In this paper, we consider resistive shorts on gate-source, gate-drain, and drain-source as well as opens in MOS FETs included in typical memory cell of VLSI SRAM and analyze behavior of memory by using PSPICE simulation. Using conventional fault models and this behavioral analysis, we propose linear testing algorithm of complexity O(N) which can be applied to both functional testing and IDDQ (quiescent power supply current) testing simultaneously to improve functionality and reliability of memory. Finally, we implement BIST (built-in self tsst) circuit and BICS(built-in current sensor), which are embedded on memory chip, to carry out functional testing efficiently and to detect various defects at high-speed respectively.
본 논문에서는 2-패턴 테스트를 고려한 스캔 기반 BIST 구조를 제안한다. 제안하는 BIST는 STUMPS 구조론 기반으로 하고 있다. STUMPS 구조는 테스트 생성기로 선형 귀환 시프트 레지스터(LFSR)를 사용하고, 응답 압축기로는 다중 입력 시프트 레지스터(MISR), 그리고 다중 스캔 패스 구성에는 시프트 레지스터 래치(SRL)을 사용한다. 제안하는 BIST 구조에서는 degenerate MISR이 SRL 채널을 구성하도록 하여, STUMPS 기법에 비하여 원래 회로에 부가되는 BIST 회로의 크기를 줄이고 전체 시스템의 성능에 거의 영향을 주지 않도록 한다. 클럭 당 테스트와 스캔 당 테스트가 모두 지원되는 구조로 설계되며, 특히 스캔 당 테스트에서 스캔 데이터의 회로에 대한 영향을 억제하여 회로의 전력 소모를 크게 줄일 수 있다. ISCAS 89 벤치마크 회로에 대한 실험 결과로부터, SRL 채널 내 데이터의 해밍 거리를 고려하여 제안된 BIST가 경로 지연 고장의 검출에도 적용될 수 있음을 확인한다.
본 논문에서는 내장된 자체 테스트 기법 (BIST, Built-In Self Test)을 적용 할 때 저전력 테스트가 가능한 패턴 생성기를 제안하였다. 테스트 시 WSA (Weighted Switching Activity)가 많이 발생하는 노드인 heavy nodes의 선택 알고리듬을 제안하였으며, heavy nodes에 천이를 발생시키는 입력부 곧 heavy inputs을 찾는 알고리듬을 나타내었다. 고장 검출율을 높이는 최적의 heavy nodes의 수를 결정하고 선택된 입력부에 변형된 LFSR의 출력을 인가하여 테스트 시 발생하는 천이를 줄였다. 제안하는 패턴 생성기는 몇 개의 AND 게이트와 OR 게이트를 LFSR에 추가하여 적은 하드웨어 오버헤드로 간단히 구현된다. ISCAS 벤치 회로에 적용한 실험을 통해 제시하는 방법이 기존의 기법에 비해 평균 소비 전력을 감소시키면서 고장 검출율을 상승시키는 것을 검증하였다.
고집적 SRAM을 구성하고 있는 일반적인 메모리 셀을 이용하여 저항성 단락을 MOSFET의 게이트-소오스, 게이트-드레인, 소오스-드레인에 적용시키고, 각 단자에서 발생 가능한 개방 결함을 고려하여 그 영향에 따른 메모리의 자장노드의 전압과 VDD에서의 정전류를 PSPICE 프로그램으로 분석하였다. 해석 결과를 고려하여 메모리의 기능성과 신뢰성을 향상시키기 위해 기능 테스트와 IDDQ 테스트에 동시에 적용할 수 있는 O(N)의 복잡도를 갖는 테스트 알고리즘을 제안하였다. 테스트의 질과 효율을 좀 더 향상시키기 위해 메모리에서 발생되는 고장을 검출하는 BIST 회로와 정전류의 비정상적인 전류의 흐름을 발생시키는 결함을 검출하는 BICS를 설계하였다. 또한 구현한 BIST/BICS 회로는 고장 메모리의 수리를 위해 고장 및 결함의 위치를 검출할 수 있다.
본 논문에서 구현한 GenBIST는 메모리 테스팅을 위한 정보를 입력으로 받아 테스트용 회로를 VerilogHDL 코드로 자동 생성해 주는 설계 자동화 툴 이다. 상용 툴 들을 포함한 기존의 툴 들은 대부분 메모리 테스트를 위한 알고리즘들을 라이브러리화하고 이를 회로로 생성해주는 방식인데 반해, 본 논문에서 구현한 툴은 사용자가 정의한 알고리즘대로 회로를 생성해 줌으로써 새로운 알고리즘의 적용을 용이하게 하였다. 또한 다중 메모리를 지원할 수 있게 함으로써 메모리 BIST 회로를 공유할 수 있게 하였고 serial interfaceing 기법을 사용함으로써 경계 주사 기법과 함께 사용될 경우 메모리 테스트를 위한 부가적인 핀을 필요로 않는다.
메모리 기술이 발달함에 따라 메모리의 집적도가 증가하게 되었고, 그에 따라 구성요소들의 크기가 작아지게 되고, 고장의 감응성이 증가하게 되어, 테스트는 더욱 복잡하게 된다. 또한, 칩 하나에 포함되어 있는 저장요소가 늘어남에 따라 테스트 시간도 증가하게 된다. SoC 기술의 발달로 대용량의 내장 메모리를 통합할 수 있게 되었지만, 테스트 과정은 복잡하게 되어 외부 테스트 환경에서는 내장 메모리를 테스트하기 어렵게 되었다. 본 논문은 ARM 프로세서 기반의 SoC 환경에서의 임베디드 메모리를 테스트할 수 있는 프로그램 가능한 메모리 내장 자체 테스트를 제안한다.
본 논문에서는 시스템 온 칩 (SoC, System-on-Chip) 트랜시버에 적용이 가능하며. 저잡음 증폭기(LNA, Low Noise Amplifier)를 위한 자동 보상 회로 (ACC, automatic compensation circuit)를 제안한다. 개발된 회로는 고주파 내부 자체 검사 (BIST, Built-In Self-Test) 회로, 커패시터 미러 뱅크 (CMB, Capacitor Mirror Banks)와 디지털 처리장치로 구성되어 있다. 자동 보상 회로는 LNA가 정상 동작을 하지 않을 때 SoC 트랜시버의 구성요소인 디지털 프로세서를 이용하여 LNA가 정상 동작을 하도록 자동적으로 조정하는 역할을 한다.
본 논문에서는 입력 정합(input matching) BIST(Built-In Self-Test, 자체내부검사) 회로를 이용한 RF front end(고주파 전단부)의 새로운 결함 검사방법을 제안한다. 자체내부검사 회로를 가진 고주파 전단부는 1.8GHz LNA(Low Noise Amplifier, 저 잡음 증폭기)와 이중 대칭 구조의 Gilbert 셀 믹서로 구성되어 있으며, TSMC 40.25{\mu}m$ CMOS 기술을 이용하여 설계되었다. catastrophic 결함(거폭 결함) 및 parametric 변동 (미세 결함)을 가진 고주파 전단부와 결함을 갖지 않은 고주파 전단부를 판별하기 위해 고주파 전단부의 입력 전압특성을 조사하였다. 본 검사방법에서는 DUT(Device Under Test, 검사대상이 되는 소자)와 자체내부검사회로가 동일한 칩 상에 설계되어 있기 때문에 측정할 때 단지 디지털 전압계와 고주파 전압 발생기만 필요하며, 측정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점이 있다.
본 논문은 유사랜덤 방식의 BIST를 기반으로 하여 스캔 shifting시의 transition을 획기적으로 줄여 주었던 transition freezing 기법과 새롭게 제안하는 고장검출율 100%를 위한 pattern mapping 기법을 결합한 효과적인 저전력 BIST구조에 대해 제안한다. Transition freezing 기법으로 생성된 고연관의 저전력 패턴은 패턴 인가 초기에는 많은 수의 고장을 검출해 내지만, 패턴의 수가 점점 늘어날수록 랜덤 저항 고장의 증가로 인해 추가적인 고장 검출에는 한계가 있었다. 이러한 비검출 고장에 대해 ATPG를 통한 테스트 패턴을 생성하여, 고장을 검출하지 못하는 frozen pattern과 mapping을 함으로써 기 생성된 패턴을 재활용하여 인가되는 패턴의 수와 테스트 시간을 줄임으로써 전력 소모량을 줄일 수 있었다.
본 논문은 24GHz 차량 추돌 예방 레이더 시스템-온-칩을 위한 입력 임피던스, 전압이득 및 잡음지수를 자동으로 측정할 수 있는 새로운 형태의 고주파 자체 내부검사(BIST, Built-In Self-Test) 회로를 제안한다. 이러한 BIST 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정 ($f_T/f_{MAX}$=140/120GHz)으로 설계되어 있다. 알고리즘은 LabVIEW로 구현되어 있다. BIST 알고리즘은 입력 임피던스 정합과 출력 직류 전압 측정원리를 이용한다. 본 논문에서 제안하는 방법은 자동으로 쉽게 고주파 회로의 성능변수를 측정할 수 있기 때문에 시스템-온-칩의 저가 성능 검사의 대안이 될 것으로 기대한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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