• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1998년도 추계학술발표회요약집
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• pp.329-329
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• 1998

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2018년도 추계학술논문요약집
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• pp.109-110
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• 2018

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 2002년도 추계학술발표회요약집
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• pp.319.2-319
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• 2002

Synchrotron-based X-ray absorption spectroscopy has been applied to determine the changes in bulk oxidation state of uranium oxides in molten salt. From an analysis of XANES data, one can determine the cahnges in bulk oxidation-state of U compounds in salts(LiCl/KCl). XAFS spectroscpy is a powerful tool for probing the changes in valence state and structure of uranium compounds in colten salt as well as in noncrystalline form and doped in other matrices.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1991년도 광학 및 양자전자학 워크샵
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• pp.15-22
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• 1991

The general aspects of Laser Resonance Ionization Spectroscopy (RIS) and its application are investigated. Combination of laser selective photoionization and mass spectrometer as apromising spectroscopic as well as an analytical tool is mainly considered. The application of RIS includes mercury (Hg) atomic spectroscopy, trace analysis of lead (Pb) and resonance enhanced two photon ionization spectroscopy of Cis-hexatriene.

• 한국진공학회지
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• 제13권2호
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• pp.59-64
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• 2004

반도체 레이저를 광원으로 사용하는 원자흡수분광 방법으로 금속증기의 증착 공정을 감시하는 연구를 수행하였다. 전자빔 가열 방식을 이용하여 gadolinium (Gd) 금속을 대량으로 증발시켰다. 파장 영역이 770-794 nm (중심파장 780 nm)인 반도체 레이저빔과 388-396 nm 영역의 제 2 고조파 빔을 진공용기에 입사시켜 증발되는 금속증기의 원자흡수 스펙트럼을 실시간으로 기록하였다. 흡수 스펙트럼을 분석하여 증기의 원자밀도를 구했다. 전자빔 출력을 변화시키면서 측정한 원자밀도를 수정 결정 모니터 장치를 사용하여 측정한 증착률과 비교하였다. 산업적으로 많이 사용되는 Ti 등의 증착 공정 감시에 이 실험에서 구현한 레이저 분광장치를 적용할 수 있다는 것을 제시하였다.

• 대한화학회지
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• 제36권6호
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• pp.832-839
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• 1992

Time-of-Flight(TOF) 질량분석기가 설치된 분광분석장치를 이용하여 레이저 공명이온화 분광법으로 극미량의 납을 정량하였다. 납에 대한 극미량 분석을 위해 단색 2광자 공명이온화, 2색 2광자 공명이온화 및 3색 3광자 공명 이온화의 세 가지 광이온화 경로가 시도되었다. 이 때, 첫번째 들뜬 준위는 바닥준위로부터 283.3 nm의 파장에 해당하는 6p7s($^3P_1$)준위를 공통적으로 사용하였다. 이들 이온화경로를 통해 여러가지 농도의 납 표준용액을 사용하여 0.1 ${\mu}g$에서 1pg의 영역에 해당하는 검정곡선을 얻었다. 검정곡선으로부터 얻은 본 분석법의 검출한계는 2색 2광자 공명이온화 및 3색 3광자 공명이온화의 경우 각각 20 및 10pg 이었다. 또한 각각의 이온화 경로에 따른 이온화 효율도 함께 비교 검토하였다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1999년도 추계학술발표회요약집
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• pp.328.2-328
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• 1999

• 한국암석학회:학술대회논문집
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• 한국암석학회.한국광물학회 2000년도 공동학술발표회 논문집
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• pp.50-52
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• 2000

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2016년도 임시총회 및 하계학술연구발표회
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• pp.126-126
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• 2016

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제55권1호
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• pp.201-208
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• 2023

The dependence of the electrical characteristics on the fast neutron fluence of an epitaxial 4H-SiC Schottky barrier diode (SBD) was investigated. The 30 MeV cyclotron was used for fast neutron irradiation. The neutron fluences evaluated through Monte Carlo simulation were in the 2.7 × 10¹¹ to 1.45 × 10¹³ neutrons/cm² range. Current-voltage and capacitance-voltage measurements were performed to characterize the samples by extracting the parameters of the irradiated SBDs. Neutron-induced defects in the epitaxial layer were identified and quantified using a deep-level transient spectroscopy measurement system developed at the Korea Atomic Energy Research Institute. As the neutron fluence increased from 2.7 × 10¹¹ to 1.45 × 10¹³ neutrons/cm², the concentration of the Z_1/2 defects increased by approximately 20 times. The maximum defect concentration was estimated as 1.5 × 10¹⁴ cm^-3 at a neutron fluence of 1.45 × 10¹³ neutrons/cm².