$\alpha$-Al2O3-15m/o ZrO2 powder was prepared by a sol-gel method from boehmite and zirconium acetate. The transformation temperature of boehmite to $\alpha$-Al2O3 in the system Al2O3-ZrO2 was increased due to the coupled crystallization. On the other hand, the transformation temperature from boehmite to $\alpha$-Al2O3-15m/o ZrO2 could be prepared at 110$0^{\circ}C$ for 100min. The specific surface area of the product of $\alpha$-Al2O3-15m/o ZrO2 was 13.2$m^2$/g.
Thermal shock resistance of 80Al2O3-20Al composite and monolithic alumina ceramics was compared. Fracture strength was measured by using a 4-pont bending test after quenching. Thermal stresses of the ceramics and ceramic-metal composites were calculated using a finite element analysis. The bending strength of the Al2O3 ceramics decreased catastropically after quenching from 20$0^{\circ}C$ to $0^{\circ}C$. The bending strength of the composite also decreased after quenching from 200~2$25^{\circ}C$, but the strength reduction was much smaller than for Al2O3. The maximum thermal stress occured in the monolithic alumina ceramics when exposed to a temperature difference of 20$0^{\circ}C$ was 0.758 GPa. The same amount of stress occured in the Al2O3-Al composite when the temperature difference of 205$^{\circ}C$ used.
이트리아 안정화(安定化) 지르코니아(92 mole% $ZrO_{2}$+8 mole% $Y_{2}O_{3}$)에 0.5 mole% $SiO_{2}$와 $0{\sim}2.0{\;}mole%{\;}Al_{2}O_{3}$가 첨가된 소결체의 소결성, 기계적 및 전기적 성질에 대하여 조사하였다. 소결밀도(燒結密度)는 0.5 mole% $Al_{2}O_{3}$가 첨가되었을 때 가장 높게 나타났으며 1.5 mole%이상 $Al_{2}O_{3}$가 첨가됨에 따라 감소하는 경향을 나타내었다. 비커스 경도(硬度)는 소결밀도(燒結密度)에 비례하여 나타났으며, 0.5 mole% $Al_{2}O_{3}$가 첨가되었을 때 가장 높은 전도성을 나타내었다. 일정한 산소분압(酸素分壓)에 따른 기전력 측정에서도 0.5 mole% $Al_{2}O_{3}$가 첨가되었을 매 가장 높았다. 제작된 산소(酸素)센서들의 응답특성(應答特性) 결과에서 $SiO_{2}$와 $Al_{2}O_{3}$가 각각 0.5 mole% 첨가된 센서의 응답특성이 가장 좋았다.
${\gamma}-AlO$(OH) 졸 입자 뿐만 아니라 소성처리된 ${\gamma}-Al_2O_3$ 입자의 표면특성을 ${\gamma}-AlO$(OH) 졸 제조시 숙성단계에 의하여 조절하였다. 연구결과, ${\gamma}-AlO$(OH) 졸 입자의 등전점은 숙성 증가에 따라 pH 9.25에서 pH 8.70까지 감소하였으며 ${\gamma}-Al_2O_3$ 입자의 경우는 pH 9.90에서 pH 8.86까지 감소하였다. 숙성에 따른 ${\gamma}-Al_2O_3$ 입자의 산, 염기 특성을 고찰한 결과, ${\gamma}-Al_2O_3$ 입자의 산량은 숙성시간의 증가에 따라 0.1367 mmol/g에서 0.0783 mmol/g까지 감소하였으며, Hammett 산성도함수 $H_o$는 4.8 이상의 산세기를 보였다. 한편 ${\gamma}-Al_2O_3$ 입자의 염기량은 숙성시간의 증가에 따라 0.4399 mmol/g에서 0.3074 mmol/g 까지 감소하였다. 따라서 졸-겔법에 의한 ${\gamma}-Al_2O_3$ 제조시 숙성공정이 산, 염기점의 양을 포함한 표면특성을 조절할 수 있는 중요 공정변수임을 제시하였다.
NiO catalysts/$Al_2O_3$/FeCrAl alloy foam for hydrogen production was prepared using atomic layer deposition (ALD) and subsequent dip-coating methods. FeCrAl alloy foam and $Al_2O_3$ inter-layer were used as catalyst supports. To improve the dispersion and stability of NiO catalysts, an $Al_2O_3$ inter-layer was introduced and their thickness was systematically controlled to 0, 20, 50 and 80 nm using an ALD technique. The structural, chemical bonding and morphological properties (including dispersion) of the NiO catalysts/$Al_2O_3$/FeCrAl alloy foam were characterized by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, field-emission scanning electron microscopy and scanning electron microscopy-energy dispersive spectroscopy. In particular, to evaluate the stability of the NiO catalysts grown on $Al_2O_3$/FeCrAl alloy foam, chronoamperometry tests were performed and then the ingredient amounts of electrolytes were analyzed via inductively coupled plasma spectrometer. We found that the introduction of $Al_2O_3$ inter-layer improved the dispersion and stability of the NiO catalysts on the supports. Thus, when an $Al_2O_3$ inter-layer with a 80 nm thickness was grown between the FeCrAl alloy foam and the NiO catalysts, it indicated improved dispersion and stability of the NiO catalysts compared to the other samples. The performance improvement can be explained by optimum thickness of $Al_2O_3$ inter-layer resulting from the role of a passivation layer.
Reverse-Water-Gas-Shift reaction (RWGSR) was carried out over the ZnO, $Al_2O_3,\;and\;ZnO/Al_2O_3$ catalysts at the temperature range from 400 to 700 ℃. The ZnO showed good specific reaction activity but this catalyst was deactivated. All the catalysts except the $ZnO/Al_2O_3$ catalyst (850 ℃) showed low stability for the RWGSR and was deactivated at the reaction temperature of 600 ℃. The $ZnO/Al_2O_3$ catalyst calcined at 850 ℃ was stable during 210 hrs under the reaction conditions of 600 ℃ and 150,000 GHSV, showing CO selectivity of 100% even at the pressure of 5 atm. The high stability of the $ZnO/Al_2O_3$ catalyst (850 ℃) was attributed to the prevention of ZnO reduction by the formation of $ZnAl_2O_4$ spinel structure. The spinel structure of $ZnAl_2O_4$ phase in the $ZnO/Al_2O_3$ catalyst calcined at 850 ℃ was confirmed by XRD and electron diffraction.
Lee, J.H.;Yoshikawa, A.;Kaiden, H.;Fukuda, T.;Yoon, D.H.;Waku, Y.
한국결정성장학회지
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제11권4호
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pp.170-175
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2001
It was possible to grow the $Al_{2}O_{3}$ based $Y_{3}A_{5}O_{12}(YAG),ZrO_{2}$ binary and ternary eutectic fibers using micro-pulling down method with a growing rate of 0.1~15 mm/min. While $Al_{2}O_{3}/ZrO_{2}$ showed cellular-lamellar structure, $Al_{2}O_{3}$/YAG and $Al_{2}O_{3}$/YAG/$ZrO_{2}$ternary eutectic fibers showed homogeneous Chinese script lamellar structures. The microstructures of $Al_{2}O_{3}/ZrO_{2}$ binary eutectic fibers changed with solidification rate from lamellar pattern to cellular structure. The interlamellar spacing agreed with the inverse-square-root dependance on pulling rate according to $\lambda$=$kv_p\;{-1/2}$. $Al_{2}O_{3}/ZrO_{2}$ binary eutectic fibers recorded the highest tensile strength of about 1560MPa at room temperature. $Al_2O_3/YAG/ZrO_2$ternary eutectic fiber showed excellent thermal stability to $1200^{\circ}C$ without significant decrease. The maximum strength of ternary eutectic fibers recorded were 1100MPa at $25^{\circ}C$ and 970MPa at $1200^{\circ}C$, respectively.
본 연구에서는 장파장 UV 영역하에서 비교적 우수한 발광강도를 가지는 적색 형광체를 얻기 위하여 고상법으로 합성하여 발광특성을 관찰하였다. $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 적색 형광체의 발광강도는 $Mn^{4+}$의 $^2E\to^4A_2$ 천이 때문에 643, 656, 666, 671 nm에서 4개의 sharp한 peak이 $600{\sim}700 nm $의 영역에서 발생하였으며, 여기 스펙트럼은 $250{\sim}550 nm$ 넓은 영역에서 338, 398, 468nm 3개의 peak이 발생하였다. 또한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$에 0.67mol% MgO를 함유한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$의 상대적인 발광강도는 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 보다 약 30% 정도 증가하였는데, 이러한 원인은 MgO가 첨가되어 $Al_2O_3$ 부분에 대체되어진 것으로 사료된다. 또한, 발광강도를 향상시키기 위하여 0.67mol% MgO를 함유한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 시료에 $CaF_2$를 첨가하였다. 0.67mol% $CaF_2$와 0.67mol% MgO를 함유한 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$의 656nm에서의 상대적인 발광강도는 융제를 첨가하지 않은 $SrAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$보다 약 48% 이상 증가하였다.
Al-doped p-type ZnO films were fabricated on n-Si (100) and homo-buffer layers in pure oxygen at $450^{\circ}C$ of by RF magnetron sputtering. Target was ZnO ceramic mixed with 2 wt% $Al_2O_3$. XRD spectra show that the Al-doped ZnO thin films have ZnO crystal structure and homo-buffer layers are beneficial to Al-doped ZnO films to grow along c-axis. Hall Effect experiments with Van der Pauw configuration show that p-type carrier concentrations are ranged from $1.66{\times}10^{16}$ to $4.04{\times}10^{18}\;cm^{-3}$, mobilities from 0.194 to $2.3\;cm^2V^{-1}s^{-1}$ and resistivities from 7.97 to $18.4\;{\Omega}cm$. p-type sample has density of $5.40\;cm^{-3}$ which is smaller than theoretically calculated value of $5.67\;cm^{-3}$. XPS spectra show that Ols has O-O and Zn-O structures and Al2p has only Al-O structure. P-ZnO:Al/n-ZnO:Al junctions were fabricated by magnetron sputtering. V-I curves show that the p-n junctions have rectifying characteristics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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