Colemanite($Ca_2B_6O_{11}{\cdot}5H_2O$)원광을 황산과 반응시켜 붕산을 추출하는 방법과 그 반응 기구에 대하여 연구하였다. colemanite에 황산을 첨가하고 가열하여 colemanite의 칼슘 성분을 황산칼슘으로 분리하고 붕산을 추출할 때, 첨가하는 황산 첨가량 은 colemanite에 존재하는 Ca 성분을 분리할 때 필요한 화학 양론적인 양보다 많아야 되며, 또한 초기 pH가 5 미만이어야 대부분의 colemanite가 분해되었다. 붕산으로 추출 시 영향을 주는 인자로는 분해온도, 분해시간, 황산 첨가량, 황산암모늄 첨가량, pH. 농축 정도 및 건조온도와 시간이었다. 황산 첨가 시 colemanite에 포함되어 있는 불순물 중 CaO와 MgO는 황산과 반응하여 침전을 형성하고, $SiO_2$는 불용 성분으로 황산칼슘과 함께 분리되고, $Al_2O_3,\;Fe_2O_3,\;TiO_2,\;Na_2O$ 등은 황산과 반응하여 액상 상태로 존재하였다. 이 액상에 암모니아를 첨가하여 존재하는 나머지 불순물을 수산화물 형태로 분리, 석출하였으며, pH 조정과 산성화, 농축, 재결정화 과정을 통하여 붕산을 제조하였다.
As micro-system move toward higher speed and miniaturization, requirements for embedding the passive components into printed circuit boards (PCBs) grow consistently. They should be fabricated in smaller size with maintaining and even improving the overall performance. Miniaturization potential steps from the replacement of surface-mount components and the subsequent reduction of the required wiring-board real estate. Among the embedded passive components, capacitors are most widely studied because they are the major components in terms of size and number. Embedding of passive components such as capacitors into polymer-based PCB is becoming an important strategy for electronics miniaturization, device reliability, and manufacturing cost reduction Now days, the dielectric films deposited directly on the polymer substrate are also studied widely. The processing temperature below $200^{\circ}C$ is required for polymer substrates. For a low temperature deposition, bismuth-based pyrochlore materials are known as promising candidate for capacitor $B_2Mg_{2/3}Nb_{4/3}O_7$ ($B_2MN$) multi layers were deposited on Pt/$TiO_2/SiO_2$/Si substrates by radio frequency magnetron sputtering system at room temperature. The physical and structural properties of them are investigated by SEM, AFM, TEM, XPS. The dielectric properties of MIM structured capacitors were evaluated by impedance analyzer (Agilent HP4194A). The leakage current characteristics of MIM structured capacitor were measured by semiconductor parameter analysis (Agilent HP4145B). 200 nm-thick $B_2MN$ muti layer were deposited at room temperature had capacitance density about $1{\mu}F/cm^2$ at 100kHz, dissipation factor of < 1% and dielectric constant of > 100 at 100kHz.
The effects of electric field strength and mechanical compressive stress on the displacement of multilayered ceramic actuator, stacked alternatively 0.2 (PbM $n_{1}$3/N $b_{2}$3/ $O_3$)-0.8(PbZ $r_{0.475}$$Ti_{0.525}$$O_3$) ceramic thin films and 70Ag-30Pd electrodes were investigated. Because the actuators were designed to stack ceramic layer and electrode layer alternatively, the ceramic-electrode interfaces may act as a resistance to motion of domain wall. so the polarization and strain were affected by the amount of 180$^{\circ}$domain, electric field strength and mechanical compressive stress. Consequently, the change of polarization, displacement with respect to field strength, and mechanical compressive stress were likely to be caused by readiness of the domain wall movement around the ceramic-electrode interfaces.ces.
The effects of post annealing treatments of ferroelectrlclty in PZT(P $b_{1.05}$(Z $r_{0.52}$, $Ti_{0.48}$) $O_3$ thin film deposited on Pt/ $SiO_2$/Si substrate by RF-Magnetron sputtering methode was Investigated. Analyses by RTA(Rapid Thermal Annealing) treatments reveled that the crystallization process strongly depend on the healing temperature. The Perovskite structure with strong PZT (101) plan was obtained by RTA treatments at 75$0^{\circ}C$ With increasing RTA temperature of PZI thin films, the coercive field and remanent Polarization decreased, while saturation polarization( $P_{r}$) was decreased. P-E curves of Pt/PZT/Pt capacitor structures demonstrate typical hysteresiss loops. The measure values of $P_{r}$,. $E_{c}$ and dielectric constants by post annealed at 75$0^{\circ}C$ were 38 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ 35KV/cm and 974, respectively. Switching polarization versus fatigue characteristic showed 12% degradation up to 10$^{7}$ cycles.s.s.s.s.s.s.
4-bit 강유전체 위상변위기를 이용하여 10 GHz, 상온에서 작동하는 위상배열 안테나를 설계 및 제작하였다. 이 안테나는 빔 스캔을 위하여 전압에 대한 비선형특성을 보이는 강유전체 Bal-xSrxTiO3 (BST)를 기본으로 하는 위상변위기를 이용하였다. 우리는 펄스레이져 증착법으로 MgO (001) 기판위에 걸맞게 증착된 BST 박막을 일반적인 사진공정과 식각법을 이용하여 동일평판형 전극을 가진 위상변위기를 만들었다. 일반적인 동일평판형 강유전체 위상변위기의 경우 연결 전송선로의 임피던스와의 차이로 인해 반사손실과 이로 인한 부가적인 삽입손실이 발생한다. 이런 손실들을 줄이기 위해 입력과 출력 포트에 임피던스 매칭을 하였다. 이렇게 테이퍼링되어 만들어진 동일평판형 위상변위기는 이전의 구조에 비해 반사 손실과 삽입 손실 값에서 각각 약 10, 2 dB 정도씩의 개선을 보였다. 이 구조로 전송선로의 길이를 길게하여 만든 1-bit 강유전체 위상변위기는 10 GHz, 150 V의 전압변화에서 180도의 차등위상변위를 보였으며 최대 삽입손실과 최대 반사손실은 각각 약 10 dB, 20 dB 이다. 안테나 모듈은 4개의 마이크로스트림 패치 안테나와 4개의 강유전체 위상변위기로 이루어졌는데 10 GHz, 150 V의 전압변화에서 약 15도의 빔 스캔을 확인하였다.
Piezoelectric or magnetostrictive materials, known as smart materials, have been researched widely for sensors or actuators in micro system technology. In our research, thick sol-gel lead zirconate titanate(Pb(Zr$\sub$1-x/Ti$\sub$x/)O$_3$) films were fabricated and their characteristics were investigated f3r angular rate sensor applications. The thickness of the PZT films is 1.5${\mu}$m, which is required by a vibration angular rate sensor for a good actuation and sensing. The remnant polarization of the PZT flms is 12.0 ${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$. The electromechanical constants of PZT thin film showed the value of susceptance(B) of 4800${\mu}$ s at capacitance of 790pF. The PZT films were applied to the vibration angular rate sensor structure and the vibration of 1.78 ${\mu}$m in amplitude at the resonant frequency of 35.8㎑ was obtained by driving voltage of 5V$\sub$p-p/ of bulk piezoelectric materials with out of phase signal through voltage and inverting amplifier.
The coal formation of the Deokpyeong area are interbedded along metapelites of the Ogcheon Supergroup, which are composed mainly of graphite, quartz, muscovite and associated with small amounts of biotite, chlorite, pyrite and barite. The ratios of $SiO_2/Al_2O_3$, $Al_2O_3/Na_2O$ and $K_2O/Na_2O$ of the coaly metapelite are variable and wide range from 1.80 to 10.21, from 27.8 to 388.8 and from 7.6 to 61.8, respectively. These coal formation were deposited in basin of marine environments, and the REE of these rocks are not influenced with metamorphism and hydrothermal alterations on the basis of $Al_2O_3$ versus La, La against Ce, the ratios of La/Ce (0.19 to 0.99) and Th/U (0.02 to 4.75). These rocks also show much variation in $La_N/Yb_N$ (1.19 to 22.89), Th/Yb (0.14 to 21.43) and La/Th (0.44 to 13.67), and their origin is explained by derivation from a mixture of sedimentary and igneous rocks. The wide range in trace and REE element characteristics as Co/Th (0.12 to 2.78), La/Sc (0.33 to 10.18), Sc/Th (0.57 to 5.73), V/Ni (8 to 2347), Cr/V (0.02 to 0.67) and Ni/Co (1.56 to 32.95) of these coaly metapelites argues for inefficient mixing of the various source lithologies during sedimentation. Deep to pale green barium-vanadium muscovites (vanadium-oellacherite) have been found in this coal formations. Modes of occurrence and grain size of muscovite are heterogeneous, but most of the barium and vanadium-bearing muscovites occur along the boundaries between graphite and quartz grains, ranging from 200 to $350{\mu}m$ in length and from 40 to $60{\mu}m$ in width. Results of X-ray diffraction data of the minerals characterized to be monoclinic system with $a=5.249{\AA}$, $b=8.939{\AA}$, $c=20.924{\AA}$ and ${\beta}=95.894^{\circ}$. Representative chemical formula of the muscovite was $(Na_{0.09}K_{1.44}Ba_{0.46})(Al_{2.75}Ti_{0.07}V_{0.56}Fe_{0.08}Mg_{0.50})(Si_{6.12}Al_{1.88})O_{22}$. The V possibly substitute octahedral Al, and the Ba is coupled substitution of $K^+Si^{4+}=Ba^{2+}Na^+Ca^{2+}$, which compositional ranges of V and Ba are from 0.42 to 0.69 and from 0.34 to 0.56 based on $O_{22}$, respectively. Formation mechanism of the barium-vanadium muscovites in the coaly metapelite is shown that the formed by high pressure and temperature from regional metamorphism origanated during diagenesis at the interface between a basinal brine and organic matter.
Pulsed laser deposition 방법으로 증착한 $PbZr_{0.3}Ti_{0.7}O_{3}$ (PZT)박막의 구조적, 전기적 성질에 대한 연구를 하였다. PZT 박막은 $LaAlO_3$ 기판위에 동일한 조건으로 증착된 $LaMnO_3$ (LMO) 산화물을 하부 전극으로 하여 증착시간을 변화시키며 증착하였다. High-resolution x-ray diffraction 결과를 통해 LMO 하부 전극과 PZT 박막이 방향성 있게 자란 것을 확인할 수 있었고 박막의 두께는 field-emission scanning electron microscope을 통하여 측정할 수 있었다. 또한 우리는 atomic force microscopy을 이용하여 박막의 표면 거칠기를 구하였고 국소적인 범위의 전기적 특성은 piezoelectric force microscopy 모드를 이용하여 측정하였다. 그 결과 PZT/LMO 구조는 나노 스토리지의 미디어로 쓰이기 위해 필요한 성질들을 갖추었음을 알 수 있었다.
호남평야지에서 건답직파재배와 무경운기계이앙 재배시 적정 연속재배 년수 및 윤환재배법을 구명하고자 '95년부터 '00년까지 호남농업시험장 수도포장인 전북통(미사질양토)에서 동진벼를 공시하여 시험한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 무경운 기계이앙재배시 표층의 공극율이 건답직파에 비해 높았고 가비중은 무경운 재배시 가벼웠으며 무경운 재배를 계속할수록 표토는 볏짚의 환원에 따른 유기물 함량이 높아지고 물리성이 개선되나 심토는 경운 생략에 따른 물리성 악화와 유기물 함량의 감소로 벼 뿌리가 표층에 많이 분포하는 경향이었다. 2. $m^2$당 경수는 건답직파보다 무경운이앙에서 많았고 5년연속 건답직파시 275개로 경수의 감소가 현저하였으며 유효경비율은 재배양식간 큰 차이없이 60%내외였다. 3. 무경운재배를 계속 할 경우 잡초의 발생량이 크게 증가하였는데 1년생 잡초인 사마귀풀, 둑새풀이 많이 발생하였고, 다년생 잡초인 나도겨풀의 발생량이 많았으며 잡초성벼는 경운이앙재배에 비해 많이 발생하였지만 무경운 연속 재배년수에 관계없이 2-3%였다. 4. 건답직파를 3년 연속 했을 경우 잡초성벼 발생율은 3.7%가 되었으며 이듬해 담수직파로 윤환재배를 한 결과 2%로 감소하였지만 다시 건답직파재배를 했을 때 7.2%가 발생하여 윤환재배의 효과가 적었다. 5. 도복은 담수직파에서는 3으로 재배양식중 가장 심하였고 다음으로 무경운 기계이앙 순이었으며 건답직파와 경운이앙재배에서는 경미하였는데 도복 정도는 재배년차간 차이보다는 재배양식에 따라 발생정도가 다르게 나타났다. 6. 출수기는 무경운 이앙에서는 경운이앙과 비슷하였으나 건답직파와 담수직파에서는 년차간 변이가 심하였으며 쌀수량은 담수직파의 경우 년차간 큰 차이없이 경운이앙에 비해 약간 낮았고 무경운이앙에서는 5년연속 재배시 다소 감소되었으며 건답직파에서는 5년연속 재배시 62%로 크게 감소되었다.다.0일이었다.환경적응성이 낮은 경향이었다.은 모두 경운 유 ㆍ무에 관계없이 시비수준이 높을수록 높은 경향을 보였고, 10일에 최고수준을 보인 후 완만한 감소를 나타냈으며, $K^{+}$, $Ca^{2+}$에 비해 $Mg^{2+}$이 보다 낮은 함량을 보였다.989년산 일반계를 10분도와 12분도로 도정하였을 때 도정도에 따른 밥맛의 차이는 없었다.X>$CoO_x$는 $Co_3O_4$로 존재하고, 반응 전의 경우에는 이와는 다른 chemical state를 보여주었다. XRD 및 XPS 결과를 바탕으로, 촉매표면에 존재하는 $Co_3O_4$의 외부표면이 $Co_2TiO_4$와 $CoTiO_3$ 같은 $CoTiO_x$로 encapsulation되어 있는 모델구조를 제안할 수 있고, 이는 반응시간의 함수로 나타나는 촉매활성에 있어서 전이영역의 존재를 잘 설명할 수 있을 뿐만 아니라, XRD와 XPS에서 얻어진 촉매의 물리화학적인 특성을 잘 반영할 수 있다. 나타냈고, 골격근과 눈 조직에서 피루브산에 대한 LDH의 친화력이 상당히 크므로 LDH가 혐기적 조건에서 효율적으로 기능을 하는 것으로 사료된다.5) and "Cleanliness of clothes & features" (p <0.05) of VIP ward were significantly higher than those of a general ward.tive to apply.아울러 고려(考慮)해야 한다. 이것은 고무기술자(技術者)가 당면(當面)해야할 과제(課題)에 속(屬)하며 바람직 한것은 본장(本章)의 내용(內容)이 여러 상황하(狀況下)에서 당면(當面)한 문제(問題)에 대(對)해 어떻게 대처(對處)해 야 할지를 모르는 여러 기술자(技術者)
We investigated the effect of self-assembled BSO nano-defects as pinning centers in BSO-added GdBCO films when the thicknesses of films were varied. 3.5 vol. % BSO-added GdBCO films with varying thicknesses from 200 nm to 1000 nm were deposited on $SrTiO_3$ (STO) substrate by using pulsed laser deposition (PLD) process. For the films with thicknesses of 400 nm and 600 nm, 'anomaly shoulders' in $J_c-H$ characteristic curves were observed near the matching field. The anomaly shoulders appeared in the field dependence of $J_c$ may be attributed to the existence of double pinning mechanisms in thin films. The fit to the pinning force density as a function of reduced field h ($H/H_{irr}$) using the Dew-Hughes' scaling law shows that both the 400 nm- and the 600 nm-thick films have double pinning mechanisms while the other films have a single pinning mechanism. These results indicate that the self-assembled property of BSO result in different role as pinning centers with different thickness.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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