Four glasses of $B_2O_3-Bi_2O_3-PbO-SiO_2$ (BBPS) system were prepared by melting the appropriate amounts of reagent grade oxides of $B_2O_3$, $Bi_2O_3$, PbO, and $SiO_2$ in an open crucible. The differential thermal analysis showed crystallization temperature decreased with increasing $Bi_2O_3$ or PbO content in the sample. The structures of glasses system were studied using scanning electron microscopy and Fourier transform-Infra red (FT-IR) spectroscopy. The UV cut-off and refractive index were found to be sensitive to the $Pb^{+2}$ and $Bi^{+3}$ content in the glasses. The behavior of the IR spectra of the glasses in the BP series was consistent with a role of $Bi_2O_3$ as a network former. In the BP series of glasses, the result of IR spectrum indicated that PbO behaved as a network former.
SrCaCuO와 BiPbCuO 화합물로 이루어진 이중층시료가 만들어 졌으며, 소결과정에서 나타나는 확산과 입자간의 상호작용으로 108K의 임계온도를 나타내었다. 이 시료는 820.deg. C에서 0-210 시간동안 소결되었다. 초전도체의 생성, 성장메카니즘과 임계온도의 관계가 연구되었으며, 최적조건은 820.deg. C에서 210시간 소결하고 SrCaCuO와 BiPbCuO의 도포비가 1:0.6인 시편에서 나타났다. 또한 이중층시료에서 가장 좋은 조성비는 S $r_{2}$C $a_{2}$C $u_{2}$$O_{x}$와 B $i_{1.9}$P $b_{0.5}$C $u_{3}$$O_{y}$ 이었다.다.
Kim, Byung-Sook;Lim, Eun-Sub;Lee, Joon-Hyung;Kim, Jeong-Joo
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2004.08a
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pp.1095-1098
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2004
In this study, $Bi_2O_3-B_2O_3-ZnO$ glass system, which was expected to have similar properties with PbO containing glass system, was selected as a PbO replaceable potential composition because the atomic weight and ionic radius of Bi is similar to those of Pb. Glasses with different modifier/former ratio were prepared by melting the raw ingredient mixtures in $Bi_2O_3-B_2O_3-ZnO$ system, and the thermal and electrical properties of the sintered samples were examined. The glass transition temperatures and the dielectric constant of the glass pellets were between 350 $^{\circ}C{\sim}$500 $^{\circ}C$ and 15-35, respectively.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.67
no.10
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pp.1338-1343
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2018
MIMO(Multiple Input Multiple Output) slot antenna that operates on the dual WiFi band(2.401~2.495GHz, 5.18~5.825GHz), in this paper, was studied. The basic theory for the slot design is based on the coupling between adjacent slot, and slots are fed by the each microstrip lines. Two slot antennas for the MIMO operation are located on the left and the right side of top of the metal notebook, and grounds between a notebook and two microstrip feeding lines are connected. Measurement of return loss showed under -6dB on entire design band, and isolation was below than -30dB. Radiation efficiency, average gain and peak gain for the left and the right slot were measured in the anechoic chamber, and showed good performances as 57.25%, -2.42dBi, 5.64dBi and 55.35%, -2.61dBi, 6.42dBi for the 2.4GHz band and 55.89%, -2.58dBi, 7.3dBi and 53.79%, -2.8dBi, 7.54dBi for the 5GHz band.
Park, C.M.;Lee, S.H.;Kim, Seung-Hoon;Jang, Hee-Dong
Journal of the Korean Magnetics Society
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v.13
no.1
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pp.36-40
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2003
We have grown D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$$O_{12}$ (x = 0.5,1.0, 1.5,2.0) magnetic garnet thin films upon $Al_2$O3i and GGG substrate using Pechini process. The annealing temperature to get single phase D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$$O_{12}$ garnet is dependent on substrate, i.e. the annealing temperature for GGG substrate il 5$0^{\circ}C$ lower than that for $Al_2$$O_3$ substrate. The grains of garnet thin film grown on GGG (111) plane align along [111] direction, and in this case the hysteresis curve does not saturate up to H : 5000 Oe. We attribute this phenomenon to rotation magnetization process. The maximum amount of Bi substitution in polycrystalline D $y_{x}$B $i_{3-x}$F $e_{5}$$O_{12}$ thin film prepared by Pechini process is restricted to 2.0 Bi atom/unit cell, and this value is less than that in single garnet crystall grown by LPE method.own by LPE method.ethod.
The x-ray powtler pattern of single phase $Bi_2S_2CaCu_2O_{8+x}$ has been identified and fullyindexed using a pseudotetragonal subcell with a= 5.408, c = 30.83 $\AA$ and an incommensurate supercellwith reciprocal lattice vector, X$q^*$, given by $q^*=0.211b^*-c^*$. The x -ray powder pattern of the Pb-free110K superconductor phase "$Bi_2S_2CaCu_2O_{10+x}$" has many lines which belong t.o an incommensuratesupercell. Using elect.ron d~ffraction pImt.ographs as a indexing guide, an indexing scheme for the powderpattern has been obtained. The unit cell has a geometrically orthorhombic subcell a=5.411, b= 5.420, c=37.29(2) $\AA$. Supercell reflections have indices that are derived from the subcell k, 1 indices by addition uf$\pm q^*$, where $\pm q^*=0.211b^*-0.78c^*$The incommensurate con~ponent In the b dwection, $\delta$, is the same for both phases but on going from2212 to 2223 phase, the superlattic component in the c direction changes from commensurate($\varepsilon$=1) toincommensurate($\varepsilon$=0.78).X>$\varepsilon$=0.78).
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.10
no.4
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pp.47-52
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2003
A new type of Bi based glass frit was developed for Ag paste in PDP applications and its properties are compared with the commercially used Pb based glass frit. After optimization of the properties of Bi based frits for PDP application such as the softening temperature and the coefficient of thermal expansion (C.T.E), the screen printed electrodes prepared with the Bi based fit contained Ag paste were characterized. In $Bi_2O_3-B_2O_3-Al_2O_3$ glass system with the more than 50% of $Bi_2O_3$, the softening temperature, the thermal expansion coefficient and the line resistivity was 400∼$480^{\circ}C$, 7.31∼$10.02\times 10^{-6}/^{\circ}C$> and 4.1∼4.8$\Omega$ respectively. Properties of the Bi based frits are comparable with the Pb based frits. A printability and an uniformity of the Bi based frits were excellent in screen printed Ag eletrode. The Bi based frit system is an excellent candidate material for Pb free and Alkali free frit in PDP applications.
The structural characteristics of 4-coordinate $BO_4$ [B(1)] and 3-coordinate $BO_3$ [B(2)] groups in $BiB_3O_6$ were studied by $^{11}B$ magic angle spinning (MAS) and single-crystal nuclear magnetic resonance (NMR) spectroscopy. The spin-lattice relaxation time in the laboratory frame, $T_1$, for $^{11}B$ decreased slowly with increasing temperature, whereas the spin-lattice relaxation times in the rotating frame, $T_{1{\rho}}$, for B(1) and B(2), which differed from $T_1$, were nearly constant. Further, $T_{1{\rho}}$ for B(1) and B(2) showed very similar trends, although the $T_{1{\rho}}$ value of B(2) was shorter than that of B(1). The 3-coordinate $BO_3$ and 4-coordinate $BO_4$ were distinguished by $^{11}B$ MAS NMR spectrum and $T_{1{\rho}}$.
A novel material, $Bi_2WO_6-GO-TiO_2$ composite, was successfully synthesized using a facile hydrothermal method. During the hydrothermal reaction, the loading of $Bi_2WO_6$ and $TiO_2$ nanoparticles onto graphene sheets was achieved. The obtained $Bi_2WO_{6-GO-TiO2}$ composite photo-catalysts were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray (EDX) analysis, transmission electron microscopy (TEM), Raman spectroscopy, ultraviolet-visible diffuse reflectance spectroscopy (UV-vis-DRS), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The $Bi_2WO_6$ nanoparticle showed an irregular dark-square block nanoplate shape, while $TiO_2$ nanoparticles covered the surface of the graphene sheets with a quantum dot size. The degradation of rhodamine B (RhB), methylene blue trihydrate (MB), and reactive black B (RBB) dyes in an aqueous solution with different initial amount of catalysts was observed by UV spectrophotometry after measuring the decrease in the concentration. As a result, the $Bi_2WO_6-GO-TiO_2$ composite showed good decolorization activity with MB solution under visible light. The $Bi_2WO_6-GO-TiO_2$ composite is expected to become a new potential material for decolorization activity. Photocatalytic reactions with different photocatalysts were explained by the Langmuir-Hinshelwood model and a band theory.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.22
no.2
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pp.199-207
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2011
A Ku-band low noise amplifier has been designed and fabricated by using 0.25 um SiGe BiCMOS process. The developed Ku-band LNA RFIC which has been designed with hetero-junction bipolar transistor(HBT) in the BiCMOS process have noise figure about 2.0 dB and linear gain over 19 dB in the frequency range from 9 GHz to 14 GHz. Optimization technique for p-tap value and electro-magnetic(EM) simulation technique had been used to overcome the inaccuracy in the PDK provided from the foundry service company and to supply the insufficient inductor library. The finally fabricated low noise amplifier of two fabrication runs has been implemented with the size of $0.65\;mm{\times}0.55\;mm$. The pure amplifier circuit layout with the reduced size of $0.4\;mm{\times}0.4\;mm$ without the input and output RF pads and DC bais pads has been incorporated as low noise amplication stages in the multi-function RFIC for the active phased array antenna of Ku-band satellite VSAT.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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