• 전자공학회논문지C
• /
• 제35C권5호
• /
• pp.33-40
• /
• 1998

In this paper, a design of current-mode continuous-time filters for low voltage and low frequency applications using complementary bipolar current mirrors is presented. The proposed current-mode filters consist of simple bipolar current mirrors and capacitors and are quite suitable for monolithic integration. Since the design method of the proposed current-mode filters are based on the integrator type of realization, it can be used for a wide range of applications. Since the input impedance of simple bipolar current mirror is small, in this paper, negative feedback amplifier is used to realize is designed by cascade method. The cutoff frequency of the designed filter can be easily tunable by the DC controlling current from 60kHz to 120kHz. The characteristics of the designed current-mode filters are simulated and examined by SPICE using standard bipolar transistor parameters.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제50권1호
• /
• pp.17-22
• /
• 2001

The floating-gate MOSFETs were fabricated by employing 1.5 m n-well CMOS process and their optical-electrical properties were characterized for the application to CMOS image sensor system. Based on the simulation of energy band diagram and operating mechanism of parasitic BJT were proposed as solutions for the increase of photo-current value. In order to realize them, MOSFETs having multi-gate and channel structures were fabricated and 60% increase in photo-current was achieved through enlargement of depletion layer and parallel connection of parasitic BJTs by channel division.

• 전력전자학회:학술대회논문집
• /
• 전력전자학회 2007년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.232-234
• /
• 2007

본 논문은 Z-Source 인버터의 효율 증대를 위해 기존의 스위칭 회로에의 lower-arm의 스위칭 소자를 BJT구성하여, 스위칭 회로가 FET와 BJT로 구성된 Z-Source 인버터 구조를 제안하였으며, 제안된 인버터 구조에 적합한 스위칭 신호를 분석 및 스위칭 손실의 효율을 개선하였다. 또한 본 논문을 PSIM 시뮬레이션과 실험을 통해 제안된 방식의 성능을 확인하였다.

• 한국군사과학기술학회지
• /
• 제25권5호
• /
• pp.545-551
• /
• 2022

We proposed a design method for constant current pyro squib circuit. The current method using N MOSFET for the stability problem has a weakness of the current change, requiring a new design. This paper identified the problem with conventional squib circuit where the current is reduced by 25 % when maximum resistance is 3 ohms. Thus, we proposed a stable constant current driving circuit using P MOSFET and PNP BJT. We confirmed stable constant circuit operation through simulations and measurements of the proposed circuit design where the current did not change until the resistance reached 3 ohms.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제20권4호
• /
• pp.793-798
• /
• 2016

본 연구에서는 1T-DRAM 응용을 위해 Bipolar Junction Transistor 모드 (BJT mode)에서 비대칭 소스/드레인 수직형 나노와이어 소자의 순방향 및 역방향 메모리 윈도우 특성을 분석하였다. 사용된 소자는 드레인 농도가 소스 농도보다 높으며 소스 면적이 드레인 면적보다 큰 사다리꼴의 수직형 gate-all-around (GAA) MOSFET 이다. BJT모드의 순방향 및 역방향 이력곡선 특성으로부터 순방향의 메모리 윈도우는 1.08V이고 역방향의 메모리 윈도우는 0.16V이었다. 또 래치-업 포인트는 순방향이 역방향보다 0.34V 큰 것을 알 수 있었다. 측정 결과를 검증하기 위해 소자 시뮬레이션을 수행하였으며 시뮬레이션 결과는 측정 결과와 일치하는 것을 알 수 있었다. 1T-DRAM에서 BJT 모드를 이용하여 쓰기 동작을 할 때는 드레인 농도가 높은 것이 바람직함을 알 수 있었다.

• 전자공학회논문지
• /
• 제49권12호
• /
• pp.194-200
• /
• 2012

본 논문에서는 SPICE 시뮬레이션을 위한 고전압 insulated gate bipolar transistor(IGBT)의 개선된 모델을 제안하였다. IGBT를 부속 소자인 MOSFET과 BJT의 조합으로 구성하고, 각 소자의 각종 파라미터 값을 조절하여 기본적인 전류-전압 특성과 온도변화에 따른 출력특성의 변화 등을 재현하였다. 그리고 비선형적인 리버스 트랜스퍼 커패시턴스 등의 기생 커패시턴스의 전압에 따른 변화를 높은 정확도로 재현하기 위해, 복수의 접합 다이오드, 이상적인 전압 및 전류 증폭기, 전압제어 저항, 저항과 커패시터 수동소자 등을 추가하였다. 본 회로모델을 1200V급의 트렌치 게이트 IGBT의 모델링에 이용하였으며, 실측자료와 비교하여 통해 모델의 정확도를 검증하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
• /
• pp.386-389
• /
• 2003

본 논문에서는 Bluetooth applications를 위한 Bipolar Transistor low noise amplifier (LNA)를 설계하였다. 설계된 LNA는 2.4GHz에서 14.31[dB]의 Gain과 1.59[dB]의 NF를 보였다. 또한 S11은 -13.5[dB], S22는 -21.4[dB]의 양호한 값은 보였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
• /
• pp.765-768
• /
• 2003

본 논문에서는 Noise Figure, IP3, Gain, power dissipation들을 최대한 고려하여 간단하면서도 훌륭한 성능을 보이는 PCS용 1.9 GHz CDMA Low Noise Amplifier를 설계하였다. 비록 본 논문에서는 특정한 트랜지스터를 이용하여 설계하였지만, 다른 트랜지스터를 사용하여 이러한 방법으로 설계하여도 무관할 것이다.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제12권6호
• /
• pp.2707-2712
• /
• 2011

본 논문에서는 400V, 120W 급 LED 구동을 위한 1단 전류 경계모드(Boundary Condition Mode) 제어방식의 역률 개선 제어회로를 설계하였다. 제안하는 제어회로는 역률 개선 및 고조파 발생을 감소시키는 기능을 가지고 있으며, 또한 PFC(Power Factor Correction)회로 내에서 상대적으로 많은 면적을 차지하는 기존의 바이폴라 트랜지스터 구조 대신 새로운 CMOS 회로로 설계하였다. 기존대비, 약 30% 정도의 레이아웃 면적을 줄이게 되었고, 상용화 시 칩의 가격 경쟁력이 클 것으로 사료된다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제3권2호
• /
• pp.236-242
• /
• 1999

BiCMOS 공정으로 제조된 바이폴라 트랜지스터의 베이스 분산저항 ${\gamma}_{bb}$에서 발생되는 1/f 잡음을 실험 적으로 분석하였다. 공통컬렉터 잡음등가회로의 해석으로부터 $g_m^{-1}-{\gamma}_{bb}-R_B$값이 매우 작을 때는 출력측에서의 1/f 잡음은 순수하게 ${\gamma}_{bb}$에서 발생되는 잡음임을 실험을 통해서 확인할 수 있었다. $S^{1/f}_{Irbb}=K_fI_b{^{A_1}}/f$에서 $A_f=2,\;K_f{\simeq}5{\times}10^{-9}$를 얻었다. 그리고 Hooge상수 ${\alpha}$ 값은 ${\sim}10^{-3}$ 범위로 추출되었다.