Showkat, Ali Md;Zhang, Yu-Ping;Kim, Min-Seok;Gopalan, Anantha Iyengar;Reddy, Kakarla Raghava;Lee, Kwang-Pill
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제28권11호
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pp.1985-1992
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2007
Ordered mesoporous silica (MCM-41) materials with different textural properties were prepared using alkyl (dodecyl, cetyl, eicosane) trimethyl ammonium bromide (DTAB, CTAB, ETAB, respectively) as structure directing surfactants, functionalized with amine groups and used as adsorbent for the toxic metal ions, Cr (VI), As (V), Pb (II) and Hg (II). Amino functionalization of mesoporous MCM-41 was achieved by cocondensation of N-[3-(trimethoxysilyl)-propyl] aniline with tetraethyl orthosilicate. Adsorption isotherm and adsorption capacity of the amine functionalized materials for Cr (VI), As (V), Pb (II) and Hg (II) ions were followed by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS). Results demonstrate that amine functionalized MCM-41 prepared with ETAB showed higher adsorption capacity for Cr (VI), As (V), Pb (II) and Hg (II) ions in comparison to MCM-41 prepared with CTAB and DTAB. The higher adsorption capacity for MCM-41(ETAB) was correlated with amine content in the material (determined by CHN analysis) and relative decrease in pore volume and pore diameter. X-ray diffraction (XRD) analysis, nitrogen adsorptiondesorption measurements and Fourier Transform infrared spectrometry (FTIR) were used to follow the changes in the textural parameters and surface properties of the mesoporous materials as a result of amine functionalization to correlate with the adsorption characteristics. The adsorption process was found to depend on the pH of the medium.
${\gamma}$-APS (${\gamma}$-aminopropyltriethoxysilane)로 표면처리된 천연제올라이트와 에폭시 수지 복합 재료의 표면 자유 에너지, 인상강도 및 계면 모폴로지에 대해 연구하였다. 표면처리하지 천연제올라이트의 표면 자유에너지 성분 중에서 무극성 성분인 Lifshitz-van der Waals 성분, ${\gamma}{\frac{LW}{SV}}$는 $19.22mJ/m^2$이었고, 극성 성분인 Lewis acid-base 성분, ${\gamma}{\frac{AB}{SV}}$는 $15.27mJ/m^2$이 있다. ${\gamma}$-APS의 처리농도가 증가함에 따라 ${\gamma}{\frac{LW}{SV}}$값은 증가하였지만 ${\gamma}{\frac{AB}{SV}}$는 감소하였으며, 이는 ${\gamma}$-APS의 소수성 성분인 알킬기의 영향이 친수성 기인 아민이나 수산기의 영향보다 커지기 때문이다. 인장강도와 Young율은 ${\gamma}$-APS 처리에 의해 개선되었으며, SEM 분석에 의해 계면특성이 향상되었음을 확인하였다.
In our previous reports [1-3], electron transport for the switching and memory devices using alkyl thiol-tethered Ru-terpyridine complex compounds with metal-insulator-metal crossbar structure has been presented. On the other hand, among organic memory devices, a memory based on the OFET is attractive because of its nondestructive readout and single transistor applications. Several attempts at nonvolatile organic memories involve electrets, which are chargeable dielectrics. However, these devices still do not sufficiently satisfy the criteria demanded in order to compete with other types of memory devices, and the electrets are generally limited to polymer materials. Until now, there is no report on nonvolatile organic electrets using nano-interfaced organic monomer layer as a dielectric material even though the use of organic monomer materials become important for the development of molecularly interfaced memory and logic elements. Furthermore, to increase a retention time for the nonvolatile organic memory device as well as to understand an intrinsic memory property, a molecular design of the organic materials is also getting important issue. In this presentation, we report on the OFET memory device built on a silicon wafer and based on films of pentacene and a SiO2 gate insulator that are separated by organic molecules which act as a gate dielectric. We proposed push-pull organic molecules (PPOM) containing triarylamine asan electron donating group (EDG), thiophene as a spacer, and malononitrile as an electron withdrawing group (EWG). The PPOM were designed to control charge transport by differences of the dihedral angles induced by a steric hindrance effect of side chainswithin the molecules. Therefore, we expect that these PPOM with potential energy barrier can save the charges which are transported to the nano-interface between the semiconductor and organic molecules used as the dielectrics. Finally, we also expect that the charges can be contributed to the memory capacity of the memory OFET device.[4]
Four novel amphoteric surfactants of N-(2-alkylamidoethyl)-N, N-dimethyl ammonioacetates were synthesized. The each reaction between four saturated fatty acids containing 10, 12, 14 and 16 carbon atoms and N, N-dimethylethylene diamine permitted to give the intermediate products, N-(2-alkylamidoethyl)-N, N-dimethylamines. Quaterinzation of these intermediates was permitted to form N-(2-alkylamidoethyl)-N, N-dimethyl, ammonioacetates, whose sturctures were identified by CC, TLC, elemental analysis, IR pectrophotometry and $^1$HNMR spectrometry. The products yielded from 48% to 58%. The isoelectric points were shown in the range of $4.30{\sim}6.64$. It showed a tendency to learn to the acidic site and its range was broadened as increase of the hydrophobic group length. Surface tensions of the aqueous solution in the $10^{-6}{\sim}10^{-1}$mol/l of amidobetaines were measured. and the critical micell concentration(cmc) were shown in the range of $8.37{\times}10^{-6}{\sim}8.96{\times}10^{-2}$mol/l, and ${\Gamma}_{cmc}$ were reduced to 32.3~38.2 dyne/cm. A linear relationship between log cmc and the number of carbon in the hydrophobic alkyl chain was presented by the formula of log cmc=2.38-0.5n, and the contribution-rate of n on the standard free energy change in micellization ${\partial}({\Delta}G^0$$_m)/{\partial}n$, was calulated as -0.5RT.
Aluminum nitride (AlN) has versatile and intriguing properties, such as wide direct bandgap, high thermal conductivity, good thermal and chemical stability, and various functionalities. Due to these properties, AlN thin films have been applied in various fields. However, AlN thin films are usually deposited by high temperature processes like chemical vapor deposition. To further enlarge the application of AlN films, atomic layer deposition (ALD) has been studied as a method of AlN thin film deposition at low temperature. In this mini review paper, we summarize the results of recent studies on AlN film grown by thermal and plasma enhanced ALD in terms of processing temperature, precursor type, reactant gas, and plasma source. Thermal ALD can grow AlN thin films at a wafer temperature of $150{\sim}550^{\circ}C$ with alkyl/amine or chloride precursors. Due to the low reactivity with $NH_3$ reactant gas, relatively high growth temperature and narrow window are reported. On the other hand, PEALD has an advantage of low temperature process, while crystallinity and defect level in the film are dependent on the plasma source. Lastly, we also introduce examples of application of ALD-grown AlN films in electronics.
Ji Woong Lee;Un Chol Shin;Seok u Bae;Ji Yoon Kim;Hae joon Cho;Ji Ae Park;Kyo Chul Lee;Jung Young Kim;Suhng Wook Kim
대한방사성의약품학회지
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제8권2호
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pp.77-85
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2022
The Td05 and Sgc8c, DNA-based aptamers, are well-known to target internalized surface markers (IGHM and PTK7) of Burkitt's lymphoma and acute lymphoblastic leukemia (ALL). Thus, Td05 and Sgc8c labeled with metallic radioisotope 64Cu can be evaluated as potential diagnostic PET imaging agents. In this study, we modified the carbon chain length of the last adenosine of aptamer (n = 3, 6, 12) to increase tumor cell uptake and select the best candidate among six types of aptamer analogues and one adenosine of aptamer. After labeling of 64Cu, [64Cu]Cu-DOTA-aptamer analogues were evaluated in vitro studies (serum stability, Log P values, cell uptake, biodistribution). Then, we evaluate in vivo PET imaging study for two candidates (64Cu-DOTA-C12-Sgc8c, 64Cu-DOTA-C6-Td05). PET images clearly visualize tumors at 24 h post-injection rather than at an early time point and the tumor-to-background ratio also increases at the delay time point. 64Cu-DOTA-C12-Sgc8c and 64Cu-DOTA-C6-Td05 could be used as potential radiotracers for lymphoma.
스파이로 구조의 플로렌 에폭사이드, 9,9'-Bis(4-oxiranylmethoxyphenyl) fluorine (2)를 4차 암모니늄 또는 인산염을 촉매를 사용하여 이산화탄소와 반응시켜 5각고리의 플로렌 카보네이트 화합물로 전환시켰다. 이 과정은 주요 온실가스의 하나인 초임계 조건의 이산화탄소를 C-1 재료로 쓰고 동시에 반응용매로 이용하는 청정반응의 한 예로 볼 수 있다. 4차염의 종류와 반응조건이 반응에 미치는 영향에 대해 조사한 결과, 촉매의 음이온의 종류, 알킬 치환기, 반응온도가 반응에 큰 영향을 미치는 것으로 나타났다. 브롬화 사부틸 암모늄 촉매 (2 mol%)를 쓰고 플로레닐 에폭사이드를 75.9 bar 압력의 이산화탄소를 393 K에서 반응시켰을 때 플로레닐 카보네이트를 92% 수율로 얻을 수 있었다.
이온성 액체는 일반적으로 거대 헤테로 고리 양이온과 무기 음이온으로 이루어진 염으로, 상온에서 액체로 존재한다. 따라서 이온성 액체의 물성은 양이온과 음이온의 종류, 알킬기의 수에 영향을 받으므로 그 조합에 의해 이온성 액체 각각의 물성이 달라진다. 또한 비휘발성, 열적 안정성, 넓은 전기 화학적 범위를 가지므로 기존의 유기용매를 대체할 주목할 만한 청정 용매(Green solvent)이다. 본 연구에서는 1-Butyl-3-methylimidazolium bromide ([BMIM][Br]), 1-butyl-3-methylimidazolium Chloride ([BMIM][Cl]), 1-butyl-3-methylimidazolium iodide ([BMIM][I]) 그리고 1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate ([BMIM][$BF_4$])을 합성하였으며, 그 중 [BMIM][Br], [BMIM][I], [BMIM][$BF_4$]의 밀도, 점도, 굴절률, 열용량과 이온전도도를 293.2~323.2 K의 온도범위에서 측정하였다. 밀도와 굴절률은 [BMIM][I]가 세 이온성 액체 중 가장 높았으며, 점성은 [BMIM][Br]가 가장 높았다. 열용량은 [BMIM][Br]보다 [BMIM][$BF_4$]가 높았으며, 이온 전도도는 [BMIM][I]보다 [BMIM][$BF_4$]가 더 높았다.
약(約) 백만종(百萬種)이나 되는 레피도프테라족(族)(Lepidoptera)의 암나방이 갖는 성적유인물질(性的誘引物質)의 화학구조(化學構造)는 직쇄상의 불포화(不飽和) 알코홀이거나 에스텔이라고 알려져 있다. 본(本) 실험(實驗)에서는 곤충(昆蟲)의 성적유인물질(性的誘引物質)이 될수도 있는 $C_{16}$의 불포화(不飽和)에스텔 이성체(異性體)를 합성(合咸)하였다. 합성(合成)된 17개(個)의 에스텔을 분광분석(分光分析)하였으며 이 분석결과(分析結果)는 곧 자연산(自然産)의 유인물질(誘引物質)에 대(對)한 가스크로마토그래피 및 질량분석결과(質量分析結果)와 쉽게 비교(比較)할 수 있는 카탈로그가 될 것이다. 순도(純度)가 높은 시스와 트랜스 이성체합성(異性體合成)에는 각각(各各) 촉매적(觸媒約) 환원(還元)과 화학적(化學約) 환원법(遣元法)이 이용(利用)되었다. 합성(合成)에 필요(必要)한 출발물질(出發物質)로서 시판(市販)의 $CH_3(CH_2)mBr,\;HC{\equiv}C(CH_2)nOH,\; CH_3-(CH_2)mC{\equiv}CH$ 및 $HO(CH_2)nOH$이 사용(使用)되었다. 메틸렌기(基) 수(數)가 9이상(以上)인 1-알킨[$CH_3(CH_2)mC{\equiv}CH$]은 알킬디할리드(alkyldihalide)와 결합(結合)하지 않았다. 디올(Diol)[$HO(CH_2)nOH$]의 분자량(分子量)이 증가(增加)함에 따라 그 결합생성물(結合生成物)의 수량(收量)이 감소(減少)하였다. 아세틸렌(Acetylene)가스와 $BrCH_2CH_2OTHP$의 결합반응(結合反應)에 있어서 $BrCH_2CH_2OTHP$는 부반응(副反應)을 일으켰다. 장직쇄 알키노올(alkynol)의 테트라 히드로피라닐 에테르(tetrahydropyranyl ether)의 가수분해(加水分解)에 있어서 파라 톨루엔설폰산(p-toluenesulfonic acid)이 희류산(稀硫酸)보다도 더 우수(優秀)하였다.
감응물질로 제4급 암모늄염을 사용하여 PVC를 지지체로 과염소산이온의 농도 $10^{-6}M$까지 측정가능한 이온 선택성 전극을 제작하였다. 감응물질의 화학적 구조와 함량, 가소제의 종류 및 막 두께에 따른 선형응답 범위와 Nernst의 기울기 등 전극특성을 검토하여, 최적 막조건을 구한 다음 측정가능 pH범위와 여러 방해이온에 대한 선택계수를 비교 검토하였다. 과염소산 이온선택성 전극에서 감응물질의 화학적 구조 즉, 알킬기의 탄소고리수가 증가할수록 선형응답 범위 등 전극 특성은 Aliquat 336P, TOAP, TDAP 및 TDDAP의 순서로 좋아졌다. 가소제는 DBP가 가장 좋았고, 감응물질의 양은 최적 함량 이상에서 적을수록 좋았다. 최적 막 조성은 TDDAP 9.09, PVC 30.3 및 DBP 60.61wt%이었고, 막두께 0.45mm이었다. 이 조건에서 선형응답 범위 $10^{-1}~1.2 {\times} 10^{-6}M$, 검출한계 $5.1{\times}10^{-7}M$ 및 Nernst기울기 $57mV/pClO_4$이었다. 막전위는 pH 4~11 범위에서 pH의 영향을 받지 않았으며, 선택계수 서열은 다음과 같았다. $SCN^->I^->NO_3^->Br^->ClO_3^->F^->Cl^->SO_4^{2-}$
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[게시일 2004년 10월 1일]
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