• 제목/요약/키워드: Ar＋C1$_2$＋CHF$_3$ plasma

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유도결합형 플라즈마 반응성 이온식각 장치를 이용한 SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$ 박막의 물리적, 전기적 특성 (Physical and Electrical Characteristics of SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$ thin Films Etched with Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching System)

  • 권영석;심선일;김익수;김성일;김용태;김병호;최인훈
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제9권4호
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    • pp.11-16
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    • 2002

  • 본 연구에서는 $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT)박막의 고속식각에 따른 잔류물질 및 식각 손상의 영향을 조사하였다. ICP-RIE (inductively coupled plasma reactive ion etching) 의 ICP power와 CCP(capacitively coupled plasma) power를 변화시키면서 고속식각에 따른 박막의 손상과 열화를 XPS 분석과 Capacitance-Voltage (C-V) 측정을 통하여 알아보았다. ICP와 CCP의 power가 증가함에 따라 식각율이 증가하였고 ICP power가 700 W, CCP power가 200 W 일때 식각율은 900$\AA$/min이었다. 강유전체의 건식식각에 있어서 문제점이 플라즈마에 의한 강유전체 박막의 열화인데 반응가스 $Ar/C1_2/CHF_3$를 20/14/2의 비율로 사용하고 ICP와 CCP power를 각각 700w와 200w로 사용하였을 때 전혀 열화되지 않는 강유전체 박막의 특성을 얻을 수 있었다. 본 연구 결과는 Metal-Ferroelectric-Semiconductor (MFS) 또는 Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor (MFIS) 구조를 가지는 단일 트랜지스터형 강유전체 메모리 소자를 만드는데 건식 식각이 응용될 수 있음을 보여준다

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