최근 중ㆍ대형 산업품에 대한 비접촉식 3차원 정밀 측정 장비가 개발되고 있다. 이러한 장비 중 하나인 데오드라이트 측정 시스템이 항공우주산업에 널리 활용되고 있다. 본 논문에서는 데오드라이트 시스템을 이용하여 근역장에서의 RF 프로브에 대한 위성체 탑재 안테나의 레인지 얼라인먼트 측정 방법을 기술하였다. Ku-band 및 Ka-band 안테나의 레인지 얼라인먼트 측정 및 조정을 측정 정확도 ±1 mm 및 ±$0.05^{circ}$도 이내에서 성공적으로 수행하였다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제6권5호
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pp.229-232
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2005
Direct characterization of band alignment at chemical bath deposition $(CBD)-CdS/Cu_{0.93}(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ has been carried out by photoemission spectroscopy (PES) and inverse photoemission spectroscopy (IPES). Ar ion beam etching at the condition of the low ion kinetic energy of 400 eV yields a removal of surface contamination as well as successful development of intrinsic feature of each layer and the interfaces. Especially interior regions of the wide gap CIGS layers with a band gap of $1.4\~1.6\;eV$ were successfully exposed. IPES spectra revealed that conduction band offset (CBO) at the interface region over the wide gap CIGS of x = 0.60 and 0.75 was negative, where the conduction band minimum of CdS was lower than that of CIGS. It was also observed that an energy spacing between conduction band minimum (CBM) of CdS layer and valance band maximum (VBM) of $Cu_{0.93}(In_{0.25}Ga_{0.75})Se_2$ layer at interface region was no wider than that of the interface over the $Cu_{0.93}(In_{0.60}Ga_{0.40})Se_2$ layer.
최근 중 대형 산업품에 대한 비접촉식 3차원 정밀 측정 장비가 개발되고 있다. 이러한 장비 중 하나인 데오드라이트 측정 시스템이 항공우주산업에 널리 활용되고 있다. 본 논문에서는 데오드라이트 시스템을 이용하여 근역장에서의 RF 프로브에 대한 위성체 탑재 안테나의 레인지 얼라인먼트 측정 방법을 기술하였다. Ku-band 및 Ka-band 안테나의 레인지 얼라인먼트 측정 및 조정을 측정 정밀도 ${\pm}1mm$ 및 ${\pm}0.05^{\circ}$ 이내에서 성공적으로 수행하였다.
Objective: The purpose of this study was to examine the effects of an 8-week SMR, stretching, and band program on lower limb alignment (distance between the knees, Q angle) and gait (gait speed, stride length, impulse, and peak pressure) in female in their 20s who have genu varum. Method: The participants, female in their 20s who had genu varum, were randomly divided into the SMR, Stretching, and Band group (SSB, n=9), Stretching and Band group (SB, n=9), and Control Group (CG, n=9). Experimental group A (SSB) performed 3 50-minute sessions of the program per week for 8 weeks while the experimental group B (SB) performed stretching and band correctional exercise in 3 40-minute sessions per week for 8 weeks. The control group had no correctional exercise program. Results: Only the SSB group showed a significant increase in gait velocity and stride length in this study. The SSB and SB group showed a significant decrease of impulse on the forefoot after exercise program suggests that SMR and elastic band exercise had a positive effect on the distribution of foot pressure. Conclusion: We concluded that 8-week genu varum correctional exercise program had beneficial effects on the gait parameters (gait velocity, stride length, impulse, peak pressure) in 20s women with genu varum.
This study was peformed to investigate the effects on skeletal muscle recovery with aqua-exercise; swimming to take the muscle endurance for 20 days on two group of white rats which were the low extremity atrophy group(control groups) by fixed for two weeks and aqua-exercise group(experimental groups) after it. The effects was observed with light and electron microcope to measure the morphological changes of muscle fibers. The results obtained were as follow. 1. Light microscope: In the case of control groups, quadriceps fibers had been irregular alignment, decreased muscle width and the irregular alignment nuclear appeared, as it is degenerative muscle fibers. In the case of experimental groups, the fibers had been regular alignment cells and fibers. The nucleus of muscle had been normal characterized by oval shape and fiber sarcomere clearly classified. 2. Electron microscope: In the case of control groups, there were the quadriceps which was Z-line streaming phenomenon induced at the sarcomere and cells nuclear separated from basal membrane. It was not only observed the sarcomere alignment irregularly and mitochondria damaged, but also vacuoles found. In the case of experimental groups, A band, I band, H band had been clearly appeared, classified at the myofibrils of quadriceps, and electronic dense M-line found in sarcomere. There were observed satellite cells and basal laminas that usually to be appeared at the time of mitochondrial development, skeletal muscle fiber regeneration or development. This results suggest that the aqua-exercise assisted to inhibit the degenerative morphological changes of skeletal muscle cells and help to recover from abnormal states. Especially, it is considered to effect on a normal structural formation.
국내 통신방송위성 Ku 대역 오프셋 파라볼라 안테나의 제작/정렬 오차에 의한 안테나 성능 민감도 해석을 수행하였다. 안테나 반사판의 성형 과정에서 필연적으로 발생하는 반사판 표면의 무작위 오차를 RMS(Root Mean Square) 및 상관 거리로 특성화하여 이에 대한 성능 변화를 통계적으로 분석하였다. 또한, 반사판에 대한 급전 혼의 상대 정렬 위치 및 각 오차에 의한 성능 변화를 파악하였고, 안테나 성능에 민감한 방향을 파악할 수 있었다. 허용 공차를 적용하는 경우 제작/정렬 오차에 의한 성능 저하가 안테나 설계 시의 이득 버짓 또는 각 성능 변수의 설계 여유 내에 있음을 확인하였다.
Purpose : The purpose of this study was to investigate how upper-extremity-movement of PNF(proprioceptive neuromuscular facilitation) with elastic band has effected on arrangement of body and weight-bearing. Methods : The object has worked with 20 patient
The Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin film solar cells have been achieved until almost 20% efficiency by NREL. These solar cells include chemically deposited CdS as buffer layer between CIGS absorber layer and ZnO window layer. Although CIGS solar cells with CdS buffer layer show excellent performance, the short wavelength response of CIGS solar cell is limited by narrow CdS band gap of about 2.42 eV. Taking into consideration the environmental aspect, the toxic Cd element should be replaced by a different material. Among Cd-free candidate materials, the CIGS thin film solar cells with ZnS buffer layer seem to be promising with 17.2%(module by showa shell K.K.), 18.6%(small area by NREL). However, ZnS/CIGS solar cells still show lower performance than CdS/CIGS solar cells. There are several reported reasons to reduce the efficiency of ZnS/CIGS solar cells. Nakada reported ZnS thin film had many defects such as stacking faults, pin-holes, so that crytallinity of ZnS thin film is poor, compared to CdS thin film. Additionally, it was known that the hetero-interface between ZnS and CIGS layer made unfavorable band alignment. The unfavorable band alignment hinders electron transport at the heteo-interface. In this study, we focused on growing defect-free ZnS thin film and for favorable band alignment of ZnS/CIGS, bandgap of ZnS and CIGS, valece band structure of ZnS/CIGS were modified. Finally, we verified the photovoltaic properties of ZnS/CIGS solar cells.
This paper discusses a gravity compensation technique designed to reduce wavefront error caused by gravity during the assembly and alignment of satellite multi-band optical sensor. For this study, the wavefront error caused by gravity was analyzed for the opto-mechanical structure of multi-band optical sensor. Wavefront error, an indicator of optical performance, was computed by using the displacements of optics calculated through structural analysis and optical sensitivity calculated through optical analysis. Since the calculated wavefront error caused by gravity exceeded the allocated budget, the gravity compensation technique was required. This compensation technique reduces wavefront error effectively by applying the compensation load to the appropriate position of the housing tube. This method successfully meets the wavefront error budget for all bands. In the future, a gravity compensation equipment applying this technique will be manufactured and used for assembly and alignment of multi-band optical sensor.
사원화합물 반도체 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$을 구성하는 네 가지 이원화합물 반도체 GaAs, GaSb, InAs, InSb의 최고 가전자띠 준위와 최저 전도띠 준위를 밀접결합방법에 근거한 해석적 근사법으로 계산하였다. 이들을 이종 접합시켰을 때 경계면에서의 밴드정렬상태를 구한 결과, GaAs/InAs와 GaAs/InSb, GaSb/InSb는 제 I형, GaAs/GaSb는 제 II형, GaSb/InAs, InSb/InAs는 제III형의 밴드 정렬 형태를 갖는다는 것을 알 수 있었다. 또한 범용적 밀접결합을 이용하여 사원화합물 반도체 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$의 성분비 x와 y에 따른 최고 가전자 띠와 최저 전도 띠 준위변화를 구하였다. $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$을 GaSb와 InAs 격자 정합시켜 경계면에서의 밴드정렬상태를 구해 본 결과 성분비에 따라 제 II형과 제 III형 사이의 밴드정렬형태의 전이가 일어남을 알 수 있었다. $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$를 GaSb에 격자 정합 시켰을 때 $x{\geq}0.15$에서 제 III형 밴드정렬이었던 것이 $x{\geq}0.81$에서는 제 II형의 밴드정렬 상태로 전이되며, 이와 반대로 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$를 InAs에 격자정합 시켰을 때 $x{\geq}0.15$에서 제 II형 밴드 정렬이 $x{\geq}0.81$에서 제 III형 밴드정렬로 전이됨을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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