• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.11a
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• pp.106-108
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• 2001

본 실험에서는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)으로 증착한 비경질 실리콘(amorphous silicon, a-Si) 박막에 국부적으로 Si+ 이온을 주입한 후 엑시머 레이저 어닐링(exicimer laser annealing, ELA)을 수행하여 그레인의 수평 성장(lateral growth)에 미치는 영향을 관찰한다. Si+ 이온 주입은 비정질 실리콘 박막의 원자 결합 에너지를 효과적으로 감소시키는 역할을 하여 박막이 녹기 시작하는 문턱(threshold) 에너지가 $105mJ/cm^2$에서 $85mJ/cm^2$ 까지 낮아지는 것을 확인하였다. 결과적으로 선택적인 Si 이온 주입을 통해 비정질 박막의 결정화 시 온도 구배에 의한 결정핵(nucleation) 형성의 차이를 유발시킴으로써 위치 제어가 가능한 1um 크기를 갖는 수평 성장 그레인을 얻었다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.67.1-67.1
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• 2010

Triple junction solar cell을 위한 a-SiGe middle cell의 조건별 광학적 특성에 관한 연구를 실시하였다. a-SiGe I층은 GeH4 유량, 압력, H2 dilution ratio를 변화시켜 제조하였으며 전기적, 광학적 특성을 비교하여 최종적으로 선택된 조건을 triple junction solar cell에 적용하였다. a-SiGe I층은 Ge contents가 증가함에 따라 band gap은 감소하고 45% 이상의 조건에서는 700nm 전후 파장의 투과율이 감소하며, 압력이 감소함에 따라 band gap은 소폭 감소하나 700nm 전후 파장의 투과율은 증가하였다. 그리고 H2 ratio가 증가함에 따라 band gap은 소폭 감소하나 투과율에는 큰 변화가 없었다. 상기 결과를 바탕으로 최종적으로 선택된 조건에서 triple-junction solar cell을 제작하여 평가한 결과 초기 변환효율 9%의 결과를 얻었다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.58.2-58.2
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• 2010

본 연구에서는 n-type wafer에 비정질 실리콘을 증착한 이종접합 태양전지를 열처리 방법을 이용하여 열처리의 효과를 분석함으로써 이종접합 태양전지에 효율적인 열처리 효과에 대하여 연구하였다. P, N-layer는 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) I-layer는 HWCVD(Hot wire chemical vapor deposition), ITO는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 동일한 조건에서 제작하였고 rapid thermal process를 이용하여 진공 중에서 $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $220^{\circ}C$, $250^{\circ}C$까지 열처리를 하였다. 열처리 전과 후 QSSPC로 minority carrier life time, 자외 가시선 분광분석 장치로 투과 반사도를, Ellipsometer로 흡수 계수 등의 변화를 조사하였다. 열처리 후 Minority carrier life time, Voc 및 광변환 효율이 증가하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.27 no.5
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• pp.109-125
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• 2012

액정 디스플레이의 산업 규모는 놀라운 속도로 확대되고 있다. 그 원동력이 된 것이 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT) 기술의 발전에 있다. 비정질 실리콘(Amorphous Silicon: a-Si) TFT 기술은 대형 액정 TV를 탄생시키고, 저온 폴리실리콘 TFT는 휴대전화 등의 중소형 디스플레이와 AMOLED의 핵심 기술이 되었다. 또한 다양한 TFT 기술 seeds가 계속해서 출현하여 정보 인프라와 생활 스타일에 맞춘 새로운 정보기기의 출현을 예감시키고 있다. 새로운 응용제품의 요구는 새로운 기술 개발의 견인차가 되고 있다. 최근에는 이러한 요구에 따라 산화물 TFT, 마이크로 결정실리콘(microcrystalline Si: ${\mu}c-Si$) TFT, 유기물 TFT 등의 기술도 활발하게 연구개발되고 있다. 본고에서는 지금까지의 TFT 기술 개발의 발전사를 뒤돌아보고 지금부터의 발전 방향을 박막 트래지스터 기술 이노베이션 관점으로부터 전망하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.244.2-244.2
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• 2016

폴리 실리콘 박막은 저온 안정성, 산화 안정성, 가스 투과성 및 전기재료로서의 우수한 물성 때문에 산업에서 계속적으로 넓게 쓰이고 있다. 특히 최근 높은 색 재현율과 고화질로 각광을 받고 있는 능동형 유기발광 다이오드 (AMOLED)를 위한 Thin Film Transistor (TFT)는 신뢰성 및 우수한 특성이 요구되기 때문에 반드시 폴리실리콘 TFT가 적용되어야 한다. 이러한 이유 때문에 아모포스 실리콘을 폴리실리콘으로 결정화 시키는 방법들이 많이 연구 되어져왔다. 이 연구에서는 아모포스 실리콘 박막을 고품질의 폴리실리콘 박막으로 제조하기 위해, 기판에 positive DC 전압을 펄스 형태로 인가함으로써, 기판에 입사되는 전자를 이용한 열처리 방법을 사용하였다. 열처리 온도는 기판에 들어오는 current값을 조절함으로써 제어할 수 있었다. 열처리를 위해 사용 된 수소화 된 아모포스 실리콘은 Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)장비로 530도에서 증착 되었으며, 이러한 아모포스 실리콘 박막은 공정시간 60 s 이내에 샘플 표면온도가 600도 이상으로 증가함으로써 균일한 폴리실리콘 막으로 제조 되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.171.1-171.1
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• 2015

Carbon nanotube emitters is very promising electron emitter for electron beam applications. We introduced the carbon nanotube electron beam (C-beam) exposure technic using triode structure. As a source, the electron beam emit from CNT emitters placed at the cathode by high electric field. Through the gate mesh, with high accelerating energy, the electron can be extracted easily and impact at the anode plate. For thin film modification, after the C-beam exposure on the amorphous silicon thin film, we found phase changes and it showed a high crystallinity from the Raman measurement. We expect that this crystallized film will be a good candidate as a new active layer of TFT.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2004.08a
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• pp.962-965
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• 2004

In this work, thin films of amorphous silicon (a-Si) were formed on plastic substrates by sputtering deposition and crystallized using excimer laser irradiation. As the entire process is conducted at room temperature, and the laser irradiation-induced heating is confined to the thin film, the plastic substrate is not subjected to thermal stresses. The microstructure resulting from the laser irradiation was dependent on the laser irradiation energy density and the composition of the underlying buffer layers. It was found that a layer of AlN deposited as a buffer between the plastic and the a-Si film increased the endurance of the a-Si film under laser irradiation, and resulted in polycrystalline Si grains up to 100nm in diameter.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2004.08a
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• pp.923-926
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• 2004

Active-matrix field emission display (AMFED) based on carbon nanotube (CNT) emitter and amorphous silicon thin-film transistor (a-Si TFT) is reviewed. The AMFED pixels consisted of a high-voltage a-Si TFT and mesh-gated CNT emitters. The developed AMFED panel showed a high performance with a driving voltage of below 15 V. The low-cost and large-area AMFED approach with a metal mesh technology will be discussed.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2004.08a
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• pp.395-398
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• 2004

We developed an a-Si TFT-LCD panel with integrated gate driver circuit using a standard 5-MASK process. To minimize the effect of the a-Si TFT current and LC's capacitance variation with temperature, we developed a new a-Si TFT circuit structure and minimized coupling capacitance by changing vertical architecture above gate driver circuit. Integration of gate driver circuit on glass substrate enables single chip and 3-side free panel structure in a-Si TFT-LCD of QVGA(240$^{\ast}$320) resolution. And using double ASG structure the dead space of TFT-LCD panel could be further decreased.

• Analytical Science and Technology
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• v.25 no.6
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• pp.345-349
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• 2012

Polysilane black powders were synthesized by sonochemical methods from silicon tetrachloride with sodium metal with 37.0% yield. Those black powder materials were found to have fibrous or irregular shapes with round surface. It was found that thermal behaviors of those polysilane black powders were similar to that of hydropolysilanes which was reported earlier. After thermal treatment, black polysilicon was obtained with 57.1% residue yield, and those fibrous or irregular shapes with round surface were intact but lots of small cavities were formed indicating porous structure, and found to be an amorphous state from XRD analysis.