Kim, Soaram;Nam, Giwoong;Park, Hyunggil;Yoon, Hyunsik;Kim, Byunggu;Kim, Jin Soo;Kim, Jong Su;Leem, Jae-Young
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.337-337
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2013
ZnO seed layers were deposited on a quartz substrate using the sol-gel method, and B-doped ZnO (BZO) nanorods with different B concentrations ranging from 0 to 2.5 at.% were grown on the ZnO seed layers by the hydrothermal method. The structural, optical, electrical propertiesof the ZnO and BZO nanorods were investigated using field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), ultraviolet-visible spectroscopy, and hall effect. The ZnO and BZO nanorods grew well aligned on the surface of the quartz substrates. From the XRD data, it can be seen that the B doping is responsible for the distortion of the ZnO lattice. The PL spectra show near-band-edge emission and deep-level emission, and they also show that B doping significantly affects the PL properties of ZnO nanorods. The optical band gaps are changed by B doping, and thus the Urbach energy value changed with the optical band gap of the ZnO nanorods. From the hall measurements, it can be observed that the values of electrical resistivity, carrier concentration, and mobility are changed by B doping.
The sulphur spinel $FeCr_{2-x}M_xS_4$(M=Ga, In) have been studied with Mossbauer spectroscopy, x-ray diffraction (XRD), and vibrating sample magnetometer. The XRB patterns for samples $FeCr_{2-x}M_xS_4$(M=Ga, In: x=0.1, 0.3) reveal a single phase, which the Ga and In ions are partially occupied to the tetrahedral (A) site. The Neel temperature for the Ga substituted samples increases from 180 to 188 K, with increase from x=0.1 to 0.3. While, it decreases from 173 to 160 K, for the In substituted samples of the x=0.1 and 0.3, respectively. The Mossbauer spectra were collected from 4.2 K to room temperature. We have analyzed the Mossbauer spectra using eight Lorentzian lines fitting method for the $FeCr_{2-x}In_xS_4$(x=0.1) at 4.2 K, yielding the 1311owing results; $H_{hf}=146.0kOe,\;{\Delta}E_Q=1.88mm/s,\;\theta=36^{\circ},\;\phi=0^{\circ},\;\eta=0.6$, and R=1.9. The Ga ions enter into the both sites octahedral (B) and tetrahedral (A), simultaneously the same amounts of Fe ions migrate from the A to the B site, this result is an agreement with XRD results, too. The ${\Delta}E_Q$ of the A and B site in Mossbauer spectra of the samples $FeCr_{2-x}Ga_xS_4$(x=0.3) are 0.83 and 2.94mm/s, respectively. While they are 0.56 and 2.36mm/s for the $FeCr_{2-x}In_xS_4$(x=0.3). It is noticeable that the ${\Delta}E_Q$ for the Ga doped samples are larger than that of the corresponding In doped samples, in spite of the larger ionic radius for In ions. The bond lengths of Cr-S, for the Ga and In doped samples (x=0.3) are found to be 2.41 and $2.43\;{\AA}$, respectively. We interpret that the larger covalence effect from the smaller bond length induces a large asymmetric charge distribution. Finally, it gives a large quadrupole interaction.
A bidirectional TDM-PON link to support 2.5 Gb/s upstream signals of 256 ONUs was considered for an extended transmission distance of 50 km. The power budget of the link was 58 dB for the upstream signal and a SOA was applied as a link extender which had a 25 dB gain. Receiver sensitivity of the upstream signal was -25 dBm for -30 dBm input power to the SOA. When the input power was -10 dBm, pulse overshooting caused by gain transient of the SOA was maximum at 45% and the signal performance degradation gave a power penalty of 1.55 dB for $10^{-12}$ BER. However the penalties diminished rapidly and became negligible as the input power went below -15 dBm. So this input power dynamic range of up to -15 dBm means that it is not positively necessary to use gain control methods for the next generation TDM-PON systems.
The structural dependence of the performance of an 1.55 $1.55{\mu}m$ InGaAsPIInGaAsP MQW electro-absorption modulator for highspeed digital fiber communication was systematically investigated. The effects of n-doped SCH region length $t_n$ as well as the general structure parameters including quantum well number $N_w$, well-thickness $t_w$, detuning wavelength $\Delta\lambda$, and device length L were thoroughly analyzed. Thereby, a high-pelfoIDlance electro-absorption modulator with device length L of $100{\mu}m$ was successfully designed. The designed structure showed excellent characteristics that have residual loss less than -1.5 dB, operational voltage from 0 V to -2V, and extinction ratios of -2.92 dB at $V_{\alpha}$=-1 V and -10 dB at $V_{\alpha}$=-2V.X>=-2V.
In this paper, we have studied the effect of constituent ratio NiO, CuO and doped with B-Bi-Zn on proper-ties(microstructure, density, shrinkage, permeability as a function of frequency, etc.) of hexagonal-ferrite for high fre- quency chip-inductor material about several GHz. The permeability were analyzed by impedance analyzer(100 kHz∼ 40 MHz) and network analyzed(30 MHz∼3 GHz). As a result of the characteristics. the B-Bi-Zn glass ceramic was used to lower the sintering temperature for additive as function of frequency from 100kHz to 1.8 GHz showed con-stant tends. The maximum imaginary value of complex permeability was observed near the resonance frequency of 2 GHz.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.17
no.1
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pp.197-203
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2013
Optical power optimization of 10 Gbps 40 wavelength division multiplexing channels was analyzed at the 3000 km long-haul transmission distance when the link span distance was changed between 40 km and 140 km. The signal performance of the transmission was obtained as a Q value and it was compared when input power into SSMF and input power into DCF on the transmission link were changed. The optimized input power into SSMF increased linearly to link span distance with 1 dB/km. The optimized power into DCF increased linearly with 0.5 dB/km up to 100 km link span, but it had no variation at longer link span than 100 km.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.183-183
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2014
Recently, multiferroic materials gain much attention due to their fascinating fundamental physical properties. These materials offer wide range of potential applications such as data storage, spintronic devices and sensors, where both electronic and magnetic polarizations can be coupled. Among single-phase multiferroic materials, $BiFeO_3$ is typical because of the room-temperature magnetoelectric coupling in view of long-range magnetic- and ferroelectric-ordering temperatures. However, $BiFeO_3$ is well known to have large leakage current and small spontaneous polarization due to the existence of oxygen vacancies and other defects. Furthermore the magnetic moment of pure $BiFeO_3$ is very weak owing to its antiferromagnetic nature. Recently, various attempts have been performed to improve the multiferroic properties of $BiFeO_3$ through the co-doping at the A and the B sites, by making use of the fact that the intrinsic polarization and magnetization are associated with the lone pair of $Bi^{3+}$ ions at the A sites and the partially-filled 3d orbitals of $Fe^{3+}$ ions at the B sites, respectively. In this study, $BiFeO_3$, $Bi_{0.9}Ho_{0.1}FeO_3$, $BiFe_{0.97}Ni_{0.03}O_3$ and $Bi_{0.9}Ho_{0.1}Fe_{0.97}Ni_{0.03}O_3$ bulk compounds were prepared by solid-state reaction and rapid sintering. High-purity $Bi_2O_3$, $Ho_2O_3$, $Fe_2O_3$ and $NiO_2$ powders with the stoichiometric proportions were mixed, and calcined at $500^{\circ}C$ for 24 h to produce the samples. The samples were immediately put into an oven, which was heated up to $800^{\circ}C$ and sintered in air for 1 h. The crystalline structure of samples was investigated at room temperature by using a Rigaku Miniflex powder diffractometer. The field-dependent and temperature-dependent magnetization measurements were performed with a vibrating-sample magnetometer and superconducting quantum-interference device.
The influence of $O_2$-plasma treatment on $H_2$ post-treated BZO (ZnO:B) thin film using MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) are investigated. An $O_2$-plasma treatment of the $H_2$ post-treated BZO thin films resulted in XRD peak of (100), (101) and (110). Also, electrical properties resulted in an increase in sheet resistance and work function. The weighted optical transmittance and haze at 300~1,100 nm of BZO thin films with $O_2$-plasma treatment on the $H_2$ post-treatment show approximately 86% and 15%, respectively.
We performed Raman spectroscopy on two different over-doped Bi2Sr2CaCu2O8+x (BSCCO), of which superconducting transition temperatures are 89 K and 77 K. Line-shape analysis of the Raman-spectrum was done, focused on B1g bond buckling mode which have drawn a lot of attention, since photoemission studies showed an evidence for strong coupling between the mode and electron. The line-shapes show asymmetry and are well fitted by the Fano line-shape formula. Remarkably, we found that the peak line-widths from B1g bond buckling mode in BSCCO show much broader than those in YBa2Cu3O7-x. The broad line width can be attributed to the superstructure modulation of BSCCO. Our results imply that B1g bond buckling mode may have close relation to the origin of superconductivity or to boosting the superconducting transition temperature in BSCCO.
No investigation has yet been accomplished to screen the boron-doped effects on vanadium based metal membranes. The synthesis, hydrogen permeation properties and chemical stability of a novel Pd-coated $V_{99.8}B_{0.2}$ alloy membrane are presented in this report. Hydrogen permeation experiments have been performed to investigate the hydrogen transport properties through the Pd-coated $V_{99.8}B_{0.2}$ alloy membrane in the absolute pressure range 1.0~3.0 bar under pure hydrogen, hydrogen-carbon dioxide gas mixture at $400^{\circ}C$. The maximum hydrogen permeation flux was $48.5mL/min/cm^2$ for a 0.5 mm thick membrane under pure hydrogen. This results offer new direction in the synthesis of novel non-Palladium-based metal membranes for hydrogen separation in water-gas shift reaction.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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