• 한국전자파학회논문지
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• 제18권10호
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• pp.1107-1116
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• 2007

본 논문은 Z-변환 기술을 이용한 2차 고조파를 억제시킨 광대역 개방형 스터브 대역 통과 여파기를 설계 및 제작하고 그 특성을 측정하였다. 제안된 여파기는 주파수 선택적 결합 구조(FSCS)와 ${\lambda}_g/4$ 개방형 스터브를 조합한 구조의 대역 저지 여파기를 광대역 개방형 스터브 대역 통과 여파기에 집적화하여 제2 고조파를 억제하였고, 기존의 개방형 스터브 여파기의 입력단과 출력단에 대역 저지 여파기(BSF)를 삽입할 경우 크기가 증가되었으나, 제안된 구조는 스터브를 연결하는 인버터 위치를 스터브들 사이에 집적화 하여 $18.7{\times}16.9mm^2$의 크기로 제작되어 BSF 삽입 이전보다 크기가 작아졌다. 제안된 여파기는 중심 주파수 5.8 GHz에서 대역폭이 95 %, 삽입 손실 0.6 dB, 반사 손실 14 dB의 측정 결과를 얻었으며, 시뮬레이션 결과와 측정 결과가 유사하게 나타났다. 따라서 위성 통신의 X-밴드 및 지능형 교통 정보 시스템(ITS)의 여파기에 적용할 수 있다.

• 한국응용곤충학회지
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• 제52권3호
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• pp.227-237
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• 2013

잡식성인 아메리카동애등에(Hermetia illucens)는 최근 음식물 쓰레기를 처리하는 환경 정화용 곤충으로 알려져 있을 뿐만 아니라 항생물질을 분비하여 여러 방면에 산업적으로 이용될 가능성이 보이고 있다. 또한 대량적으로 사육이 가능하여 전 사육과정을 자동화하는 기반에서 생산화가 진행되고 있는데 이때 가동되는 기계에서 소음이 발생하게 된다. 곤충에게 소리는 주로 짝짓기나 보호를 위해 사용되기 때문에 이러한 소음은 곤충에게 스트레스로 작용될 수 있다. 본 실험은 동애등에 발육에 미치는 음파의 영향 평가는 최적의 발육 조건인 $25^{\circ}C$와 광조건 8:16 h(L:D)에 실시되었다. 분석된 음파는 95 dB 조건에서 상이한 주파수(0-5,000 Hz)를 유충에 처리하였다. 주파수가 증가함에 따라 용화율과 우화율이 현격하게 낮아졌다. 다음으로 동일한 주파수(5,000 Hz)에서 소리세기(0-105 dB)를 다양하게 처리한 경우 85 dB 이상의 음파가 동애등에의 발육을 억제하는 것으로 나타났다. 본 연구는 또한 동애등에 발육에 영향을 주는 음파 조건(5,000 Hz, 95 dB)이 일부 면역 및 소화 유전자들의 발현을 교란시켰다. 이상의 결과는 85 dB 이상 고주파 음파 처리가 동애등에의 발육에 영향을 주는 것으로 나타났다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2008년도 제34회 동계학술대회 초록집
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• pp.246-246
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• 2008

• 한국태양에너지학회 논문집
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• 제32권spc3호
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• pp.194-198
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• 2012

Crystalline silicon solar cell remains the major player in the photovoltaic marketplace with 80% of the market, despite the development of various thin film technologies. Silicon's excellent efficiency, stability, material abundance and low toxicity have helped to maintain its position of dominance. However, the cost of silicon materials remains a major barrier to reducing the cost of silicon photovoltaics. Using the crystalline silicon wafer with thinner thickness is the promising way for cost and material reduction in the solar cell production. However, the thinner the silicon wafer is, the worse bow phenomenon is induced. The bow phenomenon is observed when two or more layers of materials with different temperature expansion coefficiencies are in contact, in this case silicon and aluminum. In this paper, the solar cells were fabricated with different thicknesses of Al layer in order to reduce the bow phenomenon. With less amount of paste applications, we observed that the bow could be reduced by up to 40% of the largest value with 120 micron thickness of the wafer even though the conversion efficiency decrease by 0.5% occurred. Since the bowed wafers lead to unacceptable yield losses during the module construction, the reduction of bow is indispensable on thin crystalline silicon solar cell. In this work, we have studied on the counterbalance between the bow and conversion efficiency and also suggest the formation of enough back surface field (BSF) with thinner Al layer application.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.430-430
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• 2012

The surface recombination velocity of the silicon solar cell could be reduced by passivation with insulating layers such as $SiO_2$, SiNx, $Al_2O_3$, a-Si. Especially, the aluminium oxide has advantages over other materials at rear surface, because negative fixed charge via Al vacancy has an additional back surface field effect (BSF). It can increase the lifetime of the hole carrier in p-type silicon. The aluminium oxide thin film layer is usually deposited by atomic layer deposition (ALD) technique, which is expensive and has low deposition rate. In this study, ICP-assisted reactive magnetron sputtering technique was adopted to overcome drawbacks of ALD technique. In addition, it has been known that by annealing aluminium oxide layer in nitrogen atmosphere, the negative fixed charge effect could be further improved. By using ICP-assisted reactive magnetron sputtering technique, oxygen to nitrogen ratio could be precisely controlled. Fabricated aluminium oxy-nitride (AlON) layer on silicon wafers were analyzed by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) to investigate the atomic concentration ratio and chemical states. The electrical properties of Al/($Al_2O_3$ or $SiO_2/Al_2O_3$)/Si (MIS) devices were characterized by the C-V measurement technique using HP 4284A. The detailed characteristics of the AlON passivation layer will be shown and discussed.

• 대한지역사회영양학회지
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• 제3권2호
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• pp.174-189
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• 1998

The purpose of this study was to evaluate the nutritional status and growth of Korean infants, who were atending peripheral community clinics in low income areas, by anthropometric measurements and estimating dietary intakes. Dietary intakes and growth were compared among different feeding patterns of 143 infants until age 9 months. The overall mean nutrient intakes of infants in this study were below the recommended allowances except the calcium intake from significant difference in each groups; however, calcium, zinc and iron intake of the formula fed infant(FF) was higher than the breast fed infant(BF) or the mixed fed infant(MF). Form ages 4-6 months, the nutrient intakes were shown to be higher in groups that were given supplementary foods than groups that were not. From ages 7-9 months, all nutrient intakes were higher in or the formula and supplementary foods fed(ESF) infants than in the breast and supplementary food(BSF) or the formula and supplementary food(FSF) groups, All subjets in this study showed a large Z-score. The growth of infants up to 6 months of age showed no significant difference in the feeding pattern, however, after 7 months of age the BSF group had significantly lower weight than the FSF or the ESF groups, There were significant positive relationships between infants weight gain at age 7-9 months from birth and the current protein or zinc intakes. As a result the average status of nutrient intakes of infants in this area was loser than the RDA, however, the growth pattern was fairly good. Although the breast milk is beneficial for infants, mothers should be educated for the importance of supplemental food and its practice to support good mutrition(Korean J Community Nutrition 3 (2) : 174-189, 1998)

• Current Photovoltaic Research
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• 제2권4호
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• pp.147-151
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• 2014

A boron doping process using a boron tri-bromide ($BBr_3$) as a boron source was applied to form a $p^+$ emitter layer on an n-type mono-crystalline CZ substrate. Nitrogen ($N_2$) gas as an additive of the diffusion process was varied in order to study the variations in sheet resistance and the uniformity of doped layer. The flow rate of $N_2$ gas flow was changed in the range 3 slm~10 slm. The sheet resistance uniformity however was found to be variable with the variation of the $N_2$ flow rate. The optimal flow rate for $N_2$ gas was found to be 4 slm, resulting in a sheet resistance value of $50{\Omega}/sq$ and having a uniformity of less than 10%. The process temperature was also varied in order to study its influence on the sheet resistance and minority carrier lifetimes. A higher lifetime value of $1727.72{\mu}s$ was achieved for the emitter having $51.74{\Omega}/sq$ sheet resistances. The thickness of the boron rich layer (BRL) was found to increase with the increase in the process temperature and a decrease in the sheet resistance was observed with the increase in the process temperature. Furthermore, a passivated emitter solar cell (PESC) type solar cell structure comprised of a boron doped emitter and phosphorus doped back surface field (BSF) having Ni/Cu contacts yielding 15.32% efficiency is fabricated.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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• pp.702-705
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• 2011

고효율 다결정 태양전지 제작의 방향을 제시하기 위해 PC1D 프로그램을 이용하여 전, 후면 재결합 속도, 소수 캐리어 확산거리, 접합깊이, 에미터 층 면저항, 후면 전계층이 미치는 영향을 조사하였다. 최적화된 전지 파라미터는 후면 재결합 속도 1000 cm/sec, 베이스 층에서의 소수 캐리어 확산거리 50 [${\mu}m$], 전면 재결합 속도 100 [cm/sec], 에미터 층 면저항 $100{\Omega}/\Box$, 후면 전계층 두께 및 도핑 농도는 각각 0.5 [${\mu}m$]와 $5{\times}10^{19}\;cm^{-3}$로 조사되었다. 특히 19.8% 이상의 변환효율을 얻기 위해서는 베이스층의 확산거리가 가장 중요한 파라미터임을 알 수 있었다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제18권1호
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• pp.43-46
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• 2018

본 논문은 향상된 성능을 가진 개선 된 헤어핀 커플 링 구조인 스텝 임피던스 공진기 (SIR : Stepped Impedance Resonator)를 이용한 광대역 대역저지 여파기 (WBSF : Wide Band Stop Filter)를 설계하였다. SIR WBSF는 크기가 작고 탁월한 대역저지 특성을 갖는 장점이 있다. 설계된 BSF는 ${\lambda}/4$길이의 사각 모양의 헤어핀형을 입력과 출력 전송 라인 상측과 하측에 배치하여 대칭형이 되도록한 구조이다. 입출력 단자는시스템 응용을 위해 50 ohm으로 종단 되었다. SIR WBSF의 중심 주파수는 3.15 GHz의 제2 고조파 인 6.3 GHz이다. 설계된 여파기의 3dB 대역폭은 2.9 GHz이고 전송계수 ($S_{21}$)는 33.2 dB이다. 중심 주파수에서 반사계수 ($S_{11}$)은 0.106 dB이다. 응용분야는 육상고정 마이크로웨이브 중계국, 고정된 위성과 지구국, 고정 위성간 통신에 사용된다. 전체 크기는 $20mm{\times}10mm$이다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.22-26
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• 1983

열확산(thermal diffusion)법을 이용하여 면적이 3.36㎠인 P+N 전지와 P+NN+ 전지를 제작하였다. 100mW/㎠의 인공 조명에서 측정한 결과 940℃에서 15분 보론확산(boron Predeposition)을 하고, 800℃에서 20분 열처리(annealing)하여 제작한 P+N전지는 전면적(수광면적) 변환 효율이 13.4%(14.7%)이었다. 뒷면을 1050℃에서 인(Phosphorus)을 확산한 후, 앞면을 940℃에서 15분 보론 확산하고, 800℃에서 50분 열처리하여 만든 P+NN+전지의 전면적(수광면적) 변환 효율은 14.3%(15.6%)이었다. 뒷면의 인 확산으로 게더링(gettering) 작용과 BSF 효과에 의해서 P+NN+ 전지가 P+N전지보다 캐리어 수명이 약 2∼3배 증가되었다. 그리고 효율 개선을 위해 AR로팅, Ag전기도금, 미세한 그리드 패턴, 앞면 불순물 주입량 조절 등을 행하였다.