비정질알루미나와 기공형성제를 물과 혼합하여 원통형으로 성형하고 수화, 건조 및 소성하여 ${\gamma}$-alumina pellets을 제조하였다. 촉매 전구체인 Fe(NO$_3$)$_3$ㆍ9$H_2O$의 농도를 일정하게 하면서 $CH_3$COOH의 농도를 2.5~20% 범위로 변화시킨 혼합용액을 제조하고, 여기에 ${\gamma}$-alumina pellets을 침척하여 $200^{\circ}C$ 온도로 3시간 수열처리 한 다음, 결정의 생성 및 변화, 기공특성, $N_2$ 흡/탈차특성, 산점변화 그리고 기계적 강도 등을 조사하였다. $CH_3$COOH 의 농도에 따라 0.5~2${\mu}m$ 길이의 침상으로 결정이 성장하였고, 결정구조는 의사베마이트 구조를 나타냈다. 10% $CH_3$COOH 용액에서 수열처리 했을 때 100~1000$\AA$사이의 기공부피가 0.86cc/g롤 가장 높았으며, 질소 흡탈착 이력곡선의 폭이 가장 작게 나타났다. $CH_3$COOH 농도가 5~15% 범위일 때 새로운 C-H 관능기가 형성되었고, 촉매의 기계적 강도도는 $CH_3$COOH 농도가 2.5%일 때 1.35MPa로 가장 높았다.
비정질알루미나와 기공형성제에 물을 혼합하여 원통형으로 성형하고 수화한 다음, 건조 및 소성하여 직경 5mm, 평균 길이 약 10mm의 $\gamma-$알루미나 펠릿을 제조하였다. 이를 $Fe(NO_{3})_{3}{\cdot}9H_{2}O$용액과 $CH_{3}COOH$ 혼합용액에 침척시켜 $200^{\circ}C$ 온도로 3시간 수열처리한 후, 건조하고 소성하여 촉매를 제조하였다. 이와 같이 수열법에 의해 제조된 $Fe_{2}O_{3}/\gamma-Al_{2}O_{3}$ 세라믹촉매를 환경촉매로 적용하기 위해, 아닐린과 같은 난분해성물질을 촉매를 사용하지 않는 오존단독공정과 촉매를 사용하는 촉매오존(catalytic ozonation)공정으로 구분하여 $OH^{\cdot}$ 라디칼 전환반응 개시제로서의 기능과 그 분해특성을 비교하였다.
일정한 이온강도(0.1M)에서 알루미나에 의한 Ni(II), Co(II), Sr(II) 및 Cs(I)의 흡착거동을 세 가지의 금속이온 농도를 사용하여 pH를 변화시키면서 관찰하였다. 금속 이온의 농도가 증가할수록 흡착률은 감소했으며 흡착변곡점이 보다 높은 pH쪽으로 이동하였다. 금속 이 온의 농도가 $1.0{\times}10^{-4}$M인 조건에서 측정한 흡착데이터로부터 표면착물 모델을 적용하여 각 금속의 흡착종에 대한 고유의 흡착상수 값을결정하였다. 흡착 세기는 Co(II)>Ni(II)>Sr(II)순으로 감소하였으며 Cs(I)는 흡착이 되지 않았다. 높은 pH에서의 Co(II)와 Ni(II)의 흡착성이 대부분이 가수분해된 형태로 존재하였다.
수열합성 장치를 이용하여 종자 결정이 도포된 알루미나 지지체 위에 제올라이트 박막을 합성하였다. X-선 회절 분석과 전자현미경 사진을 이용하여 반응기 내에 생성된 제올라이트 A 분말과 제올라이트 A박막의 생성과 전이 생성물에 대해 합성온도, 합성시간, 종자결정의 영향에 대해서 고찰하였다. 제올라이트 A박막의 생성은 지지체 표면에 도포된 종자 결정에서 치밀한 연속적인 박막이 형성된 다음 용해과정을 거쳐 결정의 크기가 큰 다결정 층을 형성하고, 최종적으로 소다라이트를 거쳐 무정형으로 진행하였다. 반면에 분말에서는 반응초기부터 소다라이트가 관찰되는데 고정된 제올라이트 A 박막과 다르게 결정주위의 공간적인 차이에 의해 소다라이트가 생성하기에 용이한 공간을 갖기 때문에 소다라이트가 쉽게 생성되는 것으로 생각된다. 합성온도가 높으면 짧은 시간 내에 전이 생성물을 거쳐 무정형으로 진행하였고 온도가 낮으면 합성 시간이 길고 피복도가 다소 낮은 제올라이트 A 박막을 얻었다. $120^{\circ}C$, 12시간에서 피복도가 높은 치밀한 제올라이트 A박막을 합성하였다.
비정질알루미나에 기공형성제를 첨가하여 성형하고 수열반응, 열처리 및 수세를 통해 pellet 형태의 다공성 세라믹 담체를 제조하였다. 기공형성제는 64, 222, 405 $\mu\textrm{m}$의 평균 입경을 가지는 활성탄, 폴리머와 무기염의 변화를 두었으며, 20$0^{\circ}C$에서 24시간동안 수열반응 한 다음 $650^{\circ}C$에서 5시간동안 열처리 및 8$0^{\circ}C$에서 48시간 동안 수세하고, 결정의 생성 및 변화, 기공률, 기공의 분포 및 압축 강도를 측정하였다. 수열반응 이후 활성탄이 첨가된 시편은 boehmite로의 상전이가 이루어졌으나, 기공형성제로 폴리머 및 무기염이 첨가된 시편은 수열 반응 시 비정질알루미나의 aquohydroxy complex gel의 형성을 방해하여 boehmite 결정성장 억제를 가져왔다 활성탄을 기공형성제로 첨가하여 제조한 시편의 경우, 70% 이상의 기공률과 40kgf/$\textrm{cm}^2$ 이상의 강도를 갖는 ${\gamma}$-알루미나의 담체를 제조할 수 있었다.
이 연구는 전남 광양광산과 그 주변의 하천에 형성되어 있는 부유성 비정질 퇴적물의 지구화학적 특성을 밝히기 위해 수행되었다. 부유성 비정질 퇴적물의 주요성분은 Fe$_2$O$_3$이며, Fe$_2$O$_3$의 함량은 17.9${\cdot}$72.3wt.% 범위로 나타난다. Fe함량이 증가하면 Si, Al, Mg, Na, K, Mn 및 Ti 함량이 감소하며 Te, Au, Ga, Bi, Cd, Hg, Sb, 및 Se등의 함량은 증가한다. 하상 침전물인 비정질 퇴적물에는 As(최대 54.9ppm), Bi(최대 3.77ppm), Cd(최대 3.65ppm), Hg(최대64ppm), Sb(최대 10.1ppm), Cu (최대 37.1ppm), Mo(최대 8.86ppm), Pb(최대 9.45ppm) 및 Zn(최대 29.7ppm) 등의 중금속원소가 농집되어 있다. 황갈색 침전물에는 Au(최대 4.40ppm)와 Ag(최대 0.24ppm) 함량이 매우 높게 나타나며, Au함량은 하천의 상류지역에 높은 함량을 보이다가 하류지역으로 갈수록 그 함량이 감소한다. 반면에 Ag 함량은 상류지역의 하천에 낮은 함량을 보이다가 하류지역으로 갈수록 그 함량이 증가하여 나타난다. XRD분석에서 하상의 황갈색 침전물은 X-선회절선이 뚜렷하지 않은 비정질이거나 결정도가 미약한 철수산화물로 밝혀졌으며, 석영, 침철석, 고령토, 일라이트 등이 관찰된다. IR분석에서 비정질 하상 퇴적물은 OH기, H$_2$O, SO$_4$ 및 Fe-O 기에 의한 흡수밴드가 관찰된다.
1980년대 발전된 크세논-129 핵자기 공명분광법은 제올라이트나 활성탄 또는 알루미나와 같은 다공성 물질에 크세논 기체를 흡착시킨 후에 기 기체중에 존재하는 천연동위원소 $^{129}Xe$의 핵자기 공명신호의 화학적이동(chemical shift)이나 선폭(linewidth)으로 부터 그 물질의 물리화학적 특성을 분석하는 방법이다. 현재까지 이 방법은 주로 제올라이트 촉매를 제조하거나 반응시키는 경우에 있어서 담지된 금속 물질의 위치와 화학변화 및 담체 자체의 성질변화 등을 감지하는데 있어서 탁월한 것으로 알려져 있으며, 최근에는 이 방법이 활성탄과 실리카, 알루미나와 같은 비정형 물질에도 효과적으로 적용될 수 있다는 것이 발표되었다. 여기서는, 이 크세논-129 핵자기 공명 분광법의 원리와 실험방법 및 불균일계 촉매연구 분야에서 이 방법의 이용에 대한 최근의 연구결과들을 요약하여 소개한다.
Balakrishnan, G.;Wasy, A.;Ho, Ha Sun;Sudhakara, P.;Bae, S.I.;Song, J.I.
Composites Research
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제26권1호
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pp.60-65
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2013
A nanolaminate consisting of alternate layers of aluminium oxide ($Al_2O_3$) (5 nm) and zirconium oxide ($ZrO_2$) (20 nm) was deposited at an optimized oxygen partial pressure of $3{\times}10^{-2}$ mbar by pulsed laser deposition. The nanolaminate film was analysed using high temperature X-ray diffraction (HTXRD) to study phase transition and thermal expansion behaviour. The surface morphology was investigated using field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). High temperature X-ray diffraction indicated the crystallization temperature of tetragonal zirconia in the $Al_2O_3/ZrO_2$ multilayer-film was 873 K. The mean linear thermal expansion coefficient of tetragonal $ZrO_2$ was $4.7{\times}10^{-6}\;K^{-1}$ along a axis, while it was $13.68{\times}10^{-6}\;K{-1}$ along c axis in the temperature range 873-1373 K. The alumina was in amorphous nature. The FESEM studies showed the formation of uniform crystallites of zirconia with dense surface.
The castable refractory, CaO.$2Al_2O_3$ is a useful alumina cement for iron, steel and cement for iron, steel and cement industries, however it is difficult to produce CaO.$2Al_2O_3$because of its high melting point(180$0^{\circ}C$) and narrow firing range. In this study, the coprecipitation method was used to produce CaO.$2Al_2O_3$ for lower temperature firing . This method involved the titration of mixed solution of calicum and aluminate which extracted from domestic kaolin with $NH4_OH$ solution under blowing $CO_2$ gas into the solution. The coprecipitate and its clacined products were analyzed by X-ray diffraction and DTA. The calcined products fired between 400 and 90$0^{\circ}C$ were amorphous, but at 100$0^{\circ}C$ the coprecipitate was converted into one compound, CaO$2Al_2O_3$. From those experimental results, it was found that we could synthesizze CaO.$2Al_2O_3$ at about 100$0^{\circ}C$ which is lower than conventional firing temperature by around 80$0^{\circ}C$. The refractoriness of this alumina cement was SK 34 and the compressive strength ( 1 day) was about 250kg/$\textrm{cm}^2$.
Mann, Mark;Li, Flora;Kiani, Ahmed;Paul, Debjani;Flewitt, Andrew;Milne, William;Dutson, James;Wakeham, Steve J.;Thwaites, Mike
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.389-392
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2009
Metal oxides have been proposed as an alternative channel material to hydrogenated amorphous silicon in thin film transistors (TFTs) because their higher mobility and stability make them suitable for transistor active layers. Thin films of indium zinc oxide (IZO) were deposited using a High Target Utilization Sputtering (HiTUS) system on various dielectrics, some of which were also deposited with the HiTUS. Investigations into bottom-gated IZO TFTs have found mobilities of 8 $cm^2V\;^1s^{-1}$ and switching ratios of $10^6$. There is a variation in the threshold voltage dependent on both oxygen concentration, and dielectric choice. Silica, alumina and silicon nitride produced stable TFTs, whilst hafnia was found to break down as a result of the IZO.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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