 표면형태 형성 기구에 의해 결정되고, 다른 하나는 1보다 크며 facet 형성 기구와 같이 큰 규모의 형태 형성 기구에 의한 결과로 생각된다.