• 한국재료학회지
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• 제10권11호
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• pp.784-788
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• 2000

The Vickers microhardness was measured on the basal (0001) plane of sapphire single crystals in the temperature range from 25$^{\circ}C$to 1000$^{\circ}C$. The substructure surrounding the indents was investigated using selective chemical polishing and etching, optical microscopy, and trasmission electron microscopy (TEM). At room temperature, cracks were predominant, and at intermediate temperatures (400$^{\circ}C$and 600$^{\circ}C$), extensive rhombohedral twinning was observed. On the other hand, at higher temperatures, prism plane slip bands on prism plane {1120}(원문참조) were dominant in the microstructure. TEM observations revealed that the dislocation substructure at the vicinity of the indents consisted of fairly straight dislocations lying in basal and/or prism planes and aligned along the <1100> and <1120> directions. The details of the glide dissociation of perfect <110> screw dislocations into three collinear 1/3<1100> partials on the prism plane and the Peierls potential for sapphire single crystals were discussed.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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• pp.132-132
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• 2008

실험실적 도금 simulator 에서 도금실험을 행하여 전기아연도금재 표면품질이 염화암모늄 및 유기첨가제 농도와 상관성을 관찰하였다. 이들은 각각 도금층의 우선배향면인 basal plane 와 연관성이 있었으며 basal plane 이 적을수록 표면 백색 및 광택이 감소하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제33권3호
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• pp.225-230
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• 2016

Since the development of anodic aluminum oxide (AAO), extensive studies have been conducted ranging from fundamental research to the applications of AAO. Most of the research on AAO structures have focused on well-aligned nanoporous structures fabricated under specific conditions. This study investigated fabricable AAO structures with anodization performed with various temperatures, electrical potentials, and basal plane surfaces. As a result, nanoporous and nanofibrous structures were fabricated. The nanopores were formed at a relatively lower temperature and potential, and the nanofibers were formed at a relatively higher temperature and potential regardless of the basal plane surface. The shape of the base surface was found to influence the structural arrangement in nanoporous morphologies. These interesting findings relating to new morphologies have the potential to broaden the possible applications of AAO materials.

• 약학회지
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• 제17권2호
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• pp.111-114
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• 1973

Je-chun clay, Hwa-soon bentonite, and Hwa-soon montmorillonite were treated with treated with organic solvents, i.e., ethylene glycol, ethanol, n-hexane, dioxane, ethylene chlorohydrin and obtained X-ray diffractograms were compared with those of the original samples. Organic solvent was adsorbed on the basal plane surfaces of Je-chun clay, Hwa-soon bentonite, Hwa-soon montmorillonite and, as a result, the axis spacing ws increased, However, organic solvent did not affect the non-expanding lattice of Japanese acid clay and the basal plane remained unchanged.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권11호
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• pp.1151-1158
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• 1997

Fracture of uni-directional carbon fiber reinforced carbon matrix composite is strongly dependent on the orientation of basal plane in graphite matrix when it is limited within matrix. The orientation of basal planes are vertically stacked to carbon fiber which results in the weakness for applied tensile or shear force in thermosetting resin derived-carbon matrix composite. Microtextural control of the matrix was tried through chemical interaction between metal carbides and furan resin derived-carbon matrix. SiC and TiO2 addition made the orientation disordered. However, porosity increased due to decomposition of SiC. Interfacial bonding could be controlled by TiO2 addition, but carbon fiber was considerably reacted with TiC during thermal treatment higher than 2$600^{\circ}C$. Therefore, it is desirable to control the thermal treatment temperature at which decomposition of SiC was not serious and TiC/C was not formed eutectoid.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권8호
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• pp.1-6
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• 2010

본 논문에서는 무분극 GaN층에서 관찰되는 성장축의 방향성에 따른 전기적 비등방성에 대한 연구를 수행하였다. 본 연구를 위해 $\gamma$-plane 사파이어 기판 상에 유기화학기상증착법 (Metal-organic chemical vapor deposition)을 이용하여 600 nm 두께의 ${\alpha}$-plane n-type GaN층을 성장시킨 후, Ti/Al/Ni/Au (20 nm/ 150 nm/ 30 nm/ 100 nm) 오믹 전극을 증착하여 transfer length method (TLM)로 접촉저항을 측정하였다. 그 결과, ${\alpha}$-plane GaN층이 갖는 축의 방향성에 의한 접촉저항이 차이는 없는 것을 확인하였고, 면저항 측정 시에는 m-축 방향에 비해 c-축 방향에서 발생하는 면저항 값이 약 25%~75% 정도 크게 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 전기적 특성의 비등방성은 c-축 성장방향에 대해 수직방향을 갖는 기저적층결함 (basal stacking faults)의 생성으로 인한 전자들의 거동 저하에 의한 것으로 사료된다.

• 한국재료학회지
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• 제11권4호
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• pp.278-282
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• 2001

사파이어($\alpha$-$Al_2$$O_3$) 단결정에 있어 basal slip (0001)1/3<1120>의 부분전위의 재결합거동을 알아보기 위해 prism plane (1120)의 사파이어 재료를 사용하여 4점 곡강도 시험을 행하였다. 이 굽힘시험은 온도 $1200^{\circ}C$~$1400^{\circ}C$에서 그리고 응력은 90MPa, 120MPa, 150MPa에서 행하여졌다 굽힘시험 동안 basal전위가 이동하기 위해 잠복기가 필요하였다. 실험온도 범위내에서 잠복기의 활성화에너지는 5.6-6.0eV이었으며, 이 잠복기는 자체-상승운동으로 분해된 부분전위들이 재결합하는데 필요한 시간인 것으로 추정되었다. 한편, 이 활성화에너지는 $Al_2$$O_3$에 있어 산소의 자체 확산을 위한 에너지 (대fir 6.3eV)와 거의 일치하였다. 이 결과를 통하여, 두 부분전위들의 재결합은 부분전위사이 적층결함으로 산소 자체확산에 의해 제어되는 것으로 여겨진다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권5호
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• pp.557-565
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• 2014

We report the effect of basal-plane stacking faults (BSFs) on X-ray diffraction (XRD) of non-polar (11$\underline{2}$0) a-plane GaN films with different $SiN_x$ interlayers. Complete $SiN_x$ coverage and increased three-dimensional (3D) to two-dimensional (2D) transition stages substantially reduce BSF density. It was revealed that the Si-doping profile in the Si-doped GaN layer was unaffected by the introduction of a $SiN_x$ interlayer. The smallest in-plane anisotropy of the (11$\underline{2}$0) XRD ${\omega}$-scan widths was found in the sample with multiple $SiN_x$ layers, and this finding can be attributed to the relatively isotropic GaN mosaic resulting from the increase in the 3D-2D growth step. Williamson-Hall (WH) analysis of the (h0$\underline{h}$0) series of diffractions was employed to determine the c-axis lateral coherence length (LCL) and to estimate the mosaic tilt. The c-axis LCLs obtained from WH analyses of the present study's representative a-plane GaN samples were well correlated with the BSF-related results from both the off-axis XRD ${\omega}$-scan and transmission electron microscopy (TEM). Based on WH and TEM analyses, the trends in BSF densities were very similar, even though the BSF densities extracted from LCLs indicated that the values were reduced by a factor of about twenty.

• 대한치과교정학회지
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• 제32권2호통권91호
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• pp.117-127
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• 2002

본 연구는 전후방적인 부조화가 폭경에 영향을 미치는지 알기 위해 I급 정상교합군과 III급 부정교합군을 비교하였고, III급 부정교합군내에서 수직적인 부조화가 폭경에 영향을 미치는지 알기 위해 Hyperdivergent군과 Neutral군으로 나누어 폭경의 차이를 비교하였다. 부산대학교병원 치과교정과에 내원한 골격성 III급(ANB< 0$^{\circ}$) 부정교합자 중측모 두부방사선 계측사진상에서 하악 평면각(SN-Mandibular plane; 정상인의 평균 32 ${\pm}$ 5$^{\circ}$)이 1.5 SD이상(39.5$^{\circ}$이상)인 환자 37명 (남자 18명, 여자 19명 )을 hyperdivergent군(Group B)으로, 하악 평면각이 정상치의 0.5 SD이내인(32 ${\pm}$ 2.5$^{\circ}$) 40명 (남자 20명, 여자 20명)을 neutral군(Group C)으로 분류하였고 11개의 치과대학 교정과에서 선별한 정상교합과 정상적인 안모를 가진 성인 24) 중 41명(남자 20명, 여자 21명)을 정상교합군(Group A)으로 하여 이 세 군을 대상으로 연구하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 골격성 III급 부정교합군내에서 수직적인 양상에 따른 폭경 비율은 유의할 만한 차이가 없었다. 2. 정상교합군과 III급 부정교합군의 상, 하악 기저골에 대한 치아간 폭경 비율의 비교에서 상악에서는 III급 부정교합군의 비율이 더 컸고(p<0.001), 하악에서는 제 1대구치 부분을 제외한 모든 항목에서 III급 부정교합군의 비율이 작아서(p<0.001) III급 부정교합군이 정상교합군에 비해 기저골에 대해 상악 치아가 더 협측으로 경사되고, 제1대구치를 제외하고 기저골에 대해 하악 치아가 설측 경사되어 횡적인 치성보상이 잘 되어 있는 것으로 나타났다(p<0.001). 3. 정상교합군과 III급 부정교합군의 상악에 대한 하악의 치아간 폭경 비율의 비교에서 모든 부분에서 유의할 만한 차이가 없었다. 4. 정상교합군과 III급 부정교합군의 상악에 대한 하악의 기저골 폭경 비율의 비교에서 모든 부위에서 III급 부정교합군이 정상교합군보다 더 커서(p<0.0001) III급 부정교합군의 상악 기저골 폭경이 하악보다 더 좁게 나타났다.

• 대한치과교정학회지
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• 제30권4호
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• pp.377-386
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• 2000

경미하거나 중등도의 골격성 비대칭을 동반한 치열 정중선 불일치를 치료할 때 진단시 간과한 경우 교정치료의 마무리시기에 발견하여 치료기간이 더 길어지거나 만족스럽지 못한 결과를 초래하게 된다. 이때 비대칭 악간 고무줄을 사용한 통상적인 방법으로 장기간 치료하면 교합평면이 변화되거나 치아가 경사 이동되는 등 여러 가지 부작용들이 발생할 수 있다. 이를 예방하기 위해 초진시부터 세심한 진단과 정확한 역학의 적용이 필요하다. Dr. Burstone이 제안한 three-piece basal archwire는 posterior anchorage unit, anterior segment와 intrusion arch 로 구성된다. Three-piece basal archwire는 전치부 함입과 후방견인을 동시에 도모할 수 있으며, 기울어진 전치부 교합평면의 개선도 가능하다. 편측으로만 견인력을 적용하여 치열 정중선을 개선할 때 절치가 경사이동되는 것을 방지하기 위해 Three-piece basal archwire를 응용하여 견인하는 방향의 반대측에 모멘트를 부가하면 절치의 편측 치체 이동을 도모할 수 있다. 이러한 방법으로 치열 정중선 불일치를 개선한 치료 증례를 살펴보고자 한다.