• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
• /
• pp.109-113
• /
• 2005

We have studied a field sequential liquid crystal display (FSLCD) with electrically controlled birefringence (ECB). The ECB mode exhibiting fast response time, high transmittance, low operating voltage and adequate viewing angle. The positive liquid crystal (LC) is better than negative LC on dielectric anisotropy, birefringence and rotational viscosity. Because $K_{11}$ value out of the elastic coefficient of LC is also larger than $K_{22}$ value, decay time of VA-ECB is advantage. However, the transmittance & response time reduced with decreasing the cell gap. This drawback can be overcome by using LC with high ${\Delta}n$ but VA-ECB is occured loss of light efficiency because the $\gamma$ value increased by high ${\Delta}n$ of LC. Consequently, the HA-ECB mode is one of strongest candidate for FSLCD application.

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
• /
• 제28권2호
• /
• pp.84-84
• /
• 2003

• Journal of the Korean institute of surface engineering
• /
• 제35권6호
• /
• pp.377-382
• /
• 2002

We investigated the appropriate wet cleaning process for Co-Ti-Si compounds formed on top of cobalt disilicide made from Co/Ti deposition and two rapid thermal annealing (RTA). We employed three wet cleaning processes, WP1 ($H_2$SO$_4$ etchant), WP2 ($NH_4$OH etchant), and WP3 which execute sequentially WP1 and WP2 after the first RTA. All samples were cleaned with BOE etchant after the second RTA. We characterized the sheet resistance with process steps by a four-point probe, the microstructure evolution by a cross detail sectional transmission electron microscope, a Auger depth profiler, and a X-ray diffractometer (XRD). We confirmed WP3 wet cleaning process were the most suitable to remove CoTiSi layer selectively.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• 제41권8호
• /
• pp.31-36
• /
• 2004

we developed a technique to manufacture more reliable polycrystalline silicon TFT-LCDs using UV cleaning and buffered oxide etch(BOE) cleaning which remove the native oxide of the silicon surface before laser annealing. To investigate the effects of pre-treatments on the surface roughness of polycrystalline silicon, we measured atomic force microscopy(AFM). Also the electrical characteristics of polysilicon TFTs, breakdown characteristic and switching Performance, were tested for various pre-treatment conditions and several locations in large glass substrate.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 한국진공학회 2006년도 제31회 학술논문발표회 초록집
• /
• pp.183-183
• /
• 2006

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
• /
• pp.908-910
• /
• 2007

Thin Film Transistor (TFT) manufacturing process is complicated. Electrostatic discharge (ESD) occurs during every process step. This paper describes ESD phenomena in terms of TFT design and processing flow. The abnormal contact between equipment and glass is found out to be the key reason causing ESD.

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
• /
• 제44권2호
• /
• pp.72.2-72.2
• /
• 2019

보현산 천문대 1.8-m 망원경과 고분산 에셀 분광기 BOES를 이용하여 장기간 관측한 공생별 AG Draconis 방출선들의 모니터링을 통해 분광학적 특성을 보이고자 한다. 특히, 공생별 AG Draconis의 활동성 및 등급 변화에 따른 중성수소 Balmer 선과 주요 원소에 의한 방출선들의 특징과 변화 양상에 대해 살펴본다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
• /
• pp.1054-1057
• /
• 2003

We have studied $90^{\circ}$ twisted nematic (TN) mode driven by fringe electric field, where two polarizers are parallel each other such that the cell shows a black state before a voltage is applied. According to the studies by computer simulation for a LC with negative dielectric anisotropy, the LC twists perpendicular to the horizontal field direction of fringe electric field and the degree of tilt angle is very low, when a voltage is applied. Therefore, the new device exhibits wide viewing angle characteristic due to in-plane switching and high transmittance since the LC director aligns parallel to the polarizer axis.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
• /
• pp.224-224
• /
• 2010

최근 반도체 나노막대의 구조적, 광학적 특성을 이용한 새로운 개념의 광학 및 전자 소자 개발을 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 기존의 반도체 나노막대는 gold를 촉매로 하여 성장한 것이 대부분이었지만, gold 촉매는 다른 물질에 빠르게 확산되기 때문에 반도체 특성에 좋지 않은 영향을 미친다. 이러한 이유로 aluminum이나 titanium과 같은 물질을 gold 촉매 대신 사용하거나 촉매를 사용하지 않는 성장 방법에 관한 이슈들이 주목받고 있다. 본 연구에서는 금속 촉매 물질을 사용하지 않고 반도체 나노막대 성장을 시도하였다. 금속 촉매 없이 반도체 나노막대를 성장하는 것은 반도체 특성에 악영향을 미치지 않을 뿐더러, 공정 과정이 용이하다는 장점 때문에 최근 많이 시도되고 있다. 본 실험에서는 Molecular Beam Epitaxy (MBE) 방법을 이용하여 (100) GaAs 기판 위에 GaAs 나노막대를 성장하였다. 금속 촉매 없이 반도체 나노막대를 성장하기 위해 에칭된 $SiO_2$ 층을 이용하였다. GaAs 기판 위에 형성된 35nm 두께의 $SiO_2$를 20:1 BOE 용액에서 10초 간 에칭하면 $SiO_2$상에 pinhole을 형성하는데 이것이 gallium과 반응하면 나노막대 성장을 유도하는 seed가 만들어져 촉매를 사용하지 않고도 나노막대 성장이 가능하다. GaAs 나노막대 성장을 위해 BOE 에칭 조건, gallium incubation time 유무, GaAs 나노막대 성장온도, galiium과 arsenic의 성분 비율, GaAs 양 등을 변화시켜 실험하였고 이렇게 성장된 나노막대가 SEM image 상에서 관찰되었다.

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
• /
• 제41권1호
• /
• pp.32.1-32.1
• /
• 2016

1996년, 보현산천문대는 1.8m 반사망원경과 1K CCD 카메라, 그리고 태양망원경을 갖추고 한국 천문학의 본격적인 광학관측시대를 열었다. 준공 직후인 1997년에는 측광관측기기를 2K CCD로 교체 하였으며, 1998년에는 망원경 제어시스템(TCS)을 국내 연구진이 자체 개발하였고 망원경의 전자부도 교체하였다. 1999년의 중분산분광기 제작 이후 2003년에는 고분산에셀분광기 BOES를 개발하여 세계적인 경쟁력을 갖춘 분광관측이 가능하게 되었다. BOES는 현재 보현산천문대의 주 관측기기로 활용 중이다. 2008년에는 적외선이미징카메라 KASINICS를 개발하여 관측 파장대를 적외선까지 넓혔으며, 2010년에는 가시광 측광관측기기를 4K CCD로 업그레이드 하였다. 2015년에는 망원경 구동시스템을 다시 한 번 개선하여 보다 안정적이고 정밀한 관측시스템을 갖추게 되었다. 또한, 2014년과 2015년에는 2년에 걸쳐 관측실과 숙소, 그리고 각종 연구시설의 전면 리모델링을 실시하여 관측자를 위한 환경도 개선하였다. 이러한 다양한 관측지원을 바탕으로 보현산천문대 연구장비를 활용한 논문은 매년 꾸준히 생산되고 있으며 관측과 연구결과들은 한국 광학천문학의 밑거름이 되고 있다. 2016년에는 1m 망원경 설치를 완료할 예정이며 장기관측 과제에 집중함으로써 연구의 새로운 지평을 열게 될 것이다. 연구장비의 안정적인 구동과 성능 향상을 위해 중장기발전계획 아래 노후화된 기기의 교체와 개발을 진행 중이다. 2016년 4월, 제2의 도약기를 준비 중인 보현산천문대의 준공 20주년을 맞이하여, 그 동안의 발자취를 돌아보고 앞으로 나아갈 길을 제시하고자 한다.