• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.11c
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• pp.792-794
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• 1998

The TPD and the $Alq_3$ film are widely used as a hole transport layer and an emitter layer respectively, in organic electroluminescent(EL) device (ITO Glass/TPD/$Alq_3$/metal). In this structure, we fabricated two models. Model(1) having ITO glass/$Alq_3$/Al structure and model(2) having ITO Glass/TPD/$Alq_3$/Al structure were fabricated by the vacuum evaporation. The comparison between model(1) and model(2) was made about the absorbance, the wave length, the current-voltage characteristic and the ln I - $V^{(1/2)}$characteristic respectively. Electroluminescence of green and wavelength of 510[nm] were observed in both model. We observed absorbance from 320[nm] to 430[nm] in $Alq_3$ material and from 250[nm] to 400[nm] in TPD material.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.490-491
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• 2007

We have investigated dielectric dispersion and absorption in organic light-emitting diodes using 8-hydroxyquinoline aluminum($Alq_3$) as an electron transport and emissive material. We analyzed the dielectric dispersion and absorption of organic light emitting diodes using impedance characteristics measurement by the auto-balancing bridge technique of ITO/$Alq_3$/Al. Impedance characteristics was measured complex impedance Z and phase e in the frequency range of 40Hz to $10^8Hz$. We obtained dielectric constant and loss tangent (tan $\delta$) of the device. From these analyses, we are able to interpret a dielectric dispersion and dielectric absorption contributed by an interfacial and orientational polarization.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07a
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• pp.188-191
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• 2004

We have investigated equivalent-circuit analysis of organic light-emitting diodes in $ITO/TPD/Alq_3/Al$. Complex impedance Z of the device was measured in the frequency range of $40Hz{\sim}1MHz$. We are able to interpret the frequency-dependent response in terms of equivalent-circuit model of contact resistance $R_s$ in series with two parallel combination of $R_{TPD},\;C_{TPD}\;and\;R_{Alq3},\;C_{Alq3}$.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.5-6
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• 2007

반투명 전도성 음극 (semi-transparent conducting cathode)인 Ba (x nm)/Au (20 nm)/ITO (100 nm)을 이용하여 전면발광 유기전계 발광 소자 (top-emitting organic light-emitting didodes, TEOLEDs)를 제작했다. Ba과 bis(8-quinolinolato)aluminum (III) ($Alq_3$) 계면의 전자구조는 엑스선 광전자 분광법 (X-ray photoelectron spectroscopy, XPS), 자외선 광전자 분광법 (ultraviolet photoelectron spectroscopy, UPS) 및 가까운 끝머리 엑스선 흡수 미세구조 (near-edge x-ray absorption fine structure, NEXAFS) 스펙트럼의 광 방출 특성을 통하여 조사되었다. $Alq_3$/Ba 계면 특성에 있어서 XPS와 NEXAFS 특성에 의하면, $Alq_3$ (10.0 nm) 위에 Ba이 연속적으로 증착됨에 따라 Ba으로부터 $Alq_3$로의 전자전달 (electron charge transfer) 특성은 꾸준희 증가된다. 그러나 Ba의 두께가 1.0 nm 이상 초과되면 Ba의 전자전달에 기인한 반응성때문에 $Alq_3$의 분자구조가 해리된다. 한편, 제작된 TEOLEDE의 전류-전압-휘도 곡선의 경우에서도 바륨의 증착 두께가 1.0 nm일 때 가장 우수한 구동특성을 나타냈다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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• v.37 no.5
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• pp.1-6
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• 2000

We prepared organic light-emitting-diodes (LEDs) with a squarylium(Sq)-doped aluminum quinoline(Alq3) emission layer by the vapor deposition method. We discussed their electro-luminescence(EL) and electrical properties. The EL from Sq had a peak wavelength of 670nm and a half-width of 30nm. Only the EL from So(purely red) could be observed at the doping concentration of over 15mol%, but the luminance were low (0.21cd/$m^2$, 0.1cd/$m^2$) and EL efficiency was under the $10^{-2}$W. Although Sq molecules seemed to act as trap site in Alq3 molecules, they acted as carrier drafts site at doping concentration of over 5mol%.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.438-439
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• 2006

We have used ITO/$Alq_3$/Al structure to study complex impedance in $Alq_3$ based organic light emitting diode. Equivalent circuit was analyzed in a device structure of ITO/$Alq_3$/Al by varying the thickness of $Alq_3$ layer from 60 to 400nm. The impedance results can be fitted using equivalent circuit model of parallel combination resistance $R_p$ and capacitance $C_p$ with a small series resistance $R_s$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.119-119
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• 2010

다층박막구조를 갖는 유기발광소자는 저분자 증착 기술이 발전함에 따라 다양한 구조로 제작이 가능해 다양한 구조 설계를 통하여 발광특성을 향상할 수 있게 되었다. 다층박막구조에서 유기발광소자의 발광효율을 향상시키기 위하여 다양한 주입층과 수송층을 사용하여 전하의 주입 장벽과 이동도를 제어할 수 있다. 저분자 유기발광소자에서 가장 많이 이용되는 tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) 또는 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen)을 단일구조로 전자수 송층으로 사용한 유기발광소자의 발광 메커니즘에 대한 연구가 많이 진행되었지만, Alq3 와 BPhen 을 같이 사용하였을 때 나타나는 전기적 특성과 광학적 특성에 대한 연구는 미미하다. 따라서 본 연구에서는 전자 수송층으로 Alq3 와 BPhen 을 다중 이종구조를 사용하여 녹색 유기발광소자를 제작하고 이의 전기적 특성과 광학적 특성을 연구하였다. 유기발광소자를 제작한 후 Alq3와 BPhen 다중 이종구조의 위치와 이종구조 개수의 변화에 따라 발광 특성 비교를 위하여 인가된 전압에 대한 전류밀도와 휘도, 발광 효율 및 전력 효율을 측정하였다. 다중 이종구조로 제작할 경우 단일 BPhen층의 두께가 얇아지기 때문에 단일 이종구조의 소자보다 BPhen층의 정공차단 능력이 저하되어 저전압에서는 Alq3/BPhen 계면에서의 누설되는 정공의 수가 증가하였다. 또한 이종구조의 수가 증가할수록 단일 이종구조일 때에 비하여 인가된 전압에 대한 전류밀도가 감소하였다. 이는 Alq3와 BPhen 내에서 각각 전자의 이동도가 다르기 때문에 Alq3/BPhen 이종계면에서 전자가 축적되어 공간전하를 형성하므로 내부전계가 형성되어 구동전압이 증가하는 것으로 보인다. 그러나 다중 이종구조로 된 전자 수송층을 포함한 유기발광소자의 발광 효율은 구동전압의 변화에 따라 변하지 않는다. 이종계면의 수가 증가함에 따라 각각의 이종계면에서 축적되는 전자의 양이 감소하기 때문에 고전압에서 발광효율의 저하가 감소하였다. 그러므로 다중 이종구조를 가진 전자수송층 내에서 전자의 주입과 수송에 대한 원리는 안정화된 발광효율을 가지는 유기발광소자를 제작하는데 중요하다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.423-423
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• 2010

유기발광소자의 제작 기술이 빠르게 발전함에 따라 디스플레이와 조명 분야에서 많은 응용 가능성을 보여주고 있다. 유기발광소자의 발광효율은 발광층내에서 전자와 정공의 비와 밀접한 관계가 있기 때문에 전자 수송층과 정공 수송층내에서 전하의 이동도를 제어하는 구조에 대한 연구는 매우 중요하다. 본 연구에서는 전자 수송층으로 tris(8-hydroxyquinoline)aluminum ($Alq_3$)와 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen)의 다중 이종구조를 사용하여 제작된 녹색 유기발광소자의 전기적 성질과 광학적 성질을 연구하였다. $Alq_3$와 BPhen 다중 이종구조의 위치와 이종구조 개수의 변화에 따라 전자의 변하는 전송특성으로 인하여 변화되는 발광특성을 체계적으로 조사하였다. 유기발광소자의 구동전압은 $Alq_3$/BPhen 이종구조의 수가 증가할수록 증가하는 경향을 보인다. $Alq_3$와 BPhen 내에서 전자의 이동도가 다르기 때문에 $Alq_3$/BPhen 이종계면에 전자가 축적되어 공간전하를 형성하므로 계면에서 내부전계가 형성되어 구동전압이 약간 증가하는 경향을 보인다. 또한 $Alq_3$/BPhen 이종계면에서 축적된 전자들로 인하여 형성된 내부 전계로 인해 저전압에서 누설 정공의 수가 증가하였다. 그러나 다중 이종구조로 된 전자 수송층을 포함한 유기발광소자의 발광 효율은 구동전압이 증가할수록 안정화 되었다. 이는 이종계면의 수가 증가함에 따라 각각의 이종계면에서 축적되는 전자의 양이 감소하기 때문에 고전압에서 효율감소율이 작아졌다. $Alq_3$/BPhen 다중 이종구조를 가진 전자 수송층내에서 전자의 전송 메카니즘에 대한 이해는 유기발광소자의 발광효율이 안정화된 구조를 설계하는데 중요한 실험적 결과를 제공한다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1999.11a
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• pp.203-203
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• 1999

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1999.05a
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• pp.53-53
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• 1999