Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.6
no.1
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pp.98-106
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1996
Antireflection (AR) coating has proven effective in providing substantial increase in solar cell efficiency. In this paper, we review the principles of antireflection coating, describe materials and methods of deposition used to provide antireflection coatings on solar cells.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.15
no.1
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pp.61-66
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2002
A method for designing antireflection (AR) and antistatic (AS) coating layer by the use of conducting polymer as an electrically conductive transparent layer is proposed. The conducting AR coating is composed of four-layer with alternating high and low refractive index layer: silicon dioxide (n=1.44) and titanium dioxide (n=2.02) prepared at low temperature by sol-gel method are used as the low and high refractive index layer, respectively. The poly(3,4-ethylenedioxythiophene) which has the surface resistivity of 10$^4$Ω/$\square$ is used as a conductive layer. Optical constant of each ARAS coating layers such as refractive index and optical thickness were measured by 7he spectroscopic ellipsometer and from the measured optical constants the spectral properties such as reflectance and transmittance were simulated in the risible region. The reflectance of ARAS films on glass substrate was below 1 %R and the transmittance was higher than 95 % in the visible wavelength (400-700 nm). The measured AR spectral properties was very similar to its simulated results.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.1039-1042
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2001
A method for designing antireflection (AR) and antistatic (AS) films by the use of conducting polymer as an electrically conductive transparent layer is proposed. The conducting AR film is composed of four-layer with alternating high and low refractive index layer: silicon dioxide (n=1.44) and titanium dioxide (n=2.02) prepared at low temperature by sol-gel method are used as the low and high refractive index layer, respectively. The 3,4-polyethylenedioxythiophene (PEDOT) which has the sheet resistance of 10$^4$$\Omega$/$\square$ is used as a conductive layer. Optical constant of ARAS film was measured by the spectroscopic ellipsometer and from the measured optical constants the spectral properties such as reflectance and transmittance were simulated in the visible region. The reflectance of ARAS films on glass substrate was below 0.8 %R and the transmittance was higher than 95 % in the visible wavelength (400-700 nm). The measured AR spectral properties was very similar to its simulated results.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.18
no.5
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pp.565-570
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2017
The various techniques proposed previously to obtain a good antireflection(AR) coating induce a scattering of incident light by nanoparticles or control the refractive index by using different materials. This paper compares a suggested graded index profile with the quintic index profile previously suggested for producing an index profile that gives good performance from an AR coating. We assume the structure of the AR coating has three, six, and nine layers with 180 nm total thickness. The wavelength of incident light ranges from 300 nm to 1100 nm. We use the transfer matrix theory for a single layer to obtain the reflectivity of three, six, and nine layers. The reflectivity of two different index profiles with three, six, and nine layers is compared. As a result, the suggested graded index profile shows lower reflectivity than the quintic index profile with three layers, especially in the wavelength range from about 600 nm to 1100 nm. Therefore, we expect that these results can be applied to optical devices and filters in the range from visible(red) to near infrared.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.251-254
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2001
This paper describes an efficiency improvement of buried contact solar cell (BSCS) with a structure of MgF$_2$/CeO$_2$/Ag/Cu/Ni grid/n$^{+}$ emitter/p-type Si base/p$^{+}$/Al. Theoretical and experimental investigations were performed on a double layer antireflection (DLAR) coating of MgF$_2$/CeO$_2$. We investigated CeO$_2$ films as an AR layer because they have a proper refractive index of 2.46 and demonstrate the same lattice constant as Si substrate. An optimized DLAR coating shewed a reflectance as low as 2.04 % in the wavelengths ranged from 0.4 ${\mu}{\textrm}{m}$ to 1.1 ${\mu}{\textrm}{m}$. BCSC cell efficiency was improved from 16.2 % without any AR coating to 19.9 % by employing DLAR coatings. Further details on MgF$_2$/CeO$_2$ DLAR coatings on the BCSC cells are presented in this paper.per.
Titanium dioxide antireflection (AR) Coating, which is deposited on Si substrates using an organotitanium solution by the spinning technique, has been studied. The coated films on Si substrates were subsequently heated to $450^{\circ}C$. The thickness and index of refraction of films were varied continuousely from $740{\AA}$ to $1380{\AA}$ and from 1.7 to 2.1 respectively as a function of heat treatment temperature and time. Silicon solar cells AR-coated by the spinning technique showed as much as 31% improvement in conversion efficiency over the uncoated cell.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.16
no.6
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pp.4131-4136
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2015
This paper compares and calculates more precisely the averaged reflectance of antireflection coating with different structure of single and 6 layer assuming the incident angle of light changing from $8^{\circ}$ to $60^{\circ}$ not like normal incidence as usual case. The reflectivity of AR coating of 6 layers with 180 nm thickness having index profile suggested as linear and quintic function and single layer with same thickness having even index are calculated and compared, when the wavelength of incident light ranges from 400 nm to 1200 nm. As the results the AR coating with 6 layers having quintic(linear) function index profile shows the lower reflectance about 11.6 %(14.6 %) than other index profiles, which is approximately 8 % lower reflectance compared with single layer case(about 19.6 %). This results could be applied for the better antireflection coating design applying to optical devices and filters.
A sequence of functions are examined for the gradient-index AR thin film between two dielectric media and are used as the starting profiles in optimization to improve AR performance. Sinusoidal functions were quite efficient to use as components of the index change in the optimization. It is shown that there exist a number of gradient-index profiles which exhibit excellent AR-performance after control of the gradient-index profiles.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1988.05a
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pp.74-77
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1988
This paper reports the properties of antireflection structure and hole formation of Te-based systems. The optical-recording characteristics of metallic recording media are enhanced significantly by incorporating the metal(Al) layer into an antreflection trilayer structure. Due to the interface condition inherent in the design of the trilayer structure, reflectivity from holes is ranked low fraction (<10%). The hole formation is carried by $Ar^+$ Laser(488nm). For 20nsec pulse duration, hole opening power(threschold) of $(Te_{86}Se_{14})_{50}Bi_{50}$ trilayer is lower than that of monolayer that used in this experiment. Hole shapes of the whole sample were clean.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.13
no.9
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pp.4139-4145
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2012
This paper shows an antireflection coating design skill for utilization the thin-film silicon solar cell in the future. The reflectivity of each index profile previously suggested as linear, cubic and quintic function has been calculated and compared. Each index profile is applied to the antireflection coating consisting of 6 layers with 180nm thickness. Also we suggest the graded index profile and compare it's reflectivity to the linear, cubic and quintic's ones. As a results we find the reflectivity generally decreases as the order goes to higher. However the reflectivity in the graded index profile shows the higher(lower) value than ones in the linear, cubic and quintic especially in the shorter(longer) wavelength range from 500 nm to below 700 nm(above 700 nm to 800 nm). Therefore we find that the graded index profile structure could be applied for the better antireflection coating design scheme especially for optical device and optical filter in the range of from deep red to infrared.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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